无锡激光位移传感器产品原理

根据权利要求1所述的激光位移传感器，其特征在于，在进行解析时，空间频率为62.5lp/mm，如果所述多个感光单元的主要排列方向为弧矢方向，则MTFS≥0.5，MTFT<0.05；如果所述多个感光单元的主要排列方向为弧矢方向，则MTFT≥0.5，MTFS<0.05。4.根据权利要求1所述的激光位移传感器，其特征在于，进一步包括：反光元件，所述反光元件设置在所述成像物镜的出射光路上，所述成像物镜的出射光经所述反光元件反射后，入射到所述感光元件。5.根据权利要求1所述的激光位移传感器，其特征在于，进一步包括：带通滤光片，设置于所述成像物镜的入射光路上。6.根据权利要求1所述的激光位移传感器，其特征在于，进一步包括：聚焦透镜，设置于所述激光器的出射光路上。7.根据权利要求1至6中任一项所述的激光位移传感器，其特征在于，所述感光元件为线阵感光元件，所述线阵感光元件的多个感光单元沿直线排列，该直线的延伸方向为所述多个感光单元的主要排列方向。高精度激光位移传感器采用激光技术，能够实现非常精确的位移测量。无锡激光位移传感器产品原理

传统的接触式平面检测精度低、稳定性差及对对象物检测条件要求苛刻，已逐渐被现代非接触式平面检测所替代。非接触式激光平面检测系统以其高精度、高分辨率及不受对象物材质、颜色或倾斜度的影响等优点，可对任何对象物进行平面检测。介绍系统结构和激光位移传感器的工作机理，并进行平面定性检测和定量检测试验，用OpenGI。绘制及拟合三维曲面。试验结果表明，该系统平面检测结果较好地反映出对象物平面起伏情况，并且达到系统的精度要求。闵行区激光位移传感器诚信企业推荐非接触式位移传感器的出现推动了现有技术的适应，以满足新的测量要求并提高测量的准确性和分辨率。

进一步地，所述蜗轮蜗杆机构包括一横向蜗杆、一蜗轮以及一位移调节把手；所述横向蜗杆的一端与所述激光红外线接收挡板的背面固接，另一端与所述电子测量仪抵接；所述位移调节把手与所述蜗轮的中心固接。进一步地，所述电子测量仪包括一电子千分表以及一千分表夹持装置；所述电子千分表夹持在所述千分表夹持装置上，所述千分表夹持装置一端抵接于所述延伸部，另一端抵接于所述横向蜗杆上。 进一步地，所述传感器夹持装置包括一纵向螺杆以及一夹持器；所述夹持器套设在所述纵向螺杆上，所述激光位移传感器夹持在所述夹持器上。

优点在于：1、通过所述电子千分表，使得所述激光位移传感器的检验精度极大提高。2、通过所述电动伸缩双直线导轨，简化了检验流程、当设备闲置时收缩导轨可节约占地面积。

在以激光三角法为基本原理的激光位移传感器中，相对于成像物镜，物面和像面都成倾斜状态，即物面与像面都与成像物镜光轴成一定的夹角。在传统激光位移传感器中，光学系统设计都兼顾成像物镜子午方向(T方向)和弧矢方向(S方向)两个方向的成像质量。由于需要兼顾两个方向的成像质量，所以这种需求的存在会增加激光位移传感器的成像物镜设计难度，提高制造和维护成本。不仅如此，随着激光位移传感器的使用，很可能会因为振动、机械变形等原因，使得激光器发出的光斑无法准确投射到传感器上，导致系统信噪比降低，影响测量的准确性，甚至可能出现完全无法进行测量的问题。激光位移传感器可以用于测量环境中的污染物浓度。

2、与传统激光位移传感器相比，本发明所涉及的激光位移传感器在光学系统中，S方向的成像质量更高，进而从理论上可提高其测量精度；3、通过增加像散使线阵感光元件上的光斑信号呈现长条状态，增大光斑信号与像元之间的接触面积，进而降低机械件变形对信噪比的影响。在以上描述的实施例中，感光元件的感光单元沿着水平方向(将弧矢方向定义为水平方向)排列，将成像物镜6和感光元件7所组成的成像系统在子午方向上的MTF值降低，而将弧矢方向上的MTF值拉高。在其他实施例中，感光元件的感光单元沿着竖直方向(将子午方向定义为竖直方向)排列，此时，可以将成像物镜6和感光元件7所组成的成像系统在弧矢方向上的MTF值降低，而将子午方向上的MTF值拉高。这样，同样能够达到上述类似的技术效果。以上所述only为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。这种传感器可以用于测量物体的表面粗糙度，以评估其质量。安徽激光位移传感器供应链

高精度激光位移传感器的响应速度非常快，能够实时监测目标物体的位移变化。无锡激光位移传感器产品原理

激光位移传感器的测量精度容易受到被测物体表面特征的影响，为了减小测量误差，在整形镜设计中应尽量使出射光斑在有效的测量范围内实现光斑小且均匀。针对传感头小型化设计的要求，半导体激光器体积小、重量轻的优点正好符合这一要求，但其光束质量并不理想，需要对其进行光束整形。半导体激光器快慢轴的光束分布极不对称:快轴发散角较大，半角的典型值为30～40°，光束呈高斯分布，发光范围的半宽度为0.6～0.8μm，慢轴发散角的半角典型值为3～6°，光束分布不规则，发光范围半宽度为50～100μm。因此，在不允许能量损失的情况下，要求整形系统的物方数值孔径(NA)>0.573；但由于光束的快轴能量呈高斯分布，通常取半宽度(FWHM)为20°，此时NA=0.342。系统物距应尽量小一些，但考虑到工艺问题，不宜过小，选定为2.5mm。为了便于设计，将系统倒置，整个系统的主要要求为:工作波长为785±10nm，像方NA=0.342，像距l′=2.5mm，物距l=40～60mm，焦距f=3～4mm。无锡激光位移传感器产品原理