安徽质量碳化硅预制件产业化

铝碳化硅（AlSiC）复合材料是大功率IGBT封装的理想材料，目前先进制备技术主要被美日系企业垄断，国内厂商面临**、制造水平、加工技术等多方面的壁垒，国内大功率IGBT封装用AlSiC产品主要依赖于从日本进口。受国内政策支持影响，近年来出现了一批AlSiC复合材料制备的企业，虽然他们在铝碳化硅复合材料制备技术上取得了较大的发展和进步，但主要集中在复合材料结构件和低体分（≤40%）制造方面，大功率IGBT用高体分（≥55%）的AlSiC复合材料存在加工精度低和焊接性能差的技术壁垒问题并没有得到有效解决。杭州陶飞仑新材料有相似生产的多孔陶瓷预制体可有效提高复合材料的成品率。安徽质量碳化硅预制件产业化

根据新思界产业研究员认为的，随着电子制造技术的不断进步，***、二代材料越来越无法满足当代电子封装的需求，以铝碳化硅及铝硅为**的第三代封装材料已成为主流，国内已于2013年实现了铝碳化硅技术的突破，随着新能源汽车的发展，国内对铝碳化硅复合材料的需求迅速增加，其中2018年国内铝碳化硅市场增速达到57.2%。按照相关数据显示，预计2023年国内铝碳化硅复合材料市场的年增幅可稳定在50%以上，可发展为细分市场中的百亿级规模。山西好的碳化硅预制件碳化硅多孔陶瓷密度、孔隙率、体份、抗弯强度等性能检测方法多种，检测精度不同，检测结果存在一定差异。

3D打印法制备多孔碳化硅陶瓷是近些年发展起来的一种新型制备工艺。该工艺借助于计算机辅助设计的三维数据模型，通过打印头喷射结合剂将原料粉体层层堆叠成三维网状结构。3D打印法与反应烧结工艺相结合，可实现复杂形状陶瓷的无模制造与近净尺寸成型。[7]3D打印法制备多孔碳化硅陶瓷具有成型工艺简单、制备和加工效率高且无需模具等特点，不仅可用来制备形状复杂、显微结构均匀和孔连通性好的多孔碳化硅陶瓷，而且多孔陶瓷的孔隙率和孔径大小均可控可调。但是，该方法目前仍处于探索研究阶段，工艺参数还需进一步优化。另外，该方法很难一步制备出**度的多孔碳化硅陶瓷，需要辅助其他工艺来制备所需制品，成本较高。

在强碳-硅共价键作用下，SiC多孔陶瓷具有机械强度大，耐酸碱腐蚀性和抗热震性好的特点，其在高温烟气除尘、水处理和气体分离等方面有着***的应用前景，而且与氧化物陶瓷膜和有机膜相比，SiC有着更优异的抗污染性能。然而，SiC陶瓷烧结温度高，纯质SiC烧结温度通常需要高达2000℃。添加烧结助剂可以有效降低SiC的烧成温度，常用的烧结助剂主要包括金属氧化物或以金属氧化物为主要成分的硅酸盐材料，如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金属氧化物，高岭土、黏土和铝土矿等矿物质。杭州陶飞仑研制的碳化硅陶瓷预制件无颗粒聚集缺陷。

多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔结构，它的多孔结构包含气孔率、孔径大小及分布、孔的形状等。因此需要通过制备方法来调控其孔隙率、孔径大小及分布、孔的形状来得到所需的多孔结构。所以，它的制备方法一直是人们的研究重点。物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是由制备过程中的一系列物理现象导致的，并没有化学反应的发生或新物质的生成。其主要机理是依靠固相物质的受热收缩、液相的蒸发、固相的直接升华而留下的空隙而形成多孔结构。采用颗粒堆积烧结法也称为固态烧结法，其成孔是通过颗粒堆积留下空隙形成气孔。山西优势碳化硅预制件发展趋势

杭州陶飞仑生产的碳化硅多孔陶瓷预制体具有良好的加工性能。安徽质量碳化硅预制件产业化

有机泡沫浸渍法是利用有机泡沫作模板，将调制好的陶瓷浆料均匀涂覆在模板上或将模板浸入浆料中，排除空气，使浆料均匀附着在有机泡沫模板上，然后经干燥高温烧结去除有机模板，从而制得多孔陶瓷的方法。该方法比较大的缺点则是无法制备出小孔径闭口气孔制品，形状受限制且预制体的性能受原材料的影响较大，所制备的多孔陶瓷材料的密度和强度也不易控制。多孔碳化硅陶瓷作为新型陶瓷材料，其应用日益***的同时，其制备技术必会进一步得到重视，尤其是在内部结构方面要做到精细控制，这样我们才能够精细的调控多孔碳化硅陶瓷性能。安徽质量碳化硅预制件产业化

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