徐汇区HTOL测试机哪家强

时间:2024年03月25日 来源:

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发明人检查失效的原因,发现读点失效为读“0”失效,并且进一步研究发现闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间有偏移,具体偏移量经测试统计在4μa以内,而且iref1<iref0,即48小时后iref往电流变小的方向偏移。闪存测试中,若iref>i,则读出“0”(即闪存读“0”操作时,iref>i)。闪存判断读“0”的具体操作过程为:将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断。当差值变弱到由读出放大器无法进行识别时,读“0”失效。当htol可靠性验证经过***时间点例如48小时后,由于闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移即iref变小,如此一来,闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值变小,超出读出放大器识别范围,于是读“0”失效。测试发现经48小时闪存参考单元的输出电流iref往电流变小的方向偏移后,进一步做htol测试,闪存参考单元的输出电流iref在第三时间点例如168小时,第四时间点例如500小时,第五时间点例如1000小时测试均不会进一步偏移。虹口区HTOL测试机怎么样可靠性事业部提供模拟,数字,混合信号,SOC,RF等各类芯片的可靠性方案设计。

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    技术实现要素:本发明提供了一种闪存htol测试方法,以解决闪存htol测试中读点失效的问题。本发明提供的闪存htol测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。进一步的,所述闪存参考单元包括衬底、位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极和漏极,位于所述导电沟道上方的栅极单元,所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层以及控制栅,所述栅极单元的两侧分布有侧墙。 上海顶策科技有限公司可靠性测试服务,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性。

闪存参考单元的隧穿氧化层103中会捕获一些主要从生产工艺带来的浅能级的空穴,在浮栅里面会注入所需要的电子。编译过程中浮栅104可以捕获电子,擦除过程中隧穿氧化层103会捕获空穴;在经过多次的编译以及擦除后,会在浮栅104中有更多的电子,隧穿氧化层103中有更多的空**7中经编译和擦除循环后电子空穴的净值(差值)与未经编译和擦除循环的电子空穴的净值(差值)相等,从而保证闪存参考单元编译和擦除循环后的输出电流与编译和擦除循环前的输出电流是相等的。擦除过程中隧穿氧化层捕获的空穴为深能级的空穴,这些深能级的空穴不容易移动,而在浮栅里面捕获的电子比较活跃,在htol测试过程中高温下会比较容易丢失,从而补偿了闪存参考单元从生产工艺带来的浅能级的空穴在htol测试过程中的丢失。上海顶策科技自主研发TH801智能一体化HTOL测试机,拥有多项发明专利及软件著作权。普陀区如何选HTOL测试机

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    进一步的,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极上施加***编程电压,在所述漏极上施加第二编程电压,在所述控制栅上施加第三编程电压,在所述衬底上施加第四编程电压;其中,所述***编程电压小于所述第二编程电压;所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的,所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压的范围为8v~10v,所述第四编程电压的范围为~-1v。进一步的,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。进一步的,对所述闪存参考单元进行擦除,包括:将所述源极和漏极均悬空,在所述控制栅上施加***擦除电压,在所述衬底上施加第二擦除电压;其中,所述***擦除电压为负电压,所述第二擦除电压为正电压。进一步的,所述***擦除电压的范围为-10v~-8v,所述第二擦除电压的范围为8v~10v。进一步的,擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。进一步的,对所述闪存参考单元进行编译和擦除,循环次数为10次~20次。进一步的,对所述闪存进行htol测试包括:对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。

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