安徽多功能铝碳化硅检测技术

铝碳化硅研发较早，理论描述较为完善，其主要分类一般按照碳化硅体积含量可分为高体分铝碳化硅（SiC体积比55%-75%）、中体分铝碳化硅（SiC体积比35%-55%）、低体分铝碳化硅（SiC体积比5%-35%）。从产业化趋势看，AlSiC可实现低成本的、无需进一步加工的净成形(net-shape )或需少量加工的近净成形制造，还能与高散热材料（金刚石、高热传导石墨等）的经济性并存集成，满足：大批量倒装芯片封装微波电路模块光电封装所需材料的热稳定性及散温度均匀性要求，同时也是大功率晶体管绝缘栅双极晶体管（IGBT）等器件的推荐封装材料，提供良好的热循环及可靠性。杭州陶飞仑制备的大尺寸结构件不仅材料性能优异，且大幅提高了材料的可加工性能。安徽多功能铝碳化硅检测技术

2、高体分铝碳化硅的主要应用领域——电子封装：高体分铝碳化硅为第三代半导体封装材料，已率先实现电子封装材料的规模产业化，满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高、使用寿命下降以及电子封装的“轻薄微小”的发展需求。尤其在航空航天、微波集成电路、功率模块、***射频系统芯片等封装方面作用极为凸显，成为封装材料应用开发的重要趋势。

（1）、封装类AlSiC特性：封装材料用作支撑和保护半导体芯片的金属底座与外壳，混合集成电路HIC的基片、底板、外壳，构成导热性能比较好，总耗散功率提高到数十瓦,全气密封性，坚固牢靠的封装结构，为芯片、HIC提供一个高可靠稳定的工作环境，具体材料性能是个优先关键问题。常用于封装的电子金属材料的主要特性如下表所示，可见封装类铝碳化硅综合性能***优于其他材料。 安徽多功能铝碳化硅检测技术低体分铝碳化硅具有塑性高、耐磨性好、加工性能优异等特点。

低体分铝碳化硅的**应用领域——轻量化结构件方向、耐磨方向：

早在20世纪80年代，低体分铝碳化硅就作为非主承载结构件成功地应用于飞机上，典型案例为洛克希德马丁公司生产的电子设备支架。本世纪开始，该材料作为主承载结构件在飞机上正式应用。F-18“大黄蜂”战斗机上采用铝碳化硅作为液压制动器缸体，与替代材料铝青铜相比，不仅重量减轻、膨胀系数降低，而且疲劳极限还提高一倍以上。在直升机上的应用方面，欧盟也取得了突破性进展。

***代以塑料、金属、陶瓷等为主的简单封装，主要的用途是将器件封装在一起，起到包封、支撑、固定、绝缘等作用，这代封装材料目前主要用于电子产品的封装。2第二代封装材料，以可伐（Kovar）合金、钨铜合金产品为**，其对于航天、航空、****及以便携、袖珍为主要趋势的当代封装业来讲，有先天的劣势。3第三代封装材料即是以铝碳化硅为**的产品。铝碳化硅（AlSiC）是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合，能满足多功能特性及设计要求，具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异性能，是当今芯片封装的***型材料。目前已大量应用到航空航天、新能源汽车、电力火车，微电子封装等领域。高体分铝碳化硅用于光学遥感卫星光学反射镜中。

AlSiC的典型热膨胀系数为（6～9）X10-6/K，参考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆铜板，那么三倍的差异就从本质上消除了。同时AlSiC材质的热导率可高达（180～240）W/mK(25℃)，比铝合金热导率还高50%。英飞凌试验证明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，经过上万次热循环，模块工作良好如初，焊层完好。

AlSiC材料很轻，只有铜材的1/3，和铝差不多，但抗弯强度(>300MPa)却和钢材一样好。这使其在抗震性能方面表现***，超过铜基板。因此，在高功率电子封装方面，AlSiC材料以其独特的高热导、低热膨胀系数和抗弯强度的结合优势成为不可替代的材质。 我司主要研制、生产低体分和高体分的金属陶瓷复合材料。多功能铝碳化硅技术规范

铝碳化硅已经应用于制动阀片。安徽多功能铝碳化硅检测技术

铝基碳化硅（AlSiC）的全称是铝基碳化硅颗粒增强复合材料，采用铝合金作为基体，按设计要求，以一定形式、比例和分布状态，用SiC颗粒作为增强体，构成有明显界面的多组相复合材料，兼具单一金属不具备的综合优越性能。它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势，具有高导热性、与芯片相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻，以及高硬度和高抗弯强度。其特性主要取决于碳化硅的体积分数（含量）及分布和粒度大小，以及铝合金成份等因素。安徽多功能铝碳化硅检测技术

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