变容二极管现货

时间:2021年03月12日 来源:

  3.反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V(BR)”键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。


  也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。如图4-71所示,摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。


晶体管之所以能够大规模使用是因为它能以极低的单位成本被大规模生产。变容二极管现货

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半导体二极管的识别方法:


a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.


b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.


c;测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。



大功率二极管直销晶体二极管在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。

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半导体三极管


1、半导体三极管英文缩写:Q/T


2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。


3、半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。


按材料来分 可分硅和锗管,我国目前生产的硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。


4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。



在三极管be之间增加偏置电阻,测量Vce击穿电压




下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下,C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。




所以在正常设计三极管电路的时候,需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。




在不同的Rbe的阻值下,Vce的击穿电压曲线




由于三极管的发射区掺杂浓度很高,B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。




因此,在使用三极管的时候,如果错把集电极和发射极弄混,除了会引起电流放大倍数的下降之外,因为Vebo,Vceo的差异,电路中的三极管的也会被击穿。




和二极管一样,半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。


两个不同批次的S8050Vceo的电压



二极管比较普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过,反向时阻断 。

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肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode)        它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响*为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。


晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。电路二极管制造公司

二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。变容二极管现货

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