上海好的MOS管

    正常选择的型号Vref=），开始一直觉得问题出在TLV431上，后来换了板子竟发现可以正常稳压（应该是上一个板子变压器和MOS管出现问题，但没回去验证），但是mos管很烫，带载不到十秒钟就会冒烟，后来经过与芯片方案的FAE沟通才发现，MSP3910的驱动MOS管的引脚gate脚与MOS管之间的限流电阻用错物料，mos管工作原理图是，但实际用的是，更换电阻后可输出正常电压，MOS管也不会很烫。下面是解决问题思路：一、用示波器观察所用MOS管的G极波形，如图一所示，上升时间接近，下降时间接近<160ns（实测50ns），再看如图二所示的手册中对MOS驱动上升下降沿要求，上升时间要求<35ns，下降时间<80ns，可得结论：上升时间过长导致MOS管工作为线性状态，非开关状态（参看总结一），MOS管开通过程时间太长直接导致了MOS管的发热严重。二、解决：更换驱动限流电阻（图二中Rg），由于当时手里当时没有，更换为22欧的电阻后，G极波形如图三所示，Ton和Toff已经接近图二要求的时间，MOS管24V时带载27欧，输出功率，输出电压正常，MOS管基本不发热。总结一：MOS管发热原因小结1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。上海好的MOS管

    1.三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向，那一极连接输出端2>控制极电平为？V时MOS管导通3>控制极电平为？V时MOS管截止NMOS：D极接输入，S极接输出PMOS：S极接输入，D极接输出反证法加强理解NMOS假如：S接输入，D接输出由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用PMOS假如：D接输入，S接输出同样失去了开关的作用—导通时Ug>Us,Ugs>Ugs(th)时导通P沟道—导通时Ug<Us,Ugs<Ugs(th)时导通总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|7.相关概念BJTBipolarJunctionTransistor双极性晶体管，BJT是电流控制器件；FETFieldEffectTransistor场效应晶体管，FET是电压控制器件.按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。广东好的MOS管mos管的外形和三极管，可控硅，三端稳压器，IGBT类似。

    总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。①封装②类型（NMOS、PMOS）③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的比较大的电压）④饱和电流Id⑤导通阻抗Rds⑥栅极阈值电压Vgs(th)9.从MOS管实物识别管脚无论是NMOS还是PMOS按上图方向摆正，中间的一脚为D，左边为G，右边为S。或者这么记：单独的一脚为D，逆时针转DGS。这里顺便提一下三极管的管脚识别：同样按照上图方向摆正，中间一脚为C，左边为B，右边为E。管脚编号从G脚开始，逆时针123三极管的管脚编号同样从B脚开始，逆时针12310.用万用表辨别NNOS、PMOS借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S,黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道。

    所剩的思路就是如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样，是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOS管关断时，设法使这个通道以某种方式夹断，使整个器件耐压取决于低掺杂的N-外延层。基于这种思想，1988年INFINEON推出内建横向电场耐压为600V的COOLMOS管，使这一想法得以实现。内建横向电场的高压MOS管的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图所示。与常规MOS管结构不同，内建横向电场的MOS管嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOS管关断时，垂直的P与N之间建立横向电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。当VGS＜VTH时，由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成，并且D，S间加正电压，使MOS管内部PN结反偏形成耗尽层，并将垂直导电的N区耗尽。这个耗尽层具有纵向高阻断电压，如图（b）所示，这时器件的耐压取决于P与N-的耐压。因此N-的低掺杂、高电阻率是必需的。MOS管导通过程导通时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。：CGS1开始充电。MOS 管作为半导体领域基础的器件之一，无论是在 IC 设计里，还是板级电路应用上，都十分广。

    与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的大电流，只需直接选择能承受这个大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而明显变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。3.选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即坏情况和真实情况。建议采用针对坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据。MOS管是电子电路中常用的功率半导体器件，可以用作电子开关、可控整流等，是一种电压驱动型的器件。广东好的MOS管

国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。上海好的MOS管

    4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。5：选择合理的栅极电阻Rg。6：在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。SOA失效（电流失效）再简单说下第二点，SOA失效SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。关于SOA各个线的参数限定值可以参考下面图片。1：受限于大额定电流及脉冲电流2：限于大节温下的RDSON。3：受限于器件大的耗散功率。4：受限于大单个脉冲电流。5：击穿电压BVDSS限制区我们电源上的MOSFET，只要保证能器件处于上面限制区的范围内，就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。。1：确保在差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。2：将OCP功能一定要做精确细致。在进行OCP点设计时，一般可能会取，然后就根据IC的保护电压比如。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影响呢。上海好的MOS管

江苏芯钻时代电子科技有限公司是一家集研发、生产、咨询、规划、销售、服务于一体的贸易型企业。公司成立于2022-03-29，多年来在IGBT模块，可控硅晶闸管，二极管模块，熔断器行业形成了成熟、可靠的研发、生产体系。公司主要经营IGBT模块，可控硅晶闸管，二极管模块，熔断器等产品，产品质量可靠，均通过电子元器件行业检测，严格按照行业标准执行。目前产品已经应用与全国30多个省、市、自治区。江苏芯钻时代电子科技有限公司研发团队不断紧跟IGBT模块，可控硅晶闸管，二极管模块，熔断器行业发展趋势，研发与改进新的产品，从而保证公司在新技术研发方面不断提升，确保公司产品符合行业标准和要求。江苏芯钻时代电子科技有限公司注重以人为本、团队合作的企业文化，通过保证IGBT模块，可控硅晶闸管，二极管模块，熔断器产品质量合格，以诚信经营、用户至上、价格合理来服务客户。建立一切以客户需求为前提的工作目标，真诚欢迎新老客户前来洽谈业务。