浙江铝碳化硅基板和铜基板

a、T/R模块封装：机载雷达天线安装在飞机万向支架上，采用机电方式扫描，其发展的重要转折点是从美国F-22开始应用有源电子扫描相控阵天线AESA体制，其探测距离下表所示：图三机载雷达探测距离

APG-80捷变波束雷达、多功能机头相控阵一体化航电系统、多功能综合射频系统、综合式射频传感器系统、JSF传感器系统等，所用T/R (发/收）模块封装技术日趋成熟，每个T/R模块成本由研发初期的10万美元降至600-800美元，数年内可降至约200美元，成为机载雷达的**部分。几乎所有的美国参战飞机都有安装新的或更新AESA计划，使其作战效能进一步发挥，在多目标威胁环境中先敌发现、发射、杀伤，F-22机载AESA雷达可同时探测**目标数分别为空中30 个、地面16个、探测范围为360°全周向。 杭州陶飞仑新材料有限公司生产的铝碳化硅热导率超过230W/m·K.浙江铝碳化硅基板和铜基板

（2）、增强体SiC与基体铝浸润性差的问题：增强材料与基体浸润性差是铝碳化硅材料制造的又一关键技术，基体对增强材料浸润性差，有时根本不发生润湿现象。该问题主要解决方法：①、加入合金元素，优化基体组分，改善基体对增强体的浸润性，常用的合金元素有：镁、硅等；②、对增强材料SiC进行表面处理，涂敷一层可抑制界面反应的涂层，可有效改善其浸润性，表面涂层涂覆方法较多，如化学气相沉积，物***相沉积，溶胶－凝胶和电镀或化学镀等。湖北通用铝碳化硅制定杭州陶飞仑可根据客户产品技术要求定制化制备满足客户要求的铝碳化硅产品。

（3）、高比模量：（55%～75%）电子封装及热控元件用铝碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高热导率：（55%～75%）电子封装及热控元件用铝碳化硅热导率可达（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍，可有效地扩散热控元件的热量。（5）、主要应用方向及**零件：可同时运用于***和民用领域的热管理材料领域，**零件如***电子IGBT基板、印刷电路板（PCB）基板、封装散热底板、电子元件基座及外壳、功率放大模块外壳及底座等，可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。

封装金属基复合材料的增强体有数种，SiC是其中应用**为***的一种，这是因为它具有优良的热性能，用作颗粒磨料技术成熟，价格相对较低；另一方面，颗粒增强体材料具有各向同性，**有利于实现净成形。AlSiC特性主要取决于SiC的体积分数(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依据两相比例或复合材料的热处理状态，可对材料热物理与力学性能进行设计，从而满足芯片封装多方面的性能要求。其中，SiC体积分数尤为重要，实际应用时，AlSiC与 芯片或陶瓷基体直接接触，要求CTE尽可能匹配。杭州陶飞仑新材料有限公司生产的铝碳化硅热膨胀系数较低，比刚度较高。

铝基碳化硅（AlSiC）的全称是铝基碳化硅颗粒增强复合材料，采用铝合金作为基体，按设计要求，以一定形式、比例和分布状态，用SiC颗粒作为增强体，构成有明显界面的多组相复合材料，兼具单一金属不具备的综合优越性能。它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势，具有高导热性、与芯片相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻，以及高硬度和高抗弯强度。其特性主要取决于碳化硅的体积分数（含量）及分布和粒度大小，以及铝合金成份等因素。铝碳化硅已经应用于制动阀片。浙江铝碳化硅基板和铜基板

铝碳化硅可以应用于轨道交通转向架-框架。浙江铝碳化硅基板和铜基板

二、高体分铝碳化硅（SiC体积比55%-75%）材料介绍与应用1、性能优势及应用方向：（1）、低密度：（55%～75%）电子封装及热控元件用铝碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～10｝g/cm3）和Kovar合金（8.3g/cm3），可有效减重。以替代W/Cu合金用作雷达微波功率管封装底座为例，在同样的强度和刚度条件下，可减重高达80%以上。（2）、低膨胀系数：（55%～75%）电子封装及热控元件用铝碳化硅膨胀系数一般为（6～9）×10-6m/℃（-60℃～200℃），远低于W/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）、Mo/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）等传统封装材料，与Si、GaAs、AlN等无机陶瓷基片材料热匹配良好。浙江铝碳化硅基板和铜基板

杭州陶飞仑新材料有限公司致力于电子元器件，是一家生产型公司。公司业务涵盖铝碳化硅，铝碳化硼，铜碳化硅，碳化硅陶瓷等，价格合理，品质有保证。公司注重以质量为中心，以服务为理念，秉持诚信为本的理念，打造电子元器件良好品牌。在社会各界的鼎力支持下，持续创新，不断铸造***服务体验，为客户成功提供坚实有力的支持。