上海铝碳化硅设计

时间:2022年06月16日 来源:

AlSiC的典型热膨胀系数为(6~9)X10-6/K,参考芯片的6X 10-6/K,如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆铜板,那么三倍的差异就从本质上消除了。同时AlSiC材质的热导率可高达(180~240)W/mK(25℃),比铝合金热导率还高50%。英飞凌试验证明,采用AlSiC材料制作的IGBT基板,经过上万次热循环,模块工作良好如初,焊层完好。

AlSiC材料很轻,只有铜材的1/3,和铝差不多,但抗弯强度(>300MPa)却和钢材一样好。这使其在抗震性能方面表现***,超过铜基板。因此,在高功率电子封装方面,AlSiC材料以其独特的高热导、低热膨胀系数和抗弯强度的结合优势成为不可替代的材质。 高体分铝碳化硅广泛应用于微波处理器的盖板中。上海铝碳化硅设计

铝碳化硅在T/R组件中的应用:本世纪初,美国的AlSiC年产量超过100万件,T/ R模块已经由“砖”式封装向很薄、边长5cm或更小方块形的“瓦”式封装发展,进一步降低T/R模块的尺寸、厚度、重量以及所产生的热量。欧洲防务公司、法、英、德联合开发机载AESA及T/R模块技术,研制具有1200个T/R模块全尺寸样机的试验工作,俄罗斯积极着手研制第4代战斗机用AESA雷达,以色列、瑞典研制出轻型机载AESA预警雷达,机载AESA及 T/R模块市场持续升温。浙江铝碳化硅材料性质杭州陶飞仑新材料有限公司生产的铝碳化硅颗粒分布均匀,无颗粒聚集情况,加工性能优异。

(3)、高比模量:(55%~75%)电子封装及热控元件用铝碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。(4)、高热导率:(55%~75%)电子封装及热控元件用铝碳化硅热导率可达(180~240)W/m·K,比Kovar合金提升了(8~9)倍,可有效地扩散热控元件的热量。(5)、主要应用方向及**零件:可同时运用于***和民用领域的热管理材料领域,**零件如***电子IGBT基板、印刷电路板(PCB)基板、封装散热底板、电子元件基座及外壳、功率放大模块外壳及底座等,可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。

铝碳化硅是目前金属基复合材料中常见、重要的材料之一。铝碳化硅是一种颗粒增强金属基复合材料,采用Al合金作基体,按设计要求,以一定形式、比例和分布状态,用SiC颗粒作增强体,构成有明显界面的多组相复合材料,兼具单一金属不具备的综合优越性能。铝碳化硅研发较早,理论描述较为完善,其主要分类一般按照碳化硅体积含量可分为高体分铝碳化硅(SiC体积比55%-75%)、中体分铝碳化硅(SiC体积比35%-55%)、低体分铝碳化硅(SiC体积比5%-35%)。高体分铝碳化硅广泛应用于微电子的散热基板中。

2、铝碳化硅材料成型的关键技术:由于金属所固有的物理和化学特性,其加工性能不如树脂好,在制造铝基碳化硅材料中还需解决一些关键技术,其中主要表现于:加工温度高,在高温下易发生不利的化学反应;增强材料与基体浸润性差;增强材料在基体中的分布。

(1)、高温下的不利化学反应问题:在加工过程中,为了确保基体的浸润性和流动性,需要采用很高的加工温度(往往接近或高于基体的熔点)。在高温下,基体与增强材料易发生界面反应,生成有害的反应产物Al4C3,呈脆性,会成为铝碳化硅材料整体破坏的裂纹源。因此控制复合材料的加工温度是一项关键技术。该问题主要解决方法:①、尽量缩短高温加工时间,使增强材料与基体界面反应时间降低至比较低程度;②、通过提高工作压力使增强材料与基体浸润速度加快;③、采用扩散粘接法可有效地控制温度并缩短时间。 铝碳化硅具有高比刚度、比强度、高尺寸稳定性、低热膨胀系数、高耐磨、耐腐蚀等优异性能。浙江优势铝碳化硅常见问题

铝碳化硅已经应用于跑车及飞机、高铁发动机刹车盘。上海铝碳化硅设计

***代以塑料、金属、陶瓷等为主的简单封装,主要的用途是将器件封装在一起,起到包封、支撑、固定、绝缘等作用,这代封装材料目前主要用于电子产品的封装。2第二代封装材料,以可伐(Kovar)合金、钨铜合金产品为**,其对于航天、航空、****及以便携、袖珍为主要趋势的当代封装业来讲,有先天的劣势。3第三代封装材料即是以铝碳化硅为**的产品。铝碳化硅(AlSiC)是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合,能满足多功能特性及设计要求,具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异性能,是当今芯片封装的***型材料。目前已大量应用到航空航天、新能源汽车、电力火车,微电子封装等领域。上海铝碳化硅设计

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