湖南新型铝碳化硅设备
铝碳化硅在T/R组件中的应用:本世纪初,美国的AlSiC年产量超过100万件,T/ R模块已经由“砖”式封装向很薄、边长5cm或更小方块形的“瓦”式封装发展,进一步降低T/R模块的尺寸、厚度、重量以及所产生的热量。欧洲防务公司、法、英、德联合开发机载AESA及T/R模块技术,研制具有1200个T/R模块全尺寸样机的试验工作,俄罗斯积极着手研制第4代战斗机用AESA雷达,以色列、瑞典研制出轻型机载AESA预警雷达,机载AESA及 T/R模块市场持续升温。杭州陶飞仑致力于新型特种陶瓷、金属陶瓷复合材料的研发、生产、销售和技术服务为一体的高科技企业。湖南新型铝碳化硅设备
目前,铝碳化硅制备工艺中,在制备55vol%~ 75vol% SiC高含量的封装用AlSiC产品时多采用熔渗法,其实质是粉末冶金法的延伸。它通过先制备一定密度、强度的多孔碳化硅基体预制件,再渗以熔点比其低的金属填充预制件,其理论基础是在金属液润湿多孔基体时,在毛细管力作用下,金属液会沿颗粒间隙流动填充多孔预制作孔隙,脱模无需机械加工,在其表面上覆盖有一层0.13mm-0.25mm厚的完美铝层,按用途电镀上Ni、Au、Cd、Ag等,供封装使用。天津多功能铝碳化硅制定杭州陶飞仑新材料有限公司可大批量生产高性能的铝碳化硅复合材料。
IC产业的发展与其设计、测试、流片、封装等 各环节密切相联,**终在市场应用中体现价值认同,良性循环形成量产规模,实现经济效益。封装技术至关重要,尤其是***产品大多采用金属封装、陶瓷封装结构,确保器件、模块、组件、系统的整体可靠性。金属封装气密性高,散热性好,形状可多样化,有圆形、菱形、扁平形、浅腔与深腔形等,其材料难以满足当今航空航天、舰船、雷达、电子战、精确打击、天基和海基系统对大功率、微波器件封装的需求。按目前VLSI电路功耗的同一方法计算,未来的SoC芯片将达到太阳表面温度,现有的设计和封装方法已不能满足功率SoC系统的需求。AlSiC恰好首先在这一领域发挥作用,现以***为主,进而推向其他市场。
2、铝碳化硅材料成型的关键技术:由于金属所固有的物理和化学特性,其加工性能不如树脂好,在制造铝基碳化硅材料中还需解决一些关键技术,其中主要表现于:加工温度高,在高温下易发生不利的化学反应;增强材料与基体浸润性差;增强材料在基体中的分布。
(1)、高温下的不利化学反应问题:在加工过程中,为了确保基体的浸润性和流动性,需要采用很高的加工温度(往往接近或高于基体的熔点)。在高温下,基体与增强材料易发生界面反应,生成有害的反应产物Al4C3,呈脆性,会成为铝碳化硅材料整体破坏的裂纹源。因此控制复合材料的加工温度是一项关键技术。该问题主要解决方法:①、尽量缩短高温加工时间,使增强材料与基体界面反应时间降低至比较低程度;②、通过提高工作压力使增强材料与基体浸润速度加快;③、采用扩散粘接法可有效地控制温度并缩短时间。 铝碳化硅已经应用于跑车及飞机、高铁发动机刹车盘。
铝碳化硅研发较早,理论描述较为完善,其主要分类一般按照碳化硅体积含量可分为高体分铝碳化硅(SiC体积比55%-75%)、中体分铝碳化硅(SiC体积比35%-55%)、低体分铝碳化硅(SiC体积比5%-35%)。从产业化趋势看,AlSiC可实现低成本的、无需进一步加工的净成形(net-shape )或需少量加工的近净成形制造,还能与高散热材料(金刚石、高热传导石墨等)的经济性并存集成,满足:大批量倒装芯片封装微波电路模块光电封装所需材料的热稳定性及散温度均匀性要求,同时也是大功率晶体管绝缘栅双极晶体管(IGBT)等器件的推荐封装材料,提供良好的热循环及可靠性。高体分铝碳化硅用于**惯性导航台体中。河南优势铝碳化硅行业标准
高体分铝碳化硅生产工艺流程多采用真空压力浸渗法。湖南新型铝碳化硅设备
中体分铝碳化硅的功能化特性比较突出,即不仅具有比铝合金和钛合金高出一倍的比刚度,还有着与铍材及钢材接近的低膨胀系数和优于铍材的尺寸稳定性。因此,其可替代铍材用作惯性导航系统器件,被誉为“第三代航空航天惯性器件材料”。其已被正式用于美国某型号惯性环形激光陀螺制导系统,并已形成美国的国军标(MIL-M-46196)。此外,还替代铍材被成功地用于三叉戟导弹的惯性导航向地球及其惯性测量单元(IMU)的检查口盖,并取得比铍材的成本低三分之二的效果。微屈服(MYS)是表征材料尺寸稳定性的主要指标,而该种复合材料的微屈服度为118MPa,该值是国产真空热压铍材的5倍,且已超过美国布拉什公司研制的高尺寸稳定性新型光学仪表级**I-250铍材。湖南新型铝碳化硅设备
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