海南定制MOS管供应

    我们看下面FLYBACK电流波形图（图形不是太清楚，十分抱歉，建议双击放大观看）。从图中可以看出，电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的上升时间，这段时间其本质就是IC在检测到过流信号执行关断后，MOSFET本身也开始执行关断，但是由于器件本身的关断延迟，因此电流会有个二次上升平台，如果二次上升平台过大，那么在变压器余量设计不足时，就极有可能产生磁饱和的一个电流冲击或者电流超器件规格的一个失效。3：合理的热设计余量，这个就不多说了，各个企业都有自己的降额规范，严格执行就可以了，不行就加散热器。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，大电压等，大电流等，也有很多人考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被**成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。栅极电压很低，一般在几伏到几十伏之间。海南定制MOS管供应

    CE极间相当“短路”,即呈“开”的状态。三极管在截止状态(发射结、集电结都是反偏置)时,其CE极间的电流极小(硅管基本上量不到),相当于“断开(即‘关’)”的状态。三极管开关电路的特点是开关速度极快,远远比机械开关快;没有机械接点,不产生电火花;开关的控制灵敏,对控制信号的要求低;导通时开关的电压降比机械开关大,关断时开关的漏电流比机械开关大;不宜直接用于高电压、强电流的控制。2020-08-30什么是高反压开关三极管晶体三极管工作在开关状态时，发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，即为三极管的截止状态。开关三极管处于截止状态的特征是发射结，集电结均处于反向偏置。此时三极管能够承受额电压越高，其被击穿的可能性越小，工作越可靠，所以在一些特殊电路中必须选用高反压开关三极管，例如彩色电视机的行输出电路，一般高反压三极管的耐压都在1500伏以上。2020-08-30有关三极管的开关作用三极管都有开关作用。普通三极管当B极没有电流时会截止的，但是可控硅（也是一种三极管）却是只管导通不能控制截止，就是说B极给电流导通之后不能控制EC截止。海南定制MOS管供应根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

    由以上分析我们可以画出mos管工作原理图中MOS管电路部分的工作过程（见图）。工作原理同前所述。MOS管应用电路MOS管明显的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。现在的MOS驱动，有几个特别的需求：1、低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的mos管工作原理图图腾柱结构，由于三极管的be有，导致实际终加在gate上的电压只有。这时候，我们选用标称gate电压。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。2、宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。3、双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。

    此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图给出了P沟道的MOS管。MOS管工作原理图工作过程，其工作原理类似这里不再重复。下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS管）组成的应用电路的工作过程（见图）。电路将一个增强型P沟道MOS管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。为了保证MOS管的安全工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。

    4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。5静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。雪崩失效分析（电压失效）到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。下面的图片为雪崩测试的等效原理图，做为电源工程师可以简单了解下。可能我们经常要求器件生产厂家对我们电源板上的MOSFET进行失效分析，大多数厂家都给一个，那么到底我们怎么区分是否是雪崩失效呢，下面是一张经过雪崩测试失效的器件图，我们可以进行对比从而确定是否是雪崩失效。雪崩失效的预防措施雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。1：合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。2：合理的变压器反射电压。3：合理的RCD及TVS吸收电路设计。MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。海南定制MOS管供应

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。海南定制MOS管供应

    不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的）。10、无二次击穿：由于普通的功率晶体三极管具有当温度上升就会导致集电极电流上升（正的温度～电流特性）的现象，而集电极电流的上升又会导致温度进一步的上升，温度进一步的上升，更进一步的导致集电极电流的上升这一恶性循环。而晶体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降，这就形成了管温继续上升、耐压继续下降终导致晶体三极管的击穿，这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度～电流特性，即当管温度（或环境温度）上升时，沟道电流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET开关管，当VGS控制电压不变时，在250C温度下IDS=3A，当芯片温度升高为1000C时，IDS降低到2A，这种因温度上升而导致沟道电流IDS下降的负温度电流特性，使之不会产生恶性循环而热击穿。海南定制MOS管供应

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