湖南质量铝碳化硅好选择

时间:2022年01月09日 来源:

低体分铝碳化硅的**应用领域——轻量化结构件方向、耐磨方向:

早在20世纪80年代,低体分铝碳化硅就作为非主承载结构件成功地应用于飞机上,典型案例为洛克希德马丁公司生产的电子设备支架。本世纪开始,该材料作为主承载结构件在飞机上正式应用。F-18“大黄蜂”战斗机上采用铝碳化硅作为液压制动器缸体,与替代材料铝青铜相比,不仅重量减轻、膨胀系数降低,而且疲劳极限还提高一倍以上。在直升机上的应用方面,欧盟也取得了突破性进展。 杭州陶飞仑新材料有限公司生产的铝碳化硅热膨胀系数较低,比刚度较高。湖南质量铝碳化硅好选择

5、铝碳化硅材料制机械加工技术介绍:

铝碳化硅材料,尤其是高体分铝碳化硅机械加工是产品制造中的难点环节,主要体现在铝碳化硅的高耐磨,以及加工周期长等方面。

(1)、传统机械加工技术:SiC增强体颗粒比常用的刀具(如高速钢刀具和硬质合金刀具)的硬度高的多,在机械加工的过程中会引起剧烈的刀具磨损。PCD金刚石刀具虽然比增强体颗粒的硬度高,但硬度值相差不大,在切削加工高体分的颗粒增强AlSiC复合材料时仍然会快速磨损,且PCD金刚石刀具成本更高。众多研究表明,随着SiC含量的增大(13%~70%),可切削性越来越差,加工效率随之降低,生产成本快速增加。若以45#钢的切削性能为1计量,此种材料的切削性能*为0.05~0.3。因此,复合材料的难加工性和昂贵的加工成本限制了AlSiC复合材料的广泛应用。 安徽使用铝碳化硅包括哪些杭州陶飞仑新材料有限公司铝碳化硅产品覆盖轻质耐磨/高精密结构件、微波电子/光电/大功率 IGBT 模块封装等。

铝基碳化硅(AlSiC)的全称是铝基碳化硅颗粒增强复合材料,采用铝合金作为基体,按设计要求,以一定形式、比例和分布状态,用SiC颗粒作为增强体,构成有明显界面的多组相复合材料,兼具单一金属不具备的综合优越性能。它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势,具有高导热性、与芯片相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻,以及高硬度和高抗弯强度。其特性主要取决于碳化硅的体积分数(含量)及分布和粒度大小,以及铝合金成份等因素。

3)、增强体SiC在基体中均匀分布的问题:按结构设计需求,使增强材料SiC均匀地分布于基体中也是铝碳化硅材料制造中的关键技术之一。尤其是在低体份铝碳化硅搅拌法、真空压力浸渗法、粉末冶金法中,SiC颗粒的团聚,以及不同尺寸SiC颗粒均匀分布为一项难点。该问题主要解决方法:①、对增强体SiC进行适当的表面处理,使其浸渍基体速度加快;②、加入适当的合金元素改善基体的分散性;③、施加适当的压力,使其分散性增大;④、施加外场(磁场,超声场等)。铝碳化硅以其优越的热物理性能被称为第三代电子封装材料,广泛应用于电子封装领域。

在长期使用中,许多封装尺寸、外形都已标准化、系列化,存在的主要缺陷是无法适应高性能芯片封装要求。例如,Kovar ( 一种Fe-Co-Vi合金)和Invar (一种Fe-Ni合金)的CTE低,与芯片材料相近,但其K值差、密度高、比刚度低,无法***满足电子封装小型化、高密度、热量易散发的应用需求。合金是由两种或两种以上的金属元素或金属与非金属元素所组成的金属材料,具有其综合的优势性能。随之发展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在热传导方面优于Kovar,但其密度大于Kovar,仍不适合用作航空航天所需轻质的器件封装材料。杭州陶飞仑新材料有限公司可对铝碳化硅表面进行功能多元化设计。标准铝碳化硅技术规范

高体分铝碳化硅广泛应用于新能源汽车的IGBT模块中。湖南质量铝碳化硅好选择

二、高体分铝碳化硅(SiC体积比55%-75%)材料介绍与应用1、性能优势及应用方向:(1)、低密度:(55%~75%)电子封装及热控元件用铝碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右,密度**低于W/Cu合金({11~18}g/cm3)、Mo/Cu合金({9~10}g/cm3)和Kovar合金(8.3g/cm3),可有效减重。以替代W/Cu合金用作雷达微波功率管封装底座为例,在同样的强度和刚度条件下,可减重高达80%以上。(2)、低膨胀系数:(55%~75%)电子封装及热控元件用铝碳化硅膨胀系数一般为(6~9)×10-6m/℃(-60℃~200℃),远低于W/Cu合金({7~13}×10-6/K)、Mo/Cu合金({7~13}×10-6/K)等传统封装材料,与Si、GaAs、AlN等无机陶瓷基片材料热匹配良好。湖南质量铝碳化硅好选择

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