浙江铝碳化硅的摩擦系数

封装金属基复合材料的增强体有数种，SiC是其中应用**为***的一种，这是因为它具有优良的热性能，用作颗粒磨料技术成熟，价格相对较低；另一方面，颗粒增强体材料具有各向同性，**有利于实现净成形。AlSiC特性主要取决于SiC的体积分数(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依据两相比例或复合材料的热处理状态，可对材料热物理与力学性能进行设计，从而满足芯片封装多方面的性能要求。其中，SiC体积分数尤为重要，实际应用时，AlSiC与 芯片或陶瓷基体直接接触，要求CTE尽可能匹配。杭州陶飞仑新材料有限公司生产的铝碳化硅颗粒分布均匀，无颗粒聚集情况，加工性能优异。浙江铝碳化硅的摩擦系数

（2）、增强体SiC与基体铝浸润性差的问题：增强材料与基体浸润性差是铝碳化硅材料制造的又一关键技术，基体对增强材料浸润性差，有时根本不发生润湿现象。该问题主要解决方法：①、加入合金元素，优化基体组分，改善基体对增强体的浸润性，常用的合金元素有：镁、硅等；②、对增强材料SiC进行表面处理，涂敷一层可抑制界面反应的涂层，可有效改善其浸润性，表面涂层涂覆方法较多，如化学气相沉积，物***相沉积，溶胶－凝胶和电镀或化学镀等。湖南铝碳化硅哪家好杭州陶飞仑新材料有限公司研制的产品表面金属化焊接孔隙率小于3%。

AlSiC封装材料产业化引起国内科研院所、大学等单位的***重视，积极着手研发其净成形工艺，部分单位研制成功样品，为AlSiC工业化生产积累经验, 离规模化生产尚有一定距离，存在成本高、SiC体积含量不高、低粘度、55% ~ 75%高体积分材料的制备与浆粒原位固化技术等问题。我们公司采用创新型制备工艺，可制备50%-75%体分的铝碳化硅产品，在碳化硅预制件制备过程中，区别于氧化烧结法，所制备的碳化硅预制件无二氧化硅，对复合材料的热导率无抑制作用，极大的提高了复合材料的热导率，且极大低降低了加工成本。

大电流IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块在工作时，会产生大量的热。尤其是工作电流达到600A以上的IGBT模块。类似功率模块的封装热管理工艺中，考虑的目标是消除热结。那么，需要在芯片底部和散热器之间的热通道建设尽量畅通。铜基板具有良好的导热能力，但铜的热膨胀系数接近IGBT芯片的三倍，而且IGBT芯片陶瓷衬底的面积可高达50mmx60mm，这三倍的差异在低功率模块封装可用陶瓷覆铜板或多层陶瓷覆铜板来过渡解决。高功率模块如果用铜基板去承载芯片衬底同时在下方接合散热器的话，焊接的铜基板经受不住1000次热循环，焊接外缘就会出现分层脱离。这种情况下压接法制造出的模块，如长期在震动环境下使用，如轨道机车、电动汽车、飞机等，其可靠性会大幅下降。那么，如何牢固封装高功率IGBT模块，使其在震动、高温、粉尘等环境下可使用呢？业界的办法是采用AlSiC材料来制作IGBT基板。铝碳化硅已经应用于PW4000发动机风扇出口导叶。

(3)、激光加工：目前国内外学者对铝基复合材料激光加工技术的研究主要集中在打孔、切割、划线和型腔加工等方面。用自行研制的机械斩光盘调脉冲激光器切割试验表明，在高峰值能量、短脉冲宽度、高脉冲频率和适当的平均功率条件下，采用高速多次重复走刀切割工艺，可以得到无裂纹的精细切口。有研究采用氧气作辅助气体，用800W的连续波CO2激光在厚度13.5mm的复合材料上加工出了直径0.72mm的无损伤深孔，深径比达18.75。有研究提出了基于裂纹加工单元的激光铣削方法，他们采用激光对复合材料进行了基于裂纹加工单元的激光铣削加工，并在零件上加工出了形状较复杂的型腔。研究结果表明，采用该方法进行激光铣削所需要的功率比通常的方法低。高体分铝碳化硅广泛应用于新能源汽车的IGBT模块中。大规模铝碳化硅制定

高体分铝碳化硅用于光学遥感卫星光学反射镜中。浙江铝碳化硅的摩擦系数

AlSiC的典型热膨胀系数为（6～9）X10-6/K，参考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆铜板，那么三倍的差异就从本质上消除了。同时AlSiC材质的热导率可高达（180～240）W/mK(25℃)，比铝合金热导率还高50%。英飞凌试验证明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，经过上万次热循环，模块工作良好如初，焊层完好。

AlSiC材料很轻，只有铜材的1/3，和铝差不多，但抗弯强度(>300MPa)却和钢材一样好。这使其在抗震性能方面表现***，超过铜基板。因此，在高功率电子封装方面，AlSiC材料以其独特的高热导、低热膨胀系数和抗弯强度的结合优势成为不可替代的材质。 浙江铝碳化硅的摩擦系数

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