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此时通过设计合适的磁参数及电路参数，满足激磁绕组W1匝数N1与激磁绕组W2匝数N2相同，绕线材料一致，且激磁电压反相以保证激磁电流iex2幅值与激磁电流iex1一致而方向相反，即满足：N2=N1I=Iex2ex1将式（3－8）、（3－9）带入式（3－7）可得：NPIP+NFIF=0（3－8）（3－9）（3－10）根据式（3－10）可知，对于双铁芯式自激振荡磁通门传感器而言，在整体上可以达到零磁通的铁芯工作状态，从而消除了单铁芯式结构激磁绕组由于电磁感应原理对测量结果带来的影响，使得本文设计的交直流电流传感器达到更高的电流检测精度。磁阻效应传感器是根据磁性材料的磁阻效应制成的。无锡国产替代电流传感器出厂价

考虑到光学电流测量方法目前仍对温度、振动等环境敏感，对光源要求苛刻，因此在当前的技术水平下，再提高其精度等级具有较大难度[54]。霍尔电流传感器通常需要在铁芯上开口，因此对铁芯加工工艺有一定要求，且开环霍尔电流传感器由于开口漏磁的影响，其精度一般不高；形成闭环可以获得较高的精度，但要实现高精度需要对传感器进行复杂的屏蔽设计，使得测量结构复杂，整机异常笨重，且霍尔传感器本身也对温度敏感，一般不适用于精密电流测量。分流器的原理极为简单，但分流器在交流电流下具有集肤效应，另外当通过电流较大时，分流器易产生温升而使其温度特性变差，此时多采用多个分流器并联的方法来扩大测量的范围，导致分流器的体积会过分庞大；再者，当应用于大交流电流中含有较小的直流分量时，受限于信噪比，难以完成小 直流分量的高精度测量。而传统的磁调制器法电流传感器具有强抗干扰能力，测量精度高，但其性价比不高，主要成本来自于外接交流激励源及复杂的解调电路，而自激振荡 磁通门传感器法也是基于磁调制原理，但其结构简单，不需外加交流激励源。济南大量程电流传感器价钱2022年有70%的动力电池回收后用于梯次利用，30%的动力电池用于再生利用。

当激磁电压频率远大于被测工频交流电流频率即fex>>f 时， 每 个激磁电压周波内可以将被测交直流电流看作近似直流分量通过式（2－39）表示。该方 法类似于对低频交流分量， 通过高频的激磁电压进行调制。在每一个调制周期内， 自激 振荡磁通门法都可以将被测电流的量值大小及方向， 准确反映在激磁电流波形中。不同 于直流测量时通过分析单个激磁电压周期内激磁电流平均值即可获取正比于直流分量 大小的电压信号，当进行交流测量或交直流电流测量， 则需要分析大于或等于一个交流 信号周期的激磁电流信号获取交流及交直流测量结果。

输入端各个绕组与输出端 绕组之间会相互影响，其中在输出端产生的感应纹波电流将会直接影响终测量结果， 这是单铁芯式结构自激振荡磁通门传感器闭环交直流电流测量的误差来源之一。因此本 文设计的交直流传感器为了抑制上述电磁感应产生的噪声， 在原有自激振荡磁通门传感 器基础上增加环形铁芯 C2 ，激磁绕组 W2 及反相放大器 U2 构成双铁芯式自激振荡磁通 门传感器结构用于解决电磁感应噪声问题。通过对各个铁芯磁势平衡方程的分析， 本文的新结构双铁芯式自激振荡磁通门传感 器作为零磁通交直流检测器在新型交直流电流传感器中性能优于原单铁芯结构自激振 荡磁通门传感器。在诸多弱磁场测量方法中，目前应用比较多的是霍耳效应器件、磁阻传感器、磁 通门传感器和光泵磁力仪等。

假设功率放大电路性能优越，在设计检测带宽内闭环增益大，输出纹波电流小，输出稳定。则G3可用其闭环增益KPA表示其传递函数为：G3=KPA（3－15）电流反馈模块输入信号为反馈绕组WF两端电压信号，即功率放大电路输出电压信号。其输出信号为流过终端测量电阻RM的反馈电流信号IF。根据上述关系，可推导电流反馈模块G4的传递函数为：G4==RM+ZF1RM+jwLFlcRMlc+jwμ0μeN2F(2Sc)（3－16）式（3－16）中，ZF为反馈绕组WF的复阻抗，忽略其电阻值，用反馈绕组的激磁感抗jwLF表示；根据激磁电感与磁路参数关系进一步对公式进行化简，式中lc为合成铁芯C12的平均磁路长度，μe为合成铁芯C12的有效磁导率，SC为单个铁芯的截面面积，合成铁芯C12的截面面积为2SC。截至2023年9月，储能系统中标价格比2022年降低近30%。芜湖高频电流传感器供应商

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激磁电压信号Vex在一个周波内表达式为：(|Vout,0<t<TpVex=〈|l-Vout,Tp<t<Tp+TN其中TP=t3，在正向周波内，根据在线性区及各饱和区的时间间隔表达式（2－8）、（2－12）、（2－16）可以求得，正半波时间TP满足下式：TP=t1+(t2-t1)+(t3-t2)=τ1ln(1+2Im)+(τ2-τ1)ln(1+2Ith)（2－25）IC-ImIC-Ith-βIp1其中TN=t6-t3，在负向周波内，根据在线性区及各饱和区的时间间隔表达式（2－18）、（2－20）、（2－22）可以求得，负向周波时间TN满足下式：TN=t4-t3+(t5-t4)+(t6-t5)=τ1ln(1+2Im)+(τ2-τ1)ln(1+2Ith)（2-26）IC-ImIC-Ith+βIp1激磁电压信号Vex在一个周波内平均电压Vav表达式为：Vav=Vout=Vout无锡国产替代电流传感器出厂价