山西氮化硅陶瓷基片
现代微电子技术发展异常迅速,电子系统及设备向大规模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向发展。电子系统集成度的提高将导致功率密度升高,以及电子元件和系统整体工作产生的热量增加,因此,有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题,电子封装内基板材料的导热性能则是影响整个电子系统散热的关键。氮化硅陶瓷是综合性能比较好的结构陶瓷材料,单晶氮化硅的理论热导率可达400W/(m·k),具有成为高导热基片的潜力。此外Si3N4的热膨胀系数为3.0×10-6/℃左右,与Si、SiC和GaAs等材料匹配良好,这使Si3N4成为一种极具吸引力的较强的导热的电子器件基板材料。氮化硅陶瓷哪家服务好,宜兴威特陶瓷为您服务!期待您的光临!山西氮化硅陶瓷基片
氮化硅陶瓷具有很高的断裂韧性和常温强度,即使在高温下,其强度也不会降低很多,高温稳定性良好。其主要的各项性能如下:(1)氮化硅材料线膨胀系数较低,导热性良好,具有优良的抗热震性;(2)氮化硅的硬度非常大,为9〜9.5,次于金刚石、BN等少数超硬物质;(3)氮化硅的摩擦系数小,本身具有自润滑性,耐磨损;(4)氮化硅具有良好的机械性能,热压和反应烧结的样品都能获得较高的抗弯强度,甚至能高达上千兆帕。其高温稳定性好,高温下仍然具有比较高的抗弯强度,高温蠕变很小;(5)氮化硅材料具有良好的绝缘性能,是高温下良好的绝缘体材料;(6)氮化硅的化学性质非常稳定,不受到除氢氟酸外所有无机酸的侵蚀,在某些碱中,也能稳定的存在;(7)氮化硅陶瓷在氧化时,表面容易形成一层致密的二氧化硅膜,阻碍其继续氧化。它耐氧化的温度可达1400℃,在还原气氛中比较高可使用到1870℃。(8)氮化硅与高温的金属溶液和熔融渣不润湿,可以作为高温金属溶液过滤器的耐熔渣侵蚀材料。 株洲热压氮化硅陶瓷氮化硅陶瓷推荐,宜兴威特陶瓷值得信赖,还等什么,快来call我司吧!
氮化硅陶瓷片板是以氮化硅(si3n4)为主晶相的陶瓷基板,也叫氮化硅陶瓷基片。氮化硅陶瓷是一种高温耐热材料,其热导率高,较氧化铝陶瓷高5倍以上,膨胀系数低,与硅性能一致。使用氮化硅陶瓷为主要原材料制造而成的基板,具有高热导率、低膨胀系数、强度高、耐腐蚀、电性能优、光传输性好等优异特性,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。随着我国电子信息产业蓬勃发展,我国市场对PCB基板的需求不断上升,氮化硅陶瓷基板凭借其优异性能,市场占有率正在不断提升。
氮化硅陶瓷是一种无机材料,作为一种共价键化合物,它是以[ SiN4 ]四面体作为较基本的构造单元,其中硅原子位于四面体的中心位置,4个氮原子则处于四面体的四个顶点,而其在三维空间中的构造是通过三个四面体共同使用一个原子的方式,借助这种结构,它在许多方面都有着优异的性能。作为高温结构陶瓷材料中的重要组成部分,在耐高温方面有着良好的表现,强度可以一直维持在1200℃的高温环境中不会出现下降,同事在受热之后不会成为融体,而且有着非常强的抗腐蚀性和抗氧化性,在以后的应用中潜力巨大。氮化硅陶瓷哪家好,宜兴威特陶瓷值得信赖。
氮化硅是一种非氧化物高温陶瓷结构材料,具有高硬度、强度高、耐腐蚀等特性,其较强的拉弯强度达到8× 10 4 ~10×10 4 N·cm -2 ,并且在1200℃高温下不会下降。用氮化硅陶瓷制成的内燃机不需冷却装置, 可节约燃料30%左右,热转换率提高到40%~ 50%。粉末状的氮化硅可以由SiCl 4 的蒸气和氨气的混合物反应制取。粉末状的氮化硅在空气和水中都不稳定,但若将粉末状的氮化硅和适量的MgO在230×1.01×10 5 Pa和185℃的密闭容器中热处理,可以制得结构十分紧密而且在空气和水中都十分稳定的高温结构材料。氮化硅陶瓷抗腐蚀能力强,除氢氟酸以外,它不与其他无机酸反应。氮化硅陶瓷哪家专业,宜兴威特陶瓷值得信赖,还等什么,快来call我司吧!辽宁氮化硅陶瓷板
氮化硅陶瓷哪家专业,宜兴威特陶瓷值得信赖,有需求的不要错过哦!山西氮化硅陶瓷基片
氮化硅陶瓷, 是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。 氮化硅的强度很高, 尤其是热压氮化硅, 是世界上较为坚硬的物质之一。具有强度高、 低密度、 耐高温等性质。Si₃N₄陶瓷是一种共价键化合物, 基本结构单元为[SiN₄]四面体, 硅原子位于四面体的中心, 在其周围有四个氮原子, 分别位于四面体的四个顶点, 然后以每三个四面体共用一个原子的形式, 在三维空间形成连续而又坚固的网络结构。氮化硅的很多性能都归结于此结构。 纯 Si₃N₄为 3119, 有 α 和 β 两种晶体结构, 均为六角晶形, 其分解温度在空气中为 1800℃, 在 110MPa氮中为 1850℃。
山西氮化硅陶瓷基片