原装激光位移传感器制作厂家

时间:2024年06月28日 来源:

激光位移传感器根据入射光角度的不同可分为直入射式和斜入射式两种[1],本设计采用的是直入射式,其光路结构如图1所示。整套光路可以分为两部分,即整形系统和接收系统[2]。左边部分是光束整形系统,其作用是将激光器发出的光束汇聚在工作范围内,使汇聚的光斑尽量小而均匀。光源为半导体激光器(LD),它经整形系统在测量范围50±10mm内形成均匀的光斑。后面则是光束接收系统,它将物体表面的漫反射光汇聚到光敏探测器上,使其精确成像。图中α为被测面与成像透镜光轴夹角,β为光敏探测器与光轴的夹角,do和di分别表示物距和像距。高精度激光位移传感器还可以用于科学研究和实验室应用。原装激光位移传感器制作厂家

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本实用新型属于光电测量装置技术领域,涉及一种物体的位移及其有关质量指标的光电检测装置,特别是一种用于检测路面平整度、车辙、路面变形病害、路面构造深度等道路质量指标的激光位移传感器。目前在道路的多项质量指标检测中,如路面的平整度、车辙、构造深度等指标检测中,采用三角成像原理的激光位移传感器已得到大量应用。这些质量指标在工程质量验收检测、运营道路的养护检测中都是非常重要的检测内容。创视智能技术有限公司。常州激光位移传感器这些传感器具有广泛的应用领域。它们可以用于测量各种材料的位移,包括金属、塑料和液体等。

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一种激光位移传感器,包括激光器、成像物镜以及感光元件,所述激光器用于射出激光束,由所述成像物镜接收并出射的光入射到所述感光元件,其特征在于,在对所述成像物镜和所述感光元件进行调制传递函数MTF解析时,解析结果满足以下条件:在所述感光元件的多个感光单元的主要排列方向为弧矢方向的情况下,MTFS>MTFT;在所述感光元件的多个感光单元的主要排列方向为子午方向的情况下,MTFT>MTFS;其中,MTFS为弧矢方向上的MTF值,MTFT为子午方向上的MTF值;在所述感光元件的多个感光单元的主要排列方向为弧矢方向的情况下,所述成像物镜本身的MTFS>MTFT;或者,在所述感光元件的多个感光单元的主要排列方向为子午方向的情况下,所述成像物镜本身的MTFT>MTFS,使得所述解析结果满足所述条件;和/或在所述成像物镜前和/或在所述成像物镜后加入能够引入像散的光学元器件,并且配合微调所述成像物镜与所述感光元件之间的相对距离,使得所述解析结果满足所述条件。2.根据权利要求1所述的激光位移传感器,其特征在于,在进行解析时,空间频率为62.5lp/mm,如果所述多个感光单元的主要排列方向为弧矢方向,则MTFS>MTFT×10。

本实用新型涉及一种检验校准装置,特别指一种激光位移传感器检验校准装置。激光位移传感器是一种利用激光技术进行测量的传感器,它由激光器、激光检测器、测量电路组成。激光位移传感器是一种新型的测量仪表,能够非接触测量被测物体的位移变化,并且测量精度高。在激光位移传感器的使用过程中,由于设备的磨损老化等原因,导致激光位移传感器的测量误差增大,此时需要将激光位移传感器进行定期的检验、校准。目前,对激光位移传感器的检验、校准,主流的做法是测量一个已知的距离(比如:1米、5米、10米等),通过对比测量的数值与实际的数值来判断测量的精确度。但是这种方法存在有如下问题:1、检验的精度不够高;2、需要较大的场地。此外,它们通常具有用户友好的界面和操作方式,使得使用者能够轻松地进行测量和数据分析。

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本实用新型提供了一种激光位移传感器检验校准装置,包括一可伸缩导轨、一微调装置、一传感器夹持装置、一激光位移传感器以及一激光红外线接收挡板;所述微调装置和传感器夹持装置设于所述可伸缩导轨的上端;所述激光位移传感器夹持在所述传感器夹持装置上,且使所述激光位移传感器的激光发射端朝向所述微调装置;所述激光红外线接收挡板与所述微调装置固接,且使所述激光红外线接收挡板的接收面朝向所述传感器夹持装置。本实用新型的优点在于:简化检验流程、检验精度高、设备结构简单、当设备闲置时收缩导轨可节约占地面积。激光位移传感器在市政检测行业的应用案例。原装激光位移传感器推荐厂家

激光位移传感器可以用于测量环境中的污染物浓度。原装激光位移传感器制作厂家

激光位移传感器的测量精度容易受到被测物体表面特征的影响,为了减小测量误差,在整形镜设计中应尽量使出射光斑在有效的测量范围内实现光斑小且均匀。针对传感头小型化设计的要求,半导体激光器体积小、重量轻的优点正好符合这一要求,但其光束质量并不理想,需要对其进行光束整形。半导体激光器快慢轴的光束分布极不对称:快轴发散角较大,半角的典型值为30~40°,光束呈高斯分布,发光范围的半宽度为0.6~0.8μm,慢轴发散角的半角典型值为3~6°,光束分布不规则,发光范围半宽度为50~100μm。因此,在不允许能量损失的情况下,要求整形系统的物方数值孔径(NA)>0.573;但由于光束的快轴能量呈高斯分布,通常取半宽度(FWHM)为20°,此时NA=0.342。系统物距应尽量小一些,但考虑到工艺问题,不宜过小,选定为2.5mm。为了便于设计,将系统倒置,整个系统的主要要求为:工作波长为785±10nm,像方NA=0.342,像距l′=2.5mm,物距l=40~60mm,焦距f=3~4mm。原装激光位移传感器制作厂家

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