湖北通用铝碳化硅技术规范

a、T/R模块封装：机载雷达天线安装在飞机万向支架上，采用机电方式扫描，其发展的重要转折点是从美国F-22开始应用有源电子扫描相控阵天线AESA体制，其探测距离下表所示：图三机载雷达探测距离

APG-80捷变波束雷达、多功能机头相控阵一体化航电系统、多功能综合射频系统、综合式射频传感器系统、JSF传感器系统等，所用T/R (发/收）模块封装技术日趋成熟，每个T/R模块成本由研发初期的10万美元降至600-800美元，数年内可降至约200美元，成为机载雷达的**部分。几乎所有的美国参战飞机都有安装新的或更新AESA计划，使其作战效能进一步发挥，在多目标威胁环境中先敌发现、发射、杀伤，F-22机载AESA雷达可同时探测**目标数分别为空中30 个、地面16个、探测范围为360°全周向。 高体分铝碳化硅复合材料具有强度高、高导热、低热膨胀系数等优异性能。湖北通用铝碳化硅技术规范

***代以塑料、金属、陶瓷等为主的简单封装，主要的用途是将器件封装在一起，起到包封、支撑、固定、绝缘等作用，这代封装材料目前主要用于电子产品的封装。2第二代封装材料，以可伐（Kovar）合金、钨铜合金产品为**，其对于航天、航空、****及以便携、袖珍为主要趋势的当代封装业来讲，有先天的劣势。3第三代封装材料即是以铝碳化硅为**的产品。铝碳化硅（AlSiC）是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合，能满足多功能特性及设计要求，具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异性能，是当今芯片封装的***型材料。目前已大量应用到航空航天、新能源汽车、电力火车，微电子封装等领域。陕西新型铝碳化硅行业标准铝碳化硅以其优越的热物理性能被称为第三代电子封装材料，广泛应用于电子封装领域。

熔渗法是AlSiC制备的关键，一般分为有压力渗透和无压力渗透，前者根据生产过程中压力施加的大小、方式的不同，又分为挤压熔渗、气压压力熔渗、离心熔渗铸造法等,主要特点是需要真空和高压设备，渗透时间较短，有效控制Al与SiC的界面反应，同时与精度的模具相配套，获得实用性发展。后者是将Al合金锭放置在SiC预制件上，在合金熔点以上保温，Al合金液依托毛细管力的作用自发渗入预制件中，所需设备简单，易于低成本制备，但产品的机械性能与热性能略低，对基体合金的成分有较为严格的要求，浸透需要在保护气氛中进行。粉末冶金法对SiC体积分数可在15% ~ 75%之间调节，SiC承载量大，但较难实现材料的一次成形。

杭州陶飞仑新材料有限公司是一家同时集成低、高体分铝碳化硅材料设计、材料制造（陶瓷制备、复合成型、机械加工和后处理）于一身的****。已在该方向拥有多项**。采取多孔陶瓷预制体+真空压力浸渗+机械加工的技术路径来制备铝碳化硅复合材料。具有多种技术优势，如烧结周期短（烧结周期缩短为1/4以内）、热导率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光洁度≤Ra0.01；RMS≤20nm；钻孔直径≥0.5mm、攻丝≥M2.5、ST2.5、槽宽≥0.5mm）：此外，还有多项创新储备技术将陆续产业化。杭州陶飞仑经过不断研究，创新性的开发出高效率、低成本的高体分大尺寸铝碳化硅结构件制备工艺。

此外，AlSiC可将多种电子封装材料并存集成，用作封装整体化，发展其他功能及用途。研制成功将高性能、散热快的Cu基封装材料块（Cu-金刚石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC预制件中，通过金属Al熔渗制作并存集成的封装基片。在AlSiC并存集成过程中，可在**需要的部位设置这些成本相对较高的快速散热材料，降低成本，扩大生产规模，嵌有快速散热材料的AlSiC倒装片系统正在接受测试和评估。另外，还可并存集成48号合金、Kovar和不锈钢等材料，此类材料或插件、引线、密封环、基片等，在熔渗之前插入SiC预成形件内，在AlSiC复合成形过程中，经济地完成并存集成，方便光电器件封装的激光连接。高体分铝碳化硅广泛应用于雷达的T/R组件中。湖北使用铝碳化硅哪家好

铝碳化硅已经应用于发动机缸套。湖北通用铝碳化硅技术规范

（2）、增强体SiC与基体铝浸润性差的问题：增强材料与基体浸润性差是铝碳化硅材料制造的又一关键技术，基体对增强材料浸润性差，有时根本不发生润湿现象。该问题主要解决方法：①、加入合金元素，优化基体组分，改善基体对增强体的浸润性，常用的合金元素有：镁、硅等；②、对增强材料SiC进行表面处理，涂敷一层可抑制界面反应的涂层，可有效改善其浸润性，表面涂层涂覆方法较多，如化学气相沉积，物***相沉积，溶胶－凝胶和电镀或化学镀等。湖北通用铝碳化硅技术规范

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