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通俗易懂的三极管工作原理 *
1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄；(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。
2、晶体三极管的工作原理。
其次，三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V)；（b）在C极和E极之间施加反向电压（此电压应比eb间电压较高）；（c）若要取得输出必须施加负载。
二极管又称晶体二极管,简称二极管。8550三极管供应
半导体三极管
1、半导体三极管英文缩写：Q/T
2、半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。
3、半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。
4、半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。
中山场效应管场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管。
让我们带着这个问题开始学习三极管的结构。
与二极管类似，三极管也是由PN结构成的，它的内部包含两个PN结，这两个PN结由三片半导体构成。根据这三片半导体排列方式的不同，三极管可以分成NPN型和PNP型。
以NPN型为例，三极管的结构特点可以概括为三极、三区、两结。从三片半导体各引出一个引脚，就是三极，中间为基极B，两边分别为集电极C和发射极E。与三个引脚相连的三片半导体即为“三区”，基区、集电区和发射区。
三个区结构上各有特点，基区**薄，集电区面积比较大，发射区掺杂浓度比较高。三个区相互结合，在交界处形成两个PN结。基区与集电区交界处称为集电结，基区与发射区交界处称为发射结。
双基极二极管的检测
1．电极的判别 将万用表置于R×1k档，用两表笔测量双基极二极管三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值，会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ，这两个电极即是基极B1和基极B2，另一个电极即是发射极E。再将黑表笔接发射极E，用红表笔依次去接触另外两个电极，一般会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次测量中，红表笔接的是基极B2，另一个电极即是基极B1。
2．性能好坏的判断 双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。用万用表R×1k档，将黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极（B1和B2），正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大。
双基极二极管两个基极（B1和B2）之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范围内，若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时，则说明该二极管已损坏。
双极结型晶体管又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件。
8、变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：
（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。
（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。
出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。
电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。数字三极管哪个厂家质量好
双极晶体管根据工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。8550三极管供应
半导体三极管
1半导体三极管的结构.
半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管)，是电子线路中**常用的半导体器件，它在电路中主要起放大和电子开关作用
定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类
晶体三极管有集电区，基区和发射区三个区域
集电区与基区之间的PN结称为集电结，基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向，
2半导体三极管的电流分配及放大作用
一、三极管的放大作用
1.外部条件：发射结正偏，集电结反偏
2.内部条件：基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度
3.IE、IB、Ic之间关系＇：IE＝IB+Ic.
发射结正向偏置、使电结反向偏置。
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