松江区智能化HTOL测试机

    进一步的，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极上施加***编程电压，在所述漏极上施加第二编程电压，在所述控制栅上施加第三编程电压，在所述衬底上施加第四编程电压；其中，所述***编程电压小于所述第二编程电压；所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的，所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压的范围为8v～10v,所述第四编程电压的范围为～-1v。进一步的，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。进一步的，对所述闪存参考单元进行擦除，包括：将所述源极和漏极均悬空，在所述控制栅上施加***擦除电压，在所述衬底上施加第二擦除电压；其中，所述***擦除电压为负电压，所述第二擦除电压为正电压。进一步的，所述***擦除电压的范围为-10v～-8v，所述第二擦除电压的范围为8v～10v。进一步的，擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。进一步的，对所述闪存参考单元进行编译和擦除，循环次数为10次～20次。进一步的，对所述闪存进行htol测试包括：对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。

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第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。在每个时间点读点过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断，若iref＜i，则闪存读出“1”；若iref＞i，则闪存读出“0”。具体的，在闪存(例如norflash)产品htol可靠性验证的阶段的测试流程例如依次为：初始(***时间点)读点、48小时(第二时间点)读点、168小时(第三时间点)读点、500小时(第四时间点)读点、1000小时(第n时间点)读点。本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除循环而直接进行htol测试时，发现闪存htol可靠性验证在48小时(hrs)读点失效。奉贤区HTOL测试机哪里有卖的上海顶策科技自主研发实时单颗监测技术，可灵活配置芯片工作状态，并施加信号，非常方便HTOL Setup。

芯片HTOL测试如何做到省力省心？上海顶策科技有限公司，提供可靠性测试整体解决方案：可靠性设备，HTOL/LTOL、双85、HAST等几十项可靠性测试方案制定，PCB设计制作，测试试验，满足各类芯片可靠性测试需求。涵盖模拟，数字，混合信号，SOC，RF等各类芯片的可靠性方案设计，原理图设计，PCBlayout加工制作，老化程序开发调试，可靠性测试试验，出具可靠性报告等全方面服务。自有发明专利的智能HTOL系统，自主研发在线实时单颗监测技术，可灵活配置芯片工作状态，并施加信号，非常方便HTOLSetup，实时监测并记录环境温度，以及每颗芯片电压，电流，频率，寄存器状态等数据，确保芯片处于正常HTOL状态。

在每个时间点读点过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断，若iref＜i，则闪存读出“1”；若iref＞i，则闪存读出“0”。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明所提供的闪存htol测试方法，对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量，从而使闪存htol读“0”通过，解决了闪存htol测试中读点失效的问题，提高闪存质量。附图说明图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图；图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图；图3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图；图4为本发明实施例的对闪存参考单元进行擦除示意图；图5为本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除直接进行htol测试的输出电流iref分布图；上海顶策科技有限公司可靠性测试服务，涵盖模拟，数字，混合信号，SOC，RF等各类芯片的可靠性方案设计。

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    AEC-Q1001.对于非易失性存储器样品，在HTOL之前进行预处理：等级0：150℃，1000h等级1：125℃，1000h等级2：105℃，1000h等级3：85℃，1000h2.各等级温度对应的时间是比较低要求，通过计算或测量获取HTOL的Tj（结温）；3.当进行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作温度时的Tj，那么Tj可以代替Ta（环境温度），但是要低于***比较大Tj；4.如果Tj被用来作为HTOL的条件，在Ta和1000h条件下的器件需要使用；(max)需要保证交直流参数。————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：。 松江区智能化HTOL测试机