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（四）发光二极管的检测
1．性能好坏的判断
用万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10~20kΩ，反向电阻值为250kΩ~∞（无穷大）。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降大于（高于万用表R×1k档内电池的电压值）的缘故。
用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电（黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器负极），再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。
也可用3V直流电源，在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极（见图4-74），正常的发光二极管应发光。或将1节电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。
稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。MMBT2222三极管制造商
一、MOS管
MOS管是电压控制型器件，栅极（G）的电压控制源极（S）和漏极（D）之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。
NMOS管的原理图示
它们好像是一个受外界磁力控制的开关，当外面有红色磁体时，好像栅极（G）加压，内部的黄色阀门就开启，绿色的电子好像水流一样就会从源极（S）流到漏极（D）。
刚开始水流随着阀门的开启增大而增大，这就是线性工作区。当阀门开到一定程度，水流不会再增大了，因为管子满了。这就是饱和区工作状态。
高效率二极管销售代理晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。
用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅，用图7电路可作模拟品，调节510电阻的阻值，即可调节三极管C、E两极之间的阻抗，此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图8为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是：当加到A、B两端的输入电压上升时，因三极管的B、E结压降基本不变，故R2两端压降上升，经过R2的电流上升，三极管发射结正偏增强，其导通性也增强，C、E极间呈现的等效电阻减小，压降降低，从而使AB端的输入电压下降。调节R2即可调节此模拟稳压管的稳压值，等效为稳压管。
tvs二极管作用 *
TVS的电容量由其芯片的面积和偏置电压来确定，其偏置电压与电容值C 成反比。在应用中要根据电路持性选择合适的电容范围，电容大会使信号损失，对信号起调制作用，引起干扰。
反向漏电流ID
当额定反向工作电压VWM 加于TVS两极时，TVS处于反向关断状态，流过TVS 的电流称为反向漏电流，ID值应小于或等于其**da反向漏电流。
tvs二极管
由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，tvs二极管应用，已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)，RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰***、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的***等各个领域。
二极管是一种具有单向导电的二端器件。
场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。惠州可控硅管
二极管的正.负二个端子,一端称为阳极,一端称为阴极。MMBT2222三极管制造商
二极管的主要参数
二极管是非线性元件，二极管具有单向导电性
1.比较大整流电流IF。
是指二极管长时间连续使用时，允许通过的比较大正向平均电流
2.反向击穿电压VBR和比较大反向工作电压VRM
反向击穿电压是指二极管发生反向击穿时的电压值
3反向饱和电流IR
指没有发生反向击穿时的反向电流值，反向饱和电流越小说明二极管的单向导电性越好，其大小受温度影响较大。
4比较高工作效率
指二极管所能承受的比较高频率，主要由N结的结电容大小决定二极管的性能
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