大规模铝碳化硅生产过程

AlSiC可制作出光电模块封装要求光学对准非常关键的复杂几何图形，精确控制图形尺寸，关键的光学对准部分无需额外的加工，保证光电器件的对接，降低成本。此外，AlSiC有优良的散热性能，能保持温度均匀性，并优化冷却器性能，改善光电器件的热管理。

AlSiC金属基复合材料正成为电子封装所需高K值以及可调的低CTE、低密度、**度与硬度的理想材料，为各种微波和微电子以及功率器件、光电器件的封装与组装提供所需的热管理，可望替代分别以Kovar和W-Cu、Mo-Cu为**的***、第二代**电子封装合金，尤其在航空航天、***及民用电子器件的封装方面需求迫切。 高体分铝碳化硅广泛应用于高铁的大功率IGBT模块中。大规模铝碳化硅生产过程

铝基碳化硅(AlSiC)颗粒增强复合材料，因其具有高比强度和比刚度、低热膨胀系数、低密度、高微屈服强度、良好的尺寸稳定性、导热性以及耐磨、耐疲劳等优异的力学性能和物理性能，被用于电子封装构件材料，在大功率率IGBT 散热基板、LED封装照明、航空航天等**领域以及民用信息相控阵天线T/R模块、大功率微波产品以及宇航电源热沉载体、壳体中被广泛应用。高体分SiCp/Al复合材料中主要采用焊接的方式与器件连接，基体材料由于碳化硅颗粒的存在，导致其表面润湿性能较差，无法满足焊接功能要求，因此必须在材料表面制备可焊金属镀覆层。河北多功能铝碳化硅量大从优杭州陶飞仑新材料有限公司生产的铝碳化硅热导率超过230W/m·K.

a、T/R模块封装：机载雷达天线安装在飞机万向支架上，采用机电方式扫描，其发展的重要转折点是从美国F-22开始应用有源电子扫描相控阵天线AESA体制，其探测距离下表所示：图三机载雷达探测距离

APG-80捷变波束雷达、多功能机头相控阵一体化航电系统、多功能综合射频系统、综合式射频传感器系统、JSF传感器系统等，所用T/R (发/收）模块封装技术日趋成熟，每个T/R模块成本由研发初期的10万美元降至600-800美元，数年内可降至约200美元，成为机载雷达的**部分。几乎所有的美国参战飞机都有安装新的或更新AESA计划，使其作战效能进一步发挥，在多目标威胁环境中先敌发现、发射、杀伤，F-22机载AESA雷达可同时探测**目标数分别为空中30 个、地面16个、探测范围为360°全周向。

铝碳化硅复合材料虽然有很多优点，但优点有时就是缺点，如铝碳化硅材料抗磨，可做赛车、飞机的刹车件，但会造成机加的成本非常高。那么，整体零件一次铸造成形，就成了铝碳化硅零件的生产特征之一。另外，因为铝碳化硅的铸造环境相当**（普通的铸造手段是无法把铝液铸造进陶瓷之中的），那么，通用的精密铸造模具材料都不可使用，如精密铸造**常见的陶瓷型壳，放到铝碳化硅的铸造环境下，铝液会铸造进型壳之中，无法打型出产品。但杭州陶飞仑新材料有限公司采用创新型工艺方法，可有效避免了此类问题的发生。杭州陶飞仑新材料有限公司生产的铝碳化硅颗粒分布均匀，无颗粒聚集情况，加工性能优异。

铝碳化硅制备技术介绍：

1、铝碳化硅材料成型技术应具备的条件：

铝碳化硅制备工艺种类较多，包含粉末冶金法、搅拌铸造法、真空压力浸渗法、原位生成法、无压浸渗法等等，使增强材料SiC均匀地分布金属基体中，满足复合材料结构和强度要求；能使复合材料界面效应、混杂效应或复合效应充分发挥；能够充分发挥增强材料对基休金属的增强、增韧效果；设备投资少，工艺简单易行，可操作性强；便于实现批量或规模生产;能制造出接近**终产品的形状，尺寸和结构，减少或避免后加工工序。 高体分铝碳化硅用于空间扫描机构框架中。天津好的铝碳化硅制定

因铝碳化硅具有轻量化、高刚度、热稳定性优异的特点，在航空、航天领域已广泛应用。大规模铝碳化硅生产过程

AlSiC的典型热膨胀系数为（6～9）X10-6/K，参考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆铜板，那么三倍的差异就从本质上消除了。同时AlSiC材质的热导率可高达（180～240）W/mK(25℃)，比铝合金热导率还高50%。英飞凌试验证明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，经过上万次热循环，模块工作良好如初，焊层完好。

AlSiC材料很轻，只有铜材的1/3，和铝差不多，但抗弯强度(>300MPa)却和钢材一样好。这使其在抗震性能方面表现***，超过铜基板。因此，在高功率电子封装方面，AlSiC材料以其独特的高热导、低热膨胀系数和抗弯强度的结合优势成为不可替代的材质。 大规模铝碳化硅生产过程

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