上海质量铝碳化硅量大从优

低体分铝碳化硅的**应用领域——轻量化结构件方向、耐磨方向：

早在20世纪80年代，低体分铝碳化硅就作为非主承载结构件成功地应用于飞机上，典型案例为洛克希德马丁公司生产的电子设备支架。本世纪开始，该材料作为主承载结构件在飞机上正式应用。F-18“大黄蜂”战斗机上采用铝碳化硅作为液压制动器缸体，与替代材料铝青铜相比，不仅重量减轻、膨胀系数降低，而且疲劳极限还提高一倍以上。在直升机上的应用方面，欧盟也取得了突破性进展。 高体分铝碳化硅已经用于天空二号太阳板支架中。上海质量铝碳化硅量大从优

3）、增强体SiC在基体中均匀分布的问题：按结构设计需求，使增强材料SiC均匀地分布于基体中也是铝碳化硅材料制造中的关键技术之一。尤其是在低体份铝碳化硅搅拌法、真空压力浸渗法、粉末冶金法中，SiC颗粒的团聚，以及不同尺寸SiC颗粒均匀分布为一项难点。该问题主要解决方法：①、对增强体SiC进行适当的表面处理，使其浸渍基体速度加快；②、加入适当的合金元素改善基体的分散性；③、施加适当的压力，使其分散性增大；④、施加外场(磁场,超声场等)。江苏大规模铝碳化硅常见问题杭州陶飞仑公司铝碳化硅相关方产品主要应用于航空、航天、电子、电力等多个行业。

在国内，随着AESA产品的定型，T/R模块出现批量生产需求，其基板、壳体的生产极为关键，采用近净成形技术，研制出小批量T/R模块封装外壳样品。用无压溶渗AlSiC制作基座替代W-Cu基座，封装微波功率器件，按GJB33A-97和GJB128A-97军标严格考核，器件的微波性能、热性能无变化，可完全满足应用要求，前者的重量只及W-Cu基座的 20%,且成本*为后者的1/3左右，有望在封装领域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料。国产L波段功率器件月批量生产累计上千只，实现某型号雷达***国产化、固态化，今后几年会持续批量生产，S、C波段功率模块怎样低成本生产，将涉及AlSiC封装材料的研发应用。

铝碳化硅研发较早，理论描述较为完善，其主要分类一般按照碳化硅体积含量可分为高体分铝碳化硅（SiC体积比55%-75%）、中体分铝碳化硅（SiC体积比35%-55%）、低体分铝碳化硅（SiC体积比5%-35%）。从产业化趋势看，AlSiC可实现低成本的、无需进一步加工的净成形(net-shape )或需少量加工的近净成形制造，还能与高散热材料（金刚石、高热传导石墨等）的经济性并存集成，满足：大批量倒装芯片封装微波电路模块光电封装所需材料的热稳定性及散温度均匀性要求，同时也是大功率晶体管绝缘栅双极晶体管（IGBT）等器件的推荐封装材料，提供良好的热循环及可靠性。杭州陶飞仑新材料有限公司生产的铝碳化硅热导率超过230W/m·K.

2、铝碳化硅材料成型的关键技术：由于金属所固有的物理和化学特性，其加工性能不如树脂好，在制造铝基碳化硅材料中还需解决一些关键技术，其中主要表现于：加工温度高，在高温下易发生不利的化学反应；增强材料与基体浸润性差；增强材料在基体中的分布。

（1）、高温下的不利化学反应问题：在加工过程中，为了确保基体的浸润性和流动性，需要采用很高的加工温度（往往接近或高于基体的熔点）。在高温下，基体与增强材料易发生界面反应，生成有害的反应产物Al4C3，呈脆性，会成为铝碳化硅材料整体破坏的裂纹源。因此控制复合材料的加工温度是一项关键技术。该问题主要解决方法：①、尽量缩短高温加工时间，使增强材料与基体界面反应时间降低至比较低程度；②、通过提高工作压力使增强材料与基体浸润速度加快；③、采用扩散粘接法可有效地控制温度并缩短时间。 杭州陶飞仑新材料有限公司可大批量生产高性能的铝碳化硅复合材料。北京铝碳化硅结构设计

杭州陶飞仑可根据客户产品技术要求定制化制备满足客户要求的铝碳化硅产品。上海质量铝碳化硅量大从优

a、T/R模块封装：机载雷达天线安装在飞机万向支架上，采用机电方式扫描，其发展的重要转折点是从美国F-22开始应用有源电子扫描相控阵天线AESA体制，其探测距离下表所示：图三机载雷达探测距离

APG-80捷变波束雷达、多功能机头相控阵一体化航电系统、多功能综合射频系统、综合式射频传感器系统、JSF传感器系统等，所用T/R (发/收）模块封装技术日趋成熟，每个T/R模块成本由研发初期的10万美元降至600-800美元，数年内可降至约200美元，成为机载雷达的**部分。几乎所有的美国参战飞机都有安装新的或更新AESA计划，使其作战效能进一步发挥，在多目标威胁环境中先敌发现、发射、杀伤，F-22机载AESA雷达可同时探测**目标数分别为空中30 个、地面16个、探测范围为360°全周向。 上海质量铝碳化硅量大从优

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