株洲氮化硅陶瓷厂家

时间:2021年05月19日 来源:

氮化硅陶瓷具备耐高温、 耐腐蚀、 电绝缘、 无磁性、 较高度、 密度小等性能。采用高纯、 超细 Si3N4 粉, 采用近净尺寸成型方法、 GPS-HIP组合工艺, 制造出的陶瓷球不仅材质优良, 而且毛坯球形好, 较大降低了磨加工成本, 缩短了加工周期, 从过去的几百小时缩短到目前的几十小时。陶瓷球常用规格,可根据客户需求生产直径 0.8mm~57.15mm 的氮化硅球。陶瓷球精度等级(GB308-2002 ISO3290-1998)特点:1、 耐腐蚀强酸、 强碱、 海水中亦可使用。2、 重量轻、 比一般材质的轴承轻 1/4, 其密度为 3.20g/cm3。3、高钢性、 较高度、 其硬度比轴承纲高一倍, 弹性模量高约 1/3。4、高速回转, 转动体(球) 的重量轻, 旋转时离心小。 氮化硅陶瓷推荐,宜兴威特陶瓷值得信赖,欢迎有需求的朋友们联系我司!株洲氮化硅陶瓷厂家

高导热氮化硅陶瓷材料的研究进展:非氧化物烧结助剂:除常用的氧化物烧结助剂以外,近年来,制备氮化硅陶瓷,特别是高导热氮化硅陶瓷的一个研究热点是对于非氧化物烧结助剂的研究。非氧化物烧结助剂的优势在于可以减少额外引入的氧,这对于净化氮化硅晶格,减少晶界玻璃相,提高热导率及高温力学性能具有重要意义。研究表明,稀土离子半径越小,越有利于烧结。测试结果表明,添加稀土氯化物烧结助剂的氮化硅陶瓷具有优良的机械性能和良好的导热性能,如采用LaCl3-La2O3-MgO复合烧结助剂的氮化硅陶瓷热导率可达78W·m-1·K-1,抗弯强度可达1011MPa。 河北氮化硅陶瓷多少钱氮化硅陶瓷哪家专业,宜兴威特陶瓷值得信赖,欢迎您的光临!

相比于其他陶瓷材料来说,氮化硅陶瓷具有许多优异的特性,比如具有较高的理论热导率、良好的化学稳定性能、无毒、较高的抗弯强度和断裂韧性等。目前关于高导热氮化硅陶瓷的研究报道中,热导率比较高可达到177W·m-1·K-1,并且力学性能也较为优异(抗弯强度达到了460MPa,断裂韧性达到了11.2MPa·m1/2),这些特性使其被认为是一种很有潜力的高速电路和大功率器件的散热封装材料。Si3N4陶瓷基片广阔的市场前景引起了国际陶瓷企业的高度重视,目前,国际上高导热氮化硅陶瓷基板主要的供应商有美国罗杰斯公司和日本东芝公司,其生产的高导热氮化硅陶瓷热导率均能达到90W·m-1·K-1,抗弯强度和断裂韧性也分别能达到650MPa和6.5MPa·m1/2。

氮化硅具有两种晶型:α-Si3N4和β-Si3N4,高温下α相为非稳定态,易转化为高温稳定的β相。研究发现随氮化硅陶瓷中β相含量在40%-100%范围内逐渐增大时,氮化硅陶瓷热导率呈线性增加,故高纯β相是获得高导热氮化硅陶瓷的关键因素。α-Si3N4和β-Si3N4粉都可作为制备β-Si3N4陶瓷的原料。以α-Si3N4粉末作为原料,烧结过程中通过溶解沉淀机制促进α→β相变,其烧结驱动力较高,可得到高β相氮化硅陶瓷。而采用β相为原料可获得纯β相氮化硅陶瓷,但其烧结过程中无相变,驱动力较小,烧结相对较为困难,且由于Si3N4在1800℃以上易发生分解,为保证烧结致密,多采用气压烧结,以提高烧结驱动力及其分解温度,故生产成本提高较多。 氮化硅陶瓷选哪家,宜兴威特陶瓷为您服务!欢迎您的光临!

氮化硅陶瓷两种晶型:α-Si3N4和β-Si3N4,许多研究工作表明氮化硅陶瓷中β相含量在40-100%范围内逐渐增大时,氮化硅陶瓷热导率也呈线性增加,故高纯的β相是获得高导热氮化硅陶瓷的关键因素。在原料的选取上,α-Si3N4和β-Si3N4粉都可作为制备氮化硅陶瓷的原料。在高温状态下,β-Si3N4热力学上更稳定,α-Si3N4会发生相变,转为β-Si3N4。以α-Si3N4粉末作为原料,烧结过程中通过溶解沉淀机制促进α→β相变,其烧结驱动力较高,可制取细晶、长柱型β相含量高的氮化硅陶瓷产品,从而有利于氮化硅陶瓷的韧性提升。但需采用适当的手段控制颗粒的异常生长,以避免气孔、裂纹、位错缺陷的出现对制品力学性能造成的影响。而采用β-Si3N4粉末为原料可获得纯β相氮化硅陶瓷,但其烧结过程中无相变,驱动力较小,烧结相对较为困难,且由于Si3N4在1800℃以上易发生分解,为保证烧结致密,多采用气压烧结,以提高烧结驱动力及其分解温度,故生产成本提高较高。 氮化硅陶瓷抛丸机选哪家,宜兴威特陶瓷为您服务!相信您的选择,值得信赖。陕西氮化硅陶瓷基片

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Si3N4陶瓷为强共价键结构,热的传递机制为声子传热。Si3N4陶瓷烧结体复杂的结构,对声子的散射较大,使常用Si3N4陶瓷结构件产品热导率偏低。然而通过配方设计和烧结工艺优化等方法,目前高导热Si3N4陶瓷,在不损失力学性能的前提下,热导率可达80~100 W·m-1·K-1。从热导率的角度,似乎Si3N4陶瓷与AlN还存在差距。但是陶瓷基片在半导体封装中是以陶瓷覆铜(Cu)板的形式使用的,Si3N4陶瓷基板优异的力学性能,使其可以涂覆更厚的金属Cu。如图2所示,厚度为0.635mm的AlN陶瓷基板单边只能涂覆0.3mm左右厚的Cu,Cu层更厚会导致基板开裂,而厚度为0.32mm的Si3N4陶瓷基板单边覆Cu厚度可达0.5mm以上。株洲氮化硅陶瓷厂家

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