上海HTOL测试机性能

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闪存HTOL测试方法与流程本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存htol测试方法。背景技术：闪存(flashmemory)是一种非易失性的存储器，其具有即使断电存储数据也不会丢失而能够长期保存的特点。故近年来闪存的发展十分迅速，并且具有高集成度、高存储速度和高可靠性的闪存存储器被广泛应用于包括电脑、手机、服务器等电子产品及设备中。在半导体技术领域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高温操作生命期试验)用于评估半导体器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力。对于闪存的可靠性而言，在数万次的循环之后的htol是一个主要指数。通常而言，闪存产品需要在10000次的循环之后，通过1000小时的htol测试。闪存htol实际测试中存在若干小时后闪存测试读点(例如读“0”)失效，亟需解决闪存htol测试中读点失效的问题。

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    GJB548B-2015方法，否则采用额定工作电压S级**少时间有240h到120h共6个级别；B级**少时间160h到12h共10个级别；H级**少时间352h到80h共11级别；K级**少时间从700h到320h共6个级别。S级最低温度从125℃到150℃共6个级别；B级别最低温度从125℃到250℃；H级最低温度从100℃到150℃；K级最低温度从100℃到125℃。————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：。 上海顶策科技TH801智能老化系统，数据异常自动报警，大幅度降低HTOL问题分析难度。嘉定区HTOL测试机设计

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包括：将所述源极101和漏极102均悬空，在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1，在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2；其中，所述***擦除电压vc1为负电压，所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v～-8v，本实施例中例如为-9v；所述第二擦除电压vc2的范围为8v～10v，本实施例中例如为9v；擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。本实施例中，闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿)，通过在衬底100上施加正电压，在控制栅106上施加负电压，以在隧穿氧化层103中注入空穴，同时减少浮栅104中的电子。上海HTOL测试机性能