北京标准铝碳化硅制定

（3）、高比模量：（55%～75%）电子封装及热控元件用铝碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高热导率：（55%～75%）电子封装及热控元件用铝碳化硅热导率可达（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍，可有效地扩散热控元件的热量。（5）、主要应用方向及**零件：可同时运用于***和民用领域的热管理材料领域，**零件如***电子IGBT基板、印刷电路板（PCB）基板、封装散热底板、电子元件基座及外壳、功率放大模块外壳及底座等，可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。杭州陶飞仑新材料有限公司研制的产品表面金属化焊接孔隙率小于3%。北京标准铝碳化硅制定

铝碳化硅在T/R组件中的应用：本世纪初，美国的AlSiC年产量超过100万件，T/ R模块已经由“砖”式封装向很薄、边长5cm或更小方块形的“瓦”式封装发展，进一步降低T/R模块的尺寸、厚度、重量以及所产生的热量。欧洲防务公司、法、英、德联合开发机载AESA及T/R模块技术，研制具有1200个T/R模块全尺寸样机的试验工作，俄罗斯积极着手研制第4代战斗机用AESA雷达，以色列、瑞典研制出轻型机载AESA预警雷达，机载AESA及 T/R模块市场持续升温。使用铝碳化硅设计因铝碳化硅具有轻量化、高刚度、热稳定性优异的特点，在航空、航天领域已广泛应用。

(3)、激光加工：目前国内外学者对铝基复合材料激光加工技术的研究主要集中在打孔、切割、划线和型腔加工等方面。用自行研制的机械斩光盘调脉冲激光器切割试验表明，在高峰值能量、短脉冲宽度、高脉冲频率和适当的平均功率条件下，采用高速多次重复走刀切割工艺，可以得到无裂纹的精细切口。有研究采用氧气作辅助气体，用800W的连续波CO2激光在厚度13.5mm的复合材料上加工出了直径0.72mm的无损伤深孔，深径比达18.75。有研究提出了基于裂纹加工单元的激光铣削方法，他们采用激光对复合材料进行了基于裂纹加工单元的激光铣削加工，并在零件上加工出了形状较复杂的型腔。研究结果表明，采用该方法进行激光铣削所需要的功率比通常的方法低。

杭州陶飞仑新材料有限公司是一家同时集成低、高体分铝碳化硅材料设计、材料制造（陶瓷制备、复合成型、机械加工和后处理）于一身的****。已在该方向拥有多项**。采取多孔陶瓷预制体+真空压力浸渗+机械加工的技术路径来制备铝碳化硅复合材料。具有多种技术优势，如烧结周期短（烧结周期缩短为1/4以内）、热导率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光洁度≤Ra0.01；RMS≤20nm；钻孔直径≥0.5mm、攻丝≥M2.5、ST2.5、槽宽≥0.5mm）：此外，还有多项创新储备技术将陆续产业化。铝碳化硅已经应用于飞机的油箱口盖。

铝碳化硅制备技术介绍：

1、铝碳化硅材料成型技术应具备的条件：

铝碳化硅制备工艺种类较多，包含粉末冶金法、搅拌铸造法、真空压力浸渗法、原位生成法、无压浸渗法等等，使增强材料SiC均匀地分布金属基体中，满足复合材料结构和强度要求；能使复合材料界面效应、混杂效应或复合效应充分发挥；能够充分发挥增强材料对基休金属的增强、增韧效果；设备投资少，工艺简单易行，可操作性强；便于实现批量或规模生产;能制造出接近**终产品的形状，尺寸和结构，减少或避免后加工工序。 铝碳化硅已经应用于制动阀片。北京标准铝碳化硅制定

高体分铝碳化硅广泛应用于雷达的T/R组件中。北京标准铝碳化硅制定

目前，常用金属封装材料与CaAs芯片的微波器件封装需求存在性能上的差距，使得研发一种新型轻质金属封装材料,满足航空航天用器件封装成为急需，引发相关部门调试重视。经过近些年来研究所和企业的深入研究，AlSiC取得了较大的产业化进展，相继推动高体分碳化硅与铝合金的复合材料SiC/Al实用化进程。将SiC与Al合金按一定比例和工艺结合成AlSiC后，可克服目前金属封装材料的不足，获得高K值、低 CTE、高比强度、低密度、导电性好的封装材料。北京标准铝碳化硅制定

杭州陶飞仑新材料有限公司致力于电子元器件，是一家生产型的公司。公司业务分为铝碳化硅，铝碳化硼，铜碳化硅，碳化硅陶瓷等，目前不断进行创新和服务改进，为客户提供良好的产品和服务。公司注重以质量为中心，以服务为理念，秉持诚信为本的理念，打造电子元器件良好品牌。陶飞仑新材料立足于全国市场，依托强大的研发实力，融合前沿的技术理念，飞快响应客户的变化需求。