浙江微型整流二极管
较高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的较大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。较大反向电流IR：它是二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。这个电流值越小，表明二极管质量越好。击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。较高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的较高工作频率。整流二极管，就选深圳市凯轩业科技有限公司。浙江微型整流二极管
11、PIN 型二极管（PIN Diode）这是在 P 区和 N 区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN 中的 I 是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过 100MHz 时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把 PIN 二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。 浙江微型整流二极管深圳市凯轩业科技致力于整流二极管是生产研发设计，竭诚为您服务。
15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为 N 型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响但为 RC 时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
扩散型二极管在高温的 P 型杂质气体中，加热 N 型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成 P 型，以此法 PN 结。因 PN 结正向电压降小，适用于大电流整流。较近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。5、台面型二极管PN 结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留 PN 结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。整流二极管找原装品质，就选深圳市凯轩业科技有限公司。
8、外延型二极管用外延面长的过程制造 PN 结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。9、肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N 型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有 40V 左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间 trr 特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。用户的信赖之选，圳市凯轩业科技是一家专业整流二极管方案设计公司，期待您的光临！浙江微型整流二极管
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整流二极管较突出的作用是其能够防止电流倒灌。当整流二极管加上正电压时，正电压起始部分的正电压很小，不能有效克服PN结内电场的阻挡作用。当整流二极管的正电流几乎为零时，这一部分被称为死区，不能引导二极管的正电压称为死区电压。当整流二极管的正电压大于死区电压时，有效克服了PN结内的电场，整流二极管的正电流随着电压的增加而迅速上升。在正常电流范围内，整流二极管端电压几乎保持不变使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。浙江微型整流二极管
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