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芯片有数十亿晶体管，光刻机多久能做好一枚芯片？ *
我们的手机和电脑里都是安装了各种类型的芯片，芯片本身是由数以亿计的晶体管组成的，而芯片是在硅晶圆的基础上一步一步制造出来的，而且这个过程非常复杂，涉及到光刻、离子注入、蚀刻、曝光等一系列步骤，由于芯片对硅晶圆的纯度和光刻精度要求非常高，所以这都需要各类**高精尖的设备才能进行，如果有杂质和误差问题，那么芯片也就无法正常工作。
所以说芯片当中数以亿计的晶体管都是在硅晶圆上用光刻机光刻或者蚀刻上去的，之后还要以类似的方法做上相应的电路和连线，从而才能保证晶体管的正常通电工作。当然，为了保证晶体管布局的准确无误，在芯片制造之前就必须把图纸或者电子图设计好，这往往需要相当长的时间，也需要经过多次验证和试产阶段，只有准确无误的将复杂无比的电路给到一颗颗晶体管上面，并且能保证正常工作才可以开始投产制造。
晶体管是有电信号放大功能与切换功能的相当有有发表性的半导体器件。参数晶体管联系方式
三极管放大原理参考示意图
① 如图 2.20 （ａ）所示：当发射结无电压或施加电压在门限电压以下，相当于闸门关紧时，水未从水龙头底部通过水嘴流出来。此时， ec 之间电阻值无穷大， ec 之间的电流处于截止状态，或者说是开关的 OFF 状态。
子元器件基础知识- -三极管 *
三极管，是一种具有三个电极的装置，也称为双极型晶体管、晶体三极管，实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区，从而引出基极、发射机和集电极三个电极，按结构可将其分为NPN型和PNP型。
三、单结晶体管振荡器
1.单结晶体管振荡器电路
在电子电路中，常常利用单结晶体管的负阻特性和RC电路的充放电特性，组成非正弦波脉冲振荡电路，单结晶体管振荡电路如图6a所示。图中，R、C为充放电元件，V为单结晶体管，Rb1、Rb2为基极电阻，其中Rb2为限流电阻，Rb1是负载电阻，其两端产生的电压降就是振荡输出信号。
2.单结晶体管振荡电路的工作原理
单结晶体管振荡电路的工作原理如下。当开关S闭合后，电源Ucc接入电路中，单结晶体管的b2经电阻Rb2与电源的正极相连，b1经电阻Rb1与电源的负极相接，即b2、b1之间加上了一个正电压。同时，电源Ucc还通过电阻R对电容C进行充电，电容两端的电压Uc随时间按**规律上升，充电时间常数τ=RC。
当电容两端的电压Uc，即发射极所加的电压Ue＜Up峰点电压时，单结晶体管的Ie电流为很小的反向漏电电流，单结晶体管是处于截止状态的，其e、b1极之间的等效阻值非常大，电阻Rb1上无电流通过，输出电压Uo=0，即无脉冲信号输出
三极管（BJT管），也称为双性型晶体管
三极管是一个人丁兴旺的“大家族”，其人员众多。因此在电子电路中如果没有三极管的话那么这个电路将“一事无成”。电路中的很多元件都是为三极管服务的，比如电阻、电容等。有必要和大家对三极管进行一下剖析，下面让我们看看三极管的“庐山真面目”。三极管也有三条腿，并且这三条腿不能相互换用，不像MOS管那样其源极（S）和漏极（D）在一定条件下还可以换用的（低频的结型管可以互换）。从图中我们也可以看到，三极管也是有两个PN结构成。我们以NPN型三极管为例来说明这个问题，分别从三个半导体基座中引出三个极，我们给它分别起个名字叫基极、集电极和发射极。这三个端子的相互作用是，通过控制流入基极的电流就可以达到控制发射极和集电极之间的电流的大小，由此我们可以知道三极管是一个电流型控制器件。
双极晶体管指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。
未来光晶体管的平台
晶体管的功能源于电子的受控运动。这种方法已经使用了数十年，但仍然存在一些缺点。首先，电子设备在执行任务时往往会变热，这意味着一部分能量转变为热量被浪费掉，不用于实际工作。为了防止变热，设备配备了冷却元件，也因此浪费了更多的能量。第二，电子设备的处理速度有限。这些问题中的一些可以通过使用光子而不是电子来解决。使用光子进行信息编码的设备将产生更少的热量，使用更少的能量并且工作速度更快。 晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。佛山晶体管比较便宜
半导体三极管是电路中应用比较常见的器件之一，在电路中用“V”或“VT”表示。参数晶体管联系方式
当然，芯片中的晶体管不仅*只有Mos管这一种类，还有三栅极晶体管等，晶体管不是安装上去的，而是在芯片制造的时候雕刻上去的。
在进行芯片设计的时候，芯片设计师就会利用EDA工具，对芯片进行布局规划，然后走线、布线。
如果我们将设计的门电路放大，白色的点就是衬底, 还有一些绿色的边框就是掺杂层。
晶圆代工厂就是根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。
芯片制造的两个趋势，一个是晶圆越来越大，这样就可以切割出更多的芯片，节省效率，另外就一个就是芯片制程，制程这个概念，其实就是栅极的大小，也可以称为栅长，在晶体管结构中，电流从Source流入Drain，栅极（Gate）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度（栅长），也就是制程。缩小纳米制程的用意，就是可以在更小的芯片中塞入更多的电晶体，让芯片不会因技术提升而变得更大。
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