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氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能，是近年来受到普遍关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有普遍的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。在电子工业中的应用潜力非常巨大。另外氮化铝还耐高温，耐腐蚀，不为多种熔融金属和融盐所浸润。因此，可用作高级耐火材料和坩埚材料也可用作防腐蚀涂层，如腐蚀性物质的容器和处理器的里衬等，粉末还可作为添加剂加入各种金属或非金属中来改善这些材料的性能，高纯度的氮化铝陶瓷呈透明状，可用作电子光学器件，还具有优良的耐磨耗性能，可用作研磨材料和耐磨损零件。由于具有优良的热、电、力学性能，氮化铝陶瓷引起了国内外研究者的普遍关注。随着现代科学技术的飞速发展，对所用材料的性能提出了更高的要求。氮化铝陶瓷也必将在许多领域得到更为普遍的应用。氧化铝含量越多，越能发挥氧化铝的固有特性，性能愈好，但制造上也随氧化铝含量增加而变得困难。大连耐热绝缘陶瓷厂家推荐

氮化硅陶瓷制备方法——热压烧结法（ HPS)：是将Si3N4 粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的压强和1600 ℃以上的温度进行热压成型烧结。英国和美国的一些公司采用的热压烧结Si3N4 陶瓷，其强度高达981MPa以上。烧结时添加物和物相组成对产品性能有很大的影响。由于严格控制晶界相的组成，以及在Si3N4 陶瓷烧结后进行适当的热处理，所以可以获得即使温度高达1300 ℃时强度（可达490MPa以上）也不会明显下降的Si3N4系陶瓷材料，而且抗蠕变性可提高三个数量级。若对Si3N4 陶瓷材料进行1400———1500 ℃高温预氧化处理，则在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能明显提高Si3N4 陶瓷的耐氧化性和高温强度。热压烧结法生产的Si3N4 陶瓷的机械性能比反应烧结的Si3N4 要优异，强度高、密度大。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件，只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。大连真空绝缘陶瓷销售厂家普通型氧化铝陶瓷系按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种。

氧化铝陶瓷较常用的成型技术——干压成型法：该成形技术形状简单，较少于内部厚度超过1mm、直径和长度在4:1以下的工件。方法分为单轴方向和双轴方向两种，压力机分为机械室压力机和液压式压力机，有全自动和半自动的成形方式。其中压力机的较大压力为200MPA，每分钟可生产15-50个左右的工件。液压压力机的行程压力分布被平均化，因此填充粉体产生差异时，压力工件的高度会产生差异。机械式压力机相反，根据填充粉体的量会施加多少压力?这在烧结结束后尺寸收缩，容易影响产品质量。因此，干冲压过程中粉体分布不均匀对填充特别重要，对制造的氧化铝陶瓷部件的尺寸较准控制有很大影响。

氮化硅陶瓷制备方法：Si3N4 陶瓷的制备技术在过去几年发展很快，制备工艺主要集中在反应烧结法、热压烧结法和常压烧结法、气压烧结法等类型. 由于制备工艺不同，各类型氮化硅陶瓷具有不同的微观结构（如孔隙度和孔隙形貌、晶粒形貌、晶间形貌以及晶间第二相含量等）。因而各项性能差别很大 。要得到性能优良的Si3N4 陶瓷材料，首先应制备高质量的Si3N4 粉末. 用不同方法制备的Si3N4 粉质量不完全相同，这就导致了其在用途上的差异，许多陶瓷材料应用的失败，往往归咎于开发者不了解各种陶瓷粉末之间的差别，对其性质认识不足。一般来说，高质量的Si3N4 粉应具有α相含量高，组成均匀，杂质少且在陶瓷中分布均匀，粒径小且粒度分布窄及分散性好等特性。好的Si3N4 粉中α相至少应占90%，这是由于Si3N4 在烧结过程中,部分α相会转变成β相，而没有足够的α相含量，就会降低陶瓷材料的强度。常见绝缘陶瓷：氮化硅陶瓷，氮化铝陶瓷，硼酸铅玻璃陶瓷，硼酸锡钡陶瓷，氧化铍陶瓷。

氧化铝陶瓷制作工艺——粉体制备：将入厂的氧化铝粉按照不同的产品要求与不同成型工艺制备成粉体材料。粉体粒度在1μm以下，若制造高纯氧化铝陶瓷制品除氧化铝纯度在99．99%外，还需超细粉碎且使其粒径分布均匀。采用挤压成型或注射成型时，粉料中需引入粘结剂与可塑剂，一般为重量比在10－30%的热塑性塑胶或树脂有机粘结剂应与氧化铝粉体在150－200温度下均匀混合，以利于成型操作。采用热压工艺成型的粉体原料则不需加入粘结剂。若采用半自动或全自动干压成型，对粉体有特别的工艺要求，需要采用喷雾造粒法对粉体进行处理、使其呈现圆球状，以利于提高粉体流动性便于成型中自动充填模壁。此外，为减少粉料与模壁的摩擦，还需添加1～2%的润滑剂，如硬脂酸，及粘结剂PVA。欲干压成型时需对粉体喷雾造粒，其中引入聚乙烯醇作为粘结剂。上海某研究所开发一种水溶性石蜡用作Al203喷雾造粒的粘结剂，在加热情况下有很好的流动性。喷雾造粒后的粉体必须具备流动性好、密度松散，流动角摩擦温度小于30℃。颗粒级配比理想等条件，以获得较大素坯密度。常见绝缘陶瓷：美质制瓷，氧化铝瓷，莫来石瓷，改性碳化硅陶瓷。绝缘陶瓷厂家电话

绝缘陶瓷一般分为黑白两种，黑色以碳化硅绝缘陶瓷为主，白色以陶瓷螺旋喷嘴为主。大连耐热绝缘陶瓷厂家推荐

高铝瓷原料杂质的影响：氧化铝原料或多或少地带人氧化钠、氧化硅等杂质。为了降低高铝瓷的烧结温度，应引人某些氧化物或硅酸盐液相。这些加人物与高铝瓷性能关系是设计或拟定瓷料配方的基本依据。除了高纯氧化铝以外，用于制造电子元件、绝缘材料、工程陶瓷和耐磨陶瓷等大量的氧化铝都是用工业氧化铝或氢氧化铝为原料生产的，Na2O杂质能明显影响Al2O3烧结瓷体的介质损耗，Na2O含量的提高一般都要伴随着tgδ 值的明显增大。但是，Na2O含量的高低不是决定瓷体介质损耗的惟一因素， 原料中SiO2含量的提高能明显削弱或消除Na2O杂质对瓷体介质损耗提高的有害影响。氧化铁对陶瓷的影响主要表现使陶瓷的烧结温度范围变窄，降低陶瓷的冷热性能；降低陶瓷的电击穿强度和抗折强度；影响陶瓷的白度，还容易在陶瓷釉面上产生色斑。在生产Al2O3，含量在99.5%以上的高纯氧化铝瓷或透明氧化铝陶瓷时，一般不能用工业氧化铝作原料。在这种情况下，氧化铝原料的纯度应在99.9%以上，通常用硫酸铝铵经提纯并加热分解来制备。大连耐热绝缘陶瓷厂家推荐

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