湖南多功能铝碳化硅分类

AlSiC可制作出光电模块封装要求光学对准非常关键的复杂几何图形，精确控制图形尺寸，关键的光学对准部分无需额外的加工，保证光电器件的对接，降低成本。此外，AlSiC有优良的散热性能，能保持温度均匀性，并优化冷却器性能，改善光电器件的热管理。

AlSiC金属基复合材料正成为电子封装所需高K值以及可调的低CTE、低密度、**度与硬度的理想材料，为各种微波和微电子以及功率器件、光电器件的封装与组装提供所需的热管理，可望替代分别以Kovar和W-Cu、Mo-Cu为**的***、第二代**电子封装合金，尤其在航空航天、***及民用电子器件的封装方面需求迫切。 杭州陶飞仑新材料有限公司可生产大尺寸的铝碳化硅结构件。湖南多功能铝碳化硅分类

IC产业的发展与其设计、测试、流片、封装等 各环节密切相联，**终在市场应用中体现价值认同，良性循环形成量产规模，实现经济效益。封装技术至关重要，尤其是***产品大多采用金属封装、陶瓷封装结构，确保器件、模块、组件、系统的整体可靠性。金属封装气密性高，散热性好，形状可多样化，有圆形、菱形、扁平形、浅腔与深腔形等，其材料难以满足当今航空航天、舰船、雷达、电子战、精确打击、天基和海基系统对大功率、微波器件封装的需求。按目前VLSI电路功耗的同一方法计算，未来的SoC芯片将达到太阳表面温度，现有的设计和封装方法已不能满足功率SoC系统的需求。AlSiC恰好首先在这一领域发挥作用，现以***为主，进而推向其他市场。好的铝碳化硅设计标准铝碳化硅已经应用于机床-主轴、导轨。

(3)、激光加工：目前国内外学者对铝基复合材料激光加工技术的研究主要集中在打孔、切割、划线和型腔加工等方面。用自行研制的机械斩光盘调脉冲激光器切割试验表明，在高峰值能量、短脉冲宽度、高脉冲频率和适当的平均功率条件下，采用高速多次重复走刀切割工艺，可以得到无裂纹的精细切口。有研究采用氧气作辅助气体，用800W的连续波CO2激光在厚度13.5mm的复合材料上加工出了直径0.72mm的无损伤深孔，深径比达18.75。有研究提出了基于裂纹加工单元的激光铣削方法，他们采用激光对复合材料进行了基于裂纹加工单元的激光铣削加工，并在零件上加工出了形状较复杂的型腔。研究结果表明，采用该方法进行激光铣削所需要的功率比通常的方法低。

铝碳化硅研发较早，理论描述较为完善，其主要分类一般按照碳化硅体积含量可分为高体分铝碳化硅（SiC体积比55%-75%）、中体分铝碳化硅（SiC体积比35%-55%）、低体分铝碳化硅（SiC体积比5%-35%）。从产业化趋势看，AlSiC可实现低成本的、无需进一步加工的净成形(net-shape )或需少量加工的近净成形制造，还能与高散热材料（金刚石、高热传导石墨等）的经济性并存集成，满足：大批量倒装芯片封装微波电路模块光电封装所需材料的热稳定性及散温度均匀性要求，同时也是大功率晶体管绝缘栅双极晶体管（IGBT）等器件的推荐封装材料，提供良好的热循环及可靠性。我司主要研制、生产低体分和高体分的金属陶瓷复合材料。

铝碳化硅是目前金属基复合材料中**常见、**重要的材料之一。铝碳化硅是一种颗粒增强金属基复合材料，采用Al合金作基体，按设计要求，以一定形式、比例和分布状态，用SiC颗粒作增强体，构成有明显界面的多组相复合材料，兼具单一金属不具备的综合优越性能。铝碳化硅研发较早，理论描述较为完善，其主要分类一般按照碳化硅体积含量可分为高体分铝碳化硅（SiC体积比55%-75%）、中体分铝碳化硅（SiC体积比35%-55%）、低体分铝碳化硅（SiC体积比5%-35%）。铝碳化硅已经应用于F16-腹鳍及蒙皮。湖北通用铝碳化硅推荐厂家

铝碳化硅可有效防止大功率元器件热失效问题。湖南多功能铝碳化硅分类

5、铝碳化硅材料制机械加工技术介绍：

铝碳化硅材料，尤其是高体分铝碳化硅机械加工是产品制造中的难点环节，主要体现在铝碳化硅的高耐磨，以及加工周期长等方面。

（1）、传统机械加工技术：SiC增强体颗粒比常用的刀具(如高速钢刀具和硬质合金刀具)的硬度高的多，在机械加工的过程中会引起剧烈的刀具磨损。PCD金刚石刀具虽然比增强体颗粒的硬度高，但硬度值相差不大，在切削加工高体分的颗粒增强AlSiC复合材料时仍然会快速磨损，且PCD金刚石刀具成本更高。众多研究表明，随着SiC含量的增大(13%～70%)，可切削性越来越差，加工效率随之降低，生产成本快速增加。若以45#钢的切削性能为1计量，此种材料的切削性能*为0.05～0.3。因此，复合材料的难加工性和昂贵的加工成本限制了AlSiC复合材料的广泛应用。 湖南多功能铝碳化硅分类

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