天津通用铝碳化硅方法

目前，常用金属封装材料与CaAs芯片的微波器件封装需求存在性能上的差距，使得研发一种新型轻质金属封装材料,满足航空航天用器件封装成为急需，引发相关部门调试重视。经过近些年来研究所和企业的深入研究，AlSiC取得了较大的产业化进展，相继推动高体分碳化硅与铝合金的复合材料SiC/Al实用化进程。将SiC与Al合金按一定比例和工艺结合成AlSiC后，可克服目前金属封装材料的不足，获得高K值、低 CTE、高比强度、低密度、导电性好的封装材料。高体分铝碳化硅广泛应用于雷达的T/R组件中。天津通用铝碳化硅方法

封装金属基复合材料的增强体有数种，SiC是其中应用**为***的一种，这是因为它具有优良的热性能，用作颗粒磨料技术成熟，价格相对较低；另一方面，颗粒增强体材料具有各向同性，**有利于实现净成形。AlSiC特性主要取决于SiC的体积分数(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依据两相比例或复合材料的热处理状态，可对材料热物理与力学性能进行设计，从而满足芯片封装多方面的性能要求。其中，SiC体积分数尤为重要，实际应用时，AlSiC与 芯片或陶瓷基体直接接触，要求CTE尽可能匹配。上海有什么铝碳化硅分类高体分铝碳化硅广泛应用于微电子的散热基板中。

3）、增强体SiC在基体中均匀分布的问题：按结构设计需求，使增强材料SiC均匀地分布于基体中也是铝碳化硅材料制造中的关键技术之一。尤其是在低体份铝碳化硅搅拌法、真空压力浸渗法、粉末冶金法中，SiC颗粒的团聚，以及不同尺寸SiC颗粒均匀分布为一项难点。该问题主要解决方法：①、对增强体SiC进行适当的表面处理，使其浸渍基体速度加快；②、加入适当的合金元素改善基体的分散性；③、施加适当的压力，使其分散性增大；④、施加外场(磁场,超声场等)。

碳化硅是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称，它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势，具有高导热性、与芯片相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻，以及高硬度和高抗弯强度，是新一代电子封装材料中的佼佼者。铝碳化硅封装材料满足了封装的轻便化、高密度化等要求，适用于航空、航天、高铁及微波等领域，是解决热学管理问题的优先材料，其可为各种微波和微电子以及功率器件、光电器件的封装与组装提供所需的热管理，新材料——铝碳化硅的应用也因此具有很大的市场潜力。低体分铝碳化硅具有塑性高、耐磨性好、加工性能优异等特点。

随着AlSiC复合材料在航空航天、汽车、***、电子、体育用具等领域的广泛应用，对其制品的加工精和表面质量的要求也越来越高，采用传统的机械加工方法或单一的特种加工方法，都难以实现高标准的加工要求。这就要求在对AlSiC复合材料的机械切削加工、激光加工、超声加工和电火花加工的加工工艺、加工机理进行研究的同时，更多地注重研究复合加工技术，尤其是超声加工与机械切削加工、电解加工、电火花加工相配合的复合加工技术的研究工作。铝碳化硅已经应用于跑车及飞机、高铁发动机刹车盘。江苏好的铝碳化硅价格多少

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铝碳化硅是目前金属基复合材料中**常见、**重要的材料之一。铝碳化硅是一种颗粒增强金属基复合材料，采用Al合金作基体，按设计要求，以一定形式、比例和分布状态，用SiC颗粒作增强体，构成有明显界面的多组相复合材料，兼具单一金属不具备的综合优越性能。铝碳化硅研发较早，理论描述较为完善，其主要分类一般按照碳化硅体积含量可分为高体分铝碳化硅（SiC体积比55%-75%）、中体分铝碳化硅（SiC体积比35%-55%）、低体分铝碳化硅（SiC体积比5%-35%）。天津通用铝碳化硅方法

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