天津使用铝碳化硅检测技术

倒装芯片封装FCP技术优势在于能大幅度提高产品的电性能、散热效能，适合高引脚数、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能够与介电衬底、焊球阵列、低温烧结陶瓷以及印刷电路板相匹配，同时还具有髙热传导率、**度和硬度，是倒装焊盖板的理想材料，为芯片提供高可靠保护。AlSiC可制作出复杂的外形，例如，AlSiC外壳产品有多个空腔，可容纳多块芯片，用于提供器件连接支柱、填充材料的孔以及不同的凸缘设计。AlSiC外形表面支持不同的标识和表面处理方法，包括激光打印、油漆、油墨、丝网印刷、电镀，完全满足FCP工艺要求。高体分铝碳化硅用于**惯性导航台体中。天津使用铝碳化硅检测技术

此外，AlSiC可将多种电子封装材料并存集成，用作封装整体化，发展其他功能及用途。研制成功将高性能、散热快的Cu基封装材料块（Cu-金刚石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC预制件中，通过金属Al熔渗制作并存集成的封装基片。在AlSiC并存集成过程中，可在**需要的部位设置这些成本相对较高的快速散热材料，降低成本，扩大生产规模，嵌有快速散热材料的AlSiC倒装片系统正在接受测试和评估。另外，还可并存集成48号合金、Kovar和不锈钢等材料，此类材料或插件、引线、密封环、基片等，在熔渗之前插入SiC预成形件内，在AlSiC复合成形过程中，经济地完成并存集成，方便光电器件封装的激光连接。上海多功能铝碳化硅供应铝碳化硅已经应用于PW4000发动机风扇出口导叶。

铝基碳化硅(AlSiC)颗粒增强复合材料，因其具有高比强度和比刚度、低热膨胀系数、低密度、高微屈服强度、良好的尺寸稳定性、导热性以及耐磨、耐疲劳等优异的力学性能和物理性能，被用于电子封装构件材料，在大功率率IGBT 散热基板、LED封装照明、航空航天等**领域以及民用信息相控阵天线T/R模块、大功率微波产品以及宇航电源热沉载体、壳体中被广泛应用。高体分SiCp/Al复合材料中主要采用焊接的方式与器件连接，基体材料由于碳化硅颗粒的存在，导致其表面润湿性能较差，无法满足焊接功能要求，因此必须在材料表面制备可焊金属镀覆层。

5、铝碳化硅材料制机械加工技术介绍：

铝碳化硅材料，尤其是高体分铝碳化硅机械加工是产品制造中的难点环节，主要体现在铝碳化硅的高耐磨，以及加工周期长等方面。

（1）、传统机械加工技术：SiC增强体颗粒比常用的刀具(如高速钢刀具和硬质合金刀具)的硬度高的多，在机械加工的过程中会引起剧烈的刀具磨损。PCD金刚石刀具虽然比增强体颗粒的硬度高，但硬度值相差不大，在切削加工高体分的颗粒增强AlSiC复合材料时仍然会快速磨损，且PCD金刚石刀具成本更高。众多研究表明，随着SiC含量的增大(13%～70%)，可切削性越来越差，加工效率随之降低，生产成本快速增加。若以45#钢的切削性能为1计量，此种材料的切削性能*为0.05～0.3。因此，复合材料的难加工性和昂贵的加工成本限制了AlSiC复合材料的广泛应用。 高体分铝碳化硅用于空间扫描机构框架中。

IC产业的发展与其设计、测试、流片、封装等 各环节密切相联，**终在市场应用中体现价值认同，良性循环形成量产规模，实现经济效益。封装技术至关重要，尤其是***产品大多采用金属封装、陶瓷封装结构，确保器件、模块、组件、系统的整体可靠性。金属封装气密性高，散热性好，形状可多样化，有圆形、菱形、扁平形、浅腔与深腔形等，其材料难以满足当今航空航天、舰船、雷达、电子战、精确打击、天基和海基系统对大功率、微波器件封装的需求。按目前VLSI电路功耗的同一方法计算，未来的SoC芯片将达到太阳表面温度，现有的设计和封装方法已不能满足功率SoC系统的需求。AlSiC恰好首先在这一领域发挥作用，现以***为主，进而推向其他市场。铝碳化硅具有高比刚度、比强度、高尺寸稳定性、低热膨胀系数、高耐磨、耐腐蚀等优异性能。上海多功能铝碳化硅供应

高体分铝碳化硅已经用于天空二号太阳板支架中。天津使用铝碳化硅检测技术

AlSiC的典型热膨胀系数为（6～9）X10-6/K，参考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆铜板，那么三倍的差异就从本质上消除了。同时AlSiC材质的热导率可高达（180～240）W/mK(25℃)，比铝合金热导率还高50%。英飞凌试验证明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，经过上万次热循环，模块工作良好如初，焊层完好。

AlSiC材料很轻，只有铜材的1/3，和铝差不多，但抗弯强度(>300MPa)却和钢材一样好。这使其在抗震性能方面表现***，超过铜基板。因此，在高功率电子封装方面，AlSiC材料以其独特的高热导、低热膨胀系数和抗弯强度的结合优势成为不可替代的材质。 天津使用铝碳化硅检测技术

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