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在图1所示的实施例中，成像物镜6包含以下两种结构形式：(形式一)成像物镜6为物侧面和像侧面都为非球面的单一非球面镜片，(形式二)成像物镜6是由多个镜片组合而成的透镜组。综上所述，本发明在激光位移传感器的光学系统设计时，利用增加像散，在感光元件的感光单元沿着S方向排列的情况下，拉高成像物镜S方向的MTF值同时降低T方向上的MTF值，使得线阵感光元件上的光斑呈现长条状态，进而实现以下技术效果：降低激光位移传感器中成像物镜的设计难度，同时降低了设备的成本；在工业领域，激光位移传感器可以用于检测零件的尺寸和位置，以确保生产过程的准确性和一致性。直销激光位移传感器招商加盟

在采用方式2的情况下，可以在成像物镜前或成像物镜6后加入能够引入像散的光学元器件(如平板玻璃)，配合调整成像物镜6与感光元件7之间的距离时，可以在微米量级进行调整。每次调整后，可以进行MTF解析，在判断解析结果满足上述条件时，停止调节。如果调整后发现解析结果不满足上述条件，则继续进行调整。此外，在图1所示的实施例中，反光元件8设置在接收物镜6和感光元件7之间，从而可以提高所述激光位移传感器的内部空间利用率，减小其外形尺寸。在所述激光位移传感器外形尺寸允许的情况下，反光元件8可省略。在测量光斑和成像物镜6之间的带通滤光片5被用来滤除或降低杂散光对测量系统的影响。销售激光位移传感器成本价它可以实时监测物体的变形情况，提供及时的预警和反馈。

通过将反光元件设置在成像物镜与感光元件之间，能够减小激光位移传感器的设备体积，便于激光位移传感器的使用和安装；通过采用线阵感光元件，能够降低激光位移传感器的成本；另外，由于线阵感光元件的多个感光单元沿着直线排列，所以在该直线的延伸方向上的MTF值拉高而将与该直线垂直方向上的MTF值降低，并不会影响测量精度，还能够让光斑更加容易地被线阵感光元件所接收；通过采用带通滤光片，能够滤除或降低杂散光，避免激光位移传感器收到干扰，保证测量的准确度。

在一个实施例中，激光位移传感器通过调整成像物镜6与感光元件7之间的距离，在空间频率为62.5lp/mm处，MTFS大于10倍的MTFT，其中，MTFS为量程内被测点在S方向的MTF值，MTFT为量程内被测点在T方向的MTF值，曲线1为物点在子午方向和弧矢方向上都没有偏离的MTFT值，曲线2为物点在子午方向和弧矢方向上都没有偏移的MTFS值；曲线3为物点在弧矢方向偏离-2.1mm、在子午方向无偏离的MTFT值；曲线4为物点在弧矢方向偏离-2.1mm、在子午方向无偏离的MTFS值；曲线5为物点在弧矢方向偏离2.1mm、在子午方向无偏离的MTFT值；曲线6为物点在弧矢方向偏离2.1mm、在子午方向无偏离的MTFS值(其中，在弧矢方向内，向光轴以里偏离为正，向光轴以外偏离为负)。在一具体实施例中，在空间频率为62.5lp/mm处，量程内被测点的MTFS≥0.5，MTFT＜0.05。类似地，在采用上述方式1的情况CN10685539 1B6下，同样可以保证成像物镜的MTFT和MTFS满足这些条件。激光位移传感器可以用于测量环境中的污染物浓度。

在一个实施例中，上述感光元件7可以为线阵CCD感光芯片，或者也可以是线阵CMOS感光芯片。在线阵CCD感光芯片或线阵CMOS感光芯片中，包括线形排列的多个感光单元，通常为直线排列，该直线的延伸方向为感光单元的主要排列方向，这些感光单元沿着水平方向(弧矢方向)排列。由于感光单元为直线状排列，因此，长条形光斑可增加与像元之间的接触面积，可降低机械器件形变对所述激光位移传感器信噪比的影响。[0045]在其他实施例中，上述感光元件7可以是面阵CCD感光芯片或面阵CMOS感光芯片。面阵CCD感光芯片或面阵CMOS感光芯片包括排列为矩形的多个感光单元，矩形的长边沿着水平方向(弧矢方向)延伸，短边沿着竖直方向(子午方向)延伸，其长边的延伸方向即为感光单元的主要排列方向。这样，长条形光斑同样更加容易地被面阵CCD感光芯片或CMOS感光芯片接收到。这对于需要实时控制和调整的应用非常重要，如机械加工、自动化生产线等领域。原装激光位移传感器免费咨询

它可以测量各种类型的物体，包括金属、塑料和液体等。直销激光位移传感器招商加盟

激光位移传感器的测量精度容易受到被测物体表面特征的影响，为了减小测量误差，在整形镜设计中应尽量使出射光斑在有效的测量范围内实现光斑小且均匀。针对传感头小型化设计的要求，半导体激光器体积小、重量轻的优点正好符合这一要求，但其光束质量并不理想，需要对其进行光束整形。半导体激光器快慢轴的光束分布极不对称:快轴发散角较大，半角的典型值为30～40°，光束呈高斯分布，发光范围的半宽度为0.6～0.8μm，慢轴发散角的半角典型值为3～6°，光束分布不规则，发光范围半宽度为50～100μm。因此，在不允许能量损失的情况下，要求整形系统的物方数值孔径(NA)>0.573；但由于光束的快轴能量呈高斯分布，通常取半宽度(FWHM)为20°，此时NA=0.342。系统物距应尽量小一些，但考虑到工艺问题，不宜过小，选定为2.5mm。为了便于设计，将系统倒置，整个系统的主要要求为:工作波长为785±10nm，像方NA=0.342，像距l′=2.5mm，物距l=40～60mm，焦距f=3～4mm。直销激光位移传感器招商加盟