河北使用铝碳化硅设备

时间:2022年01月11日 来源:

铝基碳化硅(AlSiC)的全称是铝基碳化硅颗粒增强复合材料,采用铝合金作为基体,按设计要求,以一定形式、比例和分布状态,用SiC颗粒作为增强体,构成有明显界面的多组相复合材料,兼具单一金属不具备的综合优越性能。它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势,具有高导热性、与芯片相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻,以及高硬度和高抗弯强度。其特性主要取决于碳化硅的体积分数(含量)及分布和粒度大小,以及铝合金成份等因素。铝碳化硅可有效防止大功率元器件热失效问题。河北使用铝碳化硅设备

(4)、超声加工:

超声加工(USM)是指将超声波和数控加工中心相互结合,在数控加工中心上由超声发生器产生高频电振荡(一般为16kHz~25kHz),施加于超声换能器上,将高频电振荡转换成超声频振动。超声振动通过变幅杆放大振幅,并驱动以一定的静压力压在工件表面上的工具产生相应频率的振动。工具端部通过磨料不断地捶击工件,使加工区的工件材料粉碎成很细的微粒,被循环的磨料悬浮液带走,工具便逐渐进入到工件中,从而加工出与工具相应的形状。 河北大规模铝碳化硅联系人铝碳化硅已经应用于机床-主轴、导轨。

二、高体分铝碳化硅(SiC体积比55%-75%)材料介绍与应用1、性能优势及应用方向:(1)、低密度:(55%~75%)电子封装及热控元件用铝碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右,密度**低于W/Cu合金({11~18}g/cm3)、Mo/Cu合金({9~10}g/cm3)和Kovar合金(8.3g/cm3),可有效减重。以替代W/Cu合金用作雷达微波功率管封装底座为例,在同样的强度和刚度条件下,可减重高达80%以上。(2)、低膨胀系数:(55%~75%)电子封装及热控元件用铝碳化硅膨胀系数一般为(6~9)×10-6m/℃(-60℃~200℃),远低于W/Cu合金({7~13}×10-6/K)、Mo/Cu合金({7~13}×10-6/K)等传统封装材料,与Si、GaAs、AlN等无机陶瓷基片材料热匹配良好。

3)、增强体SiC在基体中均匀分布的问题:按结构设计需求,使增强材料SiC均匀地分布于基体中也是铝碳化硅材料制造中的关键技术之一。尤其是在低体份铝碳化硅搅拌法、真空压力浸渗法、粉末冶金法中,SiC颗粒的团聚,以及不同尺寸SiC颗粒均匀分布为一项难点。该问题主要解决方法:①、对增强体SiC进行适当的表面处理,使其浸渍基体速度加快;②、加入适当的合金元素改善基体的分散性;③、施加适当的压力,使其分散性增大;④、施加外场(磁场,超声场等)。杭州陶飞仑可根据客户产品技术要求定制化制备满足客户要求的铝碳化硅产品。

铝碳化硅研发较早,理论描述较为完善,其主要分类一般按照碳化硅体积含量可分为高体分铝碳化硅(SiC体积比55%-75%)、中体分铝碳化硅(SiC体积比35%-55%)、低体分铝碳化硅(SiC体积比5%-35%)。从产业化趋势看,AlSiC可实现低成本的、无需进一步加工的净成形(net-shape )或需少量加工的近净成形制造,还能与高散热材料(金刚石、高热传导石墨等)的经济性并存集成,满足:大批量倒装芯片封装微波电路模块光电封装所需材料的热稳定性及散温度均匀性要求,同时也是大功率晶体管绝缘栅双极晶体管(IGBT)等器件的推荐封装材料,提供良好的热循环及可靠性。铝碳化硅已经应用于F16-腹鳍及蒙皮。河北大规模铝碳化硅联系人

杭州陶飞仑新材料有限公司生产的铝碳化硅颗粒分布均匀,无颗粒聚集情况,加工性能优异。河北使用铝碳化硅设备

杭州陶飞仑新材料有限公司是一家同时集成低、高体分铝碳化硅材料设计、材料制造(陶瓷制备、复合成型、机械加工和后处理)于一身的****。已在该方向拥有多项**。采取多孔陶瓷预制体+真空压力浸渗+机械加工的技术路径来制备铝碳化硅复合材料。具有多种技术优势,如烧结周期短(烧结周期缩短为1/4以内)、热导率高、高速成型、高精密加工(尺寸精度±0.005mm;平行度、垂直度、平面度±5μm;表面光洁度≤Ra0.01;RMS≤20nm;钻孔直径≥0.5mm、攻丝≥M2.5、ST2.5、槽宽≥0.5mm):此外,还有多项创新储备技术将陆续产业化。河北使用铝碳化硅设备

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