云南进口Mitsubishi三菱IGBT模块

    下拉电阻r3并联在电阻r2与控制管n3之间，控制限压功能的工作与否；请再次参阅图1，限流电路300包括电阻r1和正向二极管n22，电阻r1与正向二极管n22相串联，限压电路100、控制电路200和限流电路300相并联，限制限压部分的电流大小，解决了分立器件限压电路集成在驱动输出端导通时出现的较大电流现象，不降低了工作损耗，减小了分立器件的成本、也提高了芯片使用的寿命。使用时，当lp接收到mcu的信号置高时，限压电路开始工作，a点电压被限压在设定所需要的电压u1，如希望igbt驱动输出限制在12v，此时a电压的设定u1＝12v+vbe，b点电压为u2＝12v+2vbe，终c点电压为12v，此时限压部分的支路电流被限制在(vcc-u2)/r1以下，在常规的igbt驱动中增加了限压电路的功能结构，实现了对igbt的功耗的降低，保护了igbt管，将通常分立器件实现方式的限压电路集成在芯片中，与igbt驱动电路集成在一起，节省了面积和成本，同时还能解决分立器件稳压管接在驱动输出处，当导通时较大电流的问题。虽然在上文中已经参考实施例对本发明进行了描述，然而在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构。三菱的IGBT，除了电动汽车用的650V以外，都是工业等级的。云南进口Mitsubishi三菱IGBT模块

    这样能降低栅电容，增强器件短路电流的能力，提高器件的抗冲击能力。3、本发明一实施例还设置了电荷存储层14，电荷存储层14结合第二屏蔽电极结构能更好的防止集电区9注入的少子进入到沟道区域中，从而能降低降低器件的饱和压降。本发明第二实施例igbt器件：如图2所示，是本发明实施例第二实施例igbt器件的结构示意图，本发明第二实施例igbt器件包括：本发明第二实施例器件和本发明一实施例器件的区别之处为，本发明第二实施例器件中，在各所述单元结构中，所述源极接触孔11和邻近的一个所述屏蔽接触孔合并成一个接触孔，邻近的所述屏蔽接触孔外侧的所述屏蔽接触孔11a呈结构。本发明一实施例方法：如图3a至图3g所示，是本发明一实施例方法各步骤中器件的结构示意图，本发明一实施例igbt器件的制造方法包括如下步骤：步骤一、如图3a所示，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成由一导电类型轻掺杂区组成的漂移区1。所述半导体衬底为硅衬底。在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区1直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成，所述阱区2形成于所述漂移区1表面的所述硅外延层中。步骤二、如图3a所示，在所述半导体衬底中形成多个沟槽101。广东定制Mitsubishi三菱IGBT模块现货IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。

    步骤二、在所述半导体衬底中形成多个沟槽。步骤三、在各所述沟槽的底部表面和侧面形一介质层，之后再在各所述沟槽中填充一多晶硅层，将所述一多晶硅层回刻到和所述半导体衬底表面相平。步骤四、采用光刻工艺将栅极结构的形成区域打开，将所述栅极结构的形成区域的所述沟槽顶部的所述一多晶硅层和所述一介质层去除。步骤五、在所述栅极结构的形成区域的所述沟槽的顶部侧面形成栅介质层以及所述一多晶硅层的顶部表面形成多晶硅间介质层。步骤六、在所述栅极结构的形成区域的所述沟槽的顶部填充第二多晶硅层，由所述第二多晶硅层组成多晶硅栅；所述多晶硅栅底部的所述一多晶硅层为一屏蔽多晶硅并组成一屏蔽电极结构，所述一屏蔽多晶硅侧面的所述一介质层为一屏蔽介质层。在所述栅极结构两侧的所述沟槽中的所述一多晶硅层为第二屏蔽多晶硅并组成第二屏蔽电极结构，所述第二屏蔽多晶硅侧面的所述一介质层为第二屏蔽介质层。一个所述igbt器件的单元结构中包括一个所述栅极结构以及形成于所述栅极结构两侧的所述第二屏蔽电极结构，在所述栅极结构的每一侧包括至少一个所述第二屏蔽电极结构。步骤七、在所述漂移区表面依次形成电荷存储层和第二导电类型掺杂的阱区。

    在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构，在其他实施例中，也能改变所述栅极结构和对应的所述第二屏蔽电极结构的数量和位置。所述沟槽101的步进为1微米～3微米，所述沟槽101的步进如图3a中的d1所示。在所述漂移区1和所述集电区9之间形成有由一导电类型重掺杂区组成的电场中止层8。本发明一实施例中，所述igbt器件为n型器件，一导电类型为n型，第二导电类型为p型。在其他实施例中也能为：所述igbt器件为p型器件，一导电类型为p型，第二导电类型为n型。本发明一实施例具有如下有益技术效果：1、本发明一实施例对器件单元结构中的栅极结构的屏蔽结构做了特别的设置，在栅极结构的两侧设置有形成于沟槽101中的屏蔽电极结构即第二屏蔽电极结构，再加上形成于栅极结构的沟槽101底部的一屏蔽电极结构，一起作用栅极结构的屏蔽电极，这种屏蔽电极结构由于是通过沟槽101填充形成，有利于缩小器件的沟槽101的步进，较小的沟槽101步进能从而降低igbt器件的输入电容、输出电容和逆导电容，提高器件的开关速度；2、本发明一实施例同时还将一屏蔽电极结构对应的一屏蔽多晶硅4a和第二屏蔽电极结构对应的第二屏蔽多晶硅4b都通过接触孔连接到金属源极，实现和发射区的短接。封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。

    igbt功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（igbt）构成的功率模块。由于igbt模块为mosfet结构，igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机，变频器，变频家电等领域。目录1特点2应用3注意事项4发展趋势IGBT功率模块特点编辑igbt功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率mosfet的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点非常显着的特性，西门子公司又推出低饱和压降（）的npt-igbt性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。IGBT功率模块应用编辑igbt是先进的第三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎己替代一切其它功率器件，例，单个元件电压可达（pt结构）一（npt结构），电流可达。IGBT功率模块注意事项编辑a,栅极与任何导电区要绝缘，以免产生静电而击穿。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。云南进口Mitsubishi三菱IGBT模块

一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。云南进口Mitsubishi三菱IGBT模块

    可控硅可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正向（或反向）导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。IGBTIGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。云南进口Mitsubishi三菱IGBT模块