大规模铝碳化硅好选择

铝基碳化硅（AlSiC）的全称是铝基碳化硅颗粒增强复合材料，采用铝合金作为基体，按设计要求，以一定形式、比例和分布状态，用SiC颗粒作为增强体，构成有明显界面的多组相复合材料，兼具单一金属不具备的综合优越性能。它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势，具有高导热性、与芯片相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻，以及高硬度和高抗弯强度。其特性主要取决于碳化硅的体积分数（含量）及分布和粒度大小，以及铝合金成份等因素。铝碳化硅可替代铝、铜、铜钨、铜钼等应用于高功率封装领域。大规模铝碳化硅好选择

IC产业的发展与其设计、测试、流片、封装等 各环节密切相联，**终在市场应用中体现价值认同，良性循环形成量产规模，实现经济效益。封装技术至关重要，尤其是***产品大多采用金属封装、陶瓷封装结构，确保器件、模块、组件、系统的整体可靠性。金属封装气密性高，散热性好，形状可多样化，有圆形、菱形、扁平形、浅腔与深腔形等，其材料难以满足当今航空航天、舰船、雷达、电子战、精确打击、天基和海基系统对大功率、微波器件封装的需求。按目前VLSI电路功耗的同一方法计算，未来的SoC芯片将达到太阳表面温度，现有的设计和封装方法已不能满足功率SoC系统的需求。AlSiC恰好首先在这一领域发挥作用，现以***为主，进而推向其他市场。陕西新型铝碳化硅高体分铝碳化硅已经用于天空二号太阳板支架中。

***代以塑料、金属、陶瓷等为主的简单封装，主要的用途是将器件封装在一起，起到包封、支撑、固定、绝缘等作用，这代封装材料目前主要用于电子产品的封装。2第二代封装材料，以可伐（Kovar）合金、钨铜合金产品为**，其对于航天、航空、****及以便携、袖珍为主要趋势的当代封装业来讲，有先天的劣势。3第三代封装材料即是以铝碳化硅为**的产品。铝碳化硅（AlSiC）是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合，能满足多功能特性及设计要求，具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异性能，是当今芯片封装的***型材料。目前已大量应用到航空航天、新能源汽车、电力火车，微电子封装等领域。

铝碳化硅研发较早，理论描述较为完善，其主要分类一般按照碳化硅体积含量可分为高体分铝碳化硅（SiC体积比55%-75%）、中体分铝碳化硅（SiC体积比35%-55%）、低体分铝碳化硅（SiC体积比5%-35%）。从产业化趋势看，AlSiC可实现低成本的、无需进一步加工的净成形(net-shape )或需少量加工的近净成形制造，还能与高散热材料（金刚石、高热传导石墨等）的经济性并存集成，满足：大批量倒装芯片封装微波电路模块光电封装所需材料的热稳定性及散温度均匀性要求，同时也是大功率晶体管绝缘栅双极晶体管（IGBT）等器件的推荐封装材料，提供良好的热循环及可靠性。铝碳化硅已经应用于跑车及飞机、高铁发动机刹车盘。

中体分铝碳化硅（SiC体积比35%-55%）：1、性能优势及应用方向：（1）、高微屈服强度：（35%～55%）光学仪表级铝碳化硅的微屈强度服度可达（110～120）MPa水平，是国产真空热压铍材的5倍，且无毒，可确保惯性导航系统中陀螺仪有效屏蔽小幅震动，保证稳定性。（2）、高比强度、高比刚度：（35%～55%）光学仪表级铝碳化硅的高比强度特性可以降低结构件质量，实现武器装备的轻量化，高比刚度可保证零件的面型（如反射镜镜面）精度。（3）、低膨胀系数:（35%～55%）光学仪表级铝碳化硅具有低热膨胀系数（9～11）×10-6/K，可以保证结构件在较大温差变化的情况下仍保持稳定的尺寸。（4）、高导热性:（35%～55%）光学仪表级铝碳化硅具有高导热性率（｛120-180｝W/m·K），可快速散热，可避免零件过热对机能的降低。（5）、主要应用方向及**零件：可应用于航空航天及**行业中的光学反射镜、惯性导航系统零件，可替代铍材、微晶玻璃、石英玻璃等。杭州陶飞仑可根据客户产品技术要求定制化制备满足客户要求的铝碳化硅产品。湖北有什么铝碳化硅结构设计

杭州陶飞仑新材料有限公司铝碳化硅产品覆盖轻质耐磨/高精密结构件、微波电子/光电/大功率 IGBT 模块封装等。大规模铝碳化硅好选择

铝碳化硅是目前金属基复合材料中**常见、**重要的材料之一。铝碳化硅是一种颗粒增强金属基复合材料，采用Al合金作基体，按设计要求，以一定形式、比例和分布状态，用SiC颗粒作增强体，构成有明显界面的多组相复合材料，兼具单一金属不具备的综合优越性能。铝碳化硅研发较早，理论描述较为完善，其主要分类一般按照碳化硅体积含量可分为高体分铝碳化硅（SiC体积比55%-75%）、中体分铝碳化硅（SiC体积比35%-55%）、低体分铝碳化硅（SiC体积比5%-35%）。大规模铝碳化硅好选择

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