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    光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号来代替电信号对器件进行触发。光控晶闸管的伏安特性和普通晶闸管一样，只是随着光照信号变强其正向转折电压逐渐变低。[1]中文名光控晶闸管外文名LightTriggeredThyristor简称LTT别称光触发晶闸管特点以光信号代替电信号进行触发导通学科电子技术目录1简述2结构3工作原理4特性光控晶闸管简述编辑光控晶闸管又称光触发晶闸管，它是一种以光信号代替电信号来进行触发导通的特殊触发型晶闸管，其伏安特性曲线与普通晶闸管完全一样，只是触发方式不同。而由于它采用光信号触发，避免了主回路对控制回路的干扰，适用于要求信号源与主回路高度绝缘的大功率高压装置，如高压直流输电装置、高压核聚变装置等。[2]光控晶闸管是利用一定波长的光照信号控制的开关器件，其结构也是由四层半导体(PNPN)构成。小功率光控晶闸管只有两个电极(阳极A和阴极K)，而大功率光控晶闸管除阳极和阴极之外，还带有光缆，光缆上装有发光二极管或半导体激光器作为触发光源。光控晶闸管结构编辑光控晶闸管也称GK型光开关管，是一种光敏器件。通常晶闸管有3个电极，控制极G、阳极A和阴极K。由于图1光控晶闸管光控晶闸管的控制信号来自光的照射。在使用过程中，晶闸管对过电压是很敏感的。江西进口Infineon英飞凌晶闸管工厂直销

    晶闸管又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。关键字：晶闸管单结晶体管构成晶闸管触发电路用单结晶体管构成的晶闸管触发电路如图1所示，触发电路的有关电压波形如图2所示。与单结晶体管构成弛张振荡电路相比较，电路的振荡部分相同，同步是关键字：单结晶体触发电路晶闸管LittelfuseSIDACtor®保护晶闸管可在高频度浪涌环境中加强浪涌保护Littelfuse,Inc.，作为全球电路保护领域的企业，今宣布推出两个SIDACtor®保护晶闸管产品系列，专为保护高频强度或異常环境中的设备免受严重的瞬态过电压而设计。Pxxx0MEL5kA系列和Pxxx0FNL3kA系列SIDACtor保护晶闸管能够更加可靠地应对多次高能量浪涌事件。很多未采用半导体的高功率防护产品在经历几次浪涌事件后便会出现性能减退，采用半导体的Pxxx0MEL和Pxxx0FNL系列则与之不同，可发生多次浪涌关键字：Littelfuse晶闸管晶闸管在电力变换及控制中的应用关键字：变频技术晶闸管光敏开关电路于规模自动照明中的应用光敏开关电路于规模自动照明中的应用-一个非常简单的光敏开关电路，可用于在规模自动照明等应用，一束光的作用下自动打开门。江西进口Infineon英飞凌晶闸管工厂直销晶闸管可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管、晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管多种。

    没有必要再引出控制极，所以，只有两个电极(阳极A和阴极K)。但其结构与普通晶闸管一样，是由4层PNP型器件构成的。光控晶闸管的外形及电路图形符号如图1所示。从外形上看，光控晶闸管有受光窗口，还有两条引脚和壳体，酷似光电二极管。[3]光控晶闸管工作原理编辑当在光控晶闸管的阳极加上正向电压、阴极加上负向电压时，如图2-(1)所示的光控晶闸管电路可以等效成如图2-(2)所示的电路。图2光控晶闸管电路由图2-(2)可推算出式中I1——光电二极管的光电流；Ia——-光控晶闸管的阳极电流，即光控晶闸管的输出电流；a1，a2—VT1，VT2的电流放大系数。由上式可知，Ia与I1成正比，即当光电二极管的光电流增大时，光控晶闸管的输出电流也相应增大，同时I1的增大，使VT1、VT2的电流放大系数a1、a2也增大。当a1与a2之和接近于1时，光控晶闸管的电流达到大，即完全导通。能使光控晶闸管导通的小光照度，称为导通光照度。光控晶闸管与普通晶闸管一样，一经触发，即成通导状态。只要有足够强度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成为通导状态，而后即使撤离光源也能维持导通，除非加在阳极和阴极之间的电压为零或反相才能关闭。

    通过用万用表的R×100或R×1kQ档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ)，而另一次阻值为几百欧姆(Ω)，则可判定黑表笔接的是门极G。在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。晶闸管触发能力检测：对于小功率(工作电流为5A以下)的普通晶闸管，可用万用表R×1档测量。测量时黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，此时表针不动。晶体闸流管（Thyristor）又称作可控硅整流器，曾被简称为可控硅。

    晶闸管阳极与阴极间表现出很大的电阻，处于截止状态(称为正向阻断状态)，简称断态。当阳极电压上升到某一数值时，晶闸管突然由阻断状态转化为导通状态，简称通态。阳极这时的电压称为断态不重复峰值电压(UDSM)，或称正向转折电压(UBO)。导通后，元件中流过较大的电流，其值主要由限流电阻(使用时由负载)决定。在减小阳极电源电压或增加负载电阻时，阳极电流随之减小，当阳极电流小于维持电流IH时，晶闸管便从导通状态转化为阻断状态。由图可看出，当晶闸管控制极流过正向电流Ig时，晶闸管的正向转折电压降低，Ig越大，转折电压越小，当Ig足够大时，晶闸管正向转折电压很小，一加上正向阳极电压，晶闸管就导通。实际规定，当晶闸管元件阳极与阴极之间加上6V直流电压时，能使元件导通的控制极小电流(电压)称为触发电流(电压)。在晶闸管阳极与阴极间加上反向电压时，开始晶闸管处于反向阻断状态，只有很小的反向漏电流流过。当反向电压增大到某一数值时，反向漏电流急剧增大，这时，所对应的电压称为反向不重复峰值电压(URSM)，或称反向转折(击穿)电压(UBR)。可见，晶闸管的反向伏安特性与二极管反向特性类似。晶闸管晶闸管的开通和关断的动态过程的物理过程较为复杂。晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路。江西进口Infineon英飞凌晶闸管工厂直销

晶闸管的主要参数有反向最大电压，是指门极开路时，允许加在阳极、阴极之间的比较大反向电压。江西进口Infineon英飞凌晶闸管工厂直销

    通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管（英语：Thyristor），简称晶闸管，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。早出现与主要的一种是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为一代半导体电力电子器件。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。发展历史/晶闸管编辑半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为的微电子器件，特点为小功率、集成化，作为信息的检出、传送和处理的工具；而另一类就是电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年，美国通用电气公司研发了世界上一个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器（SR）。江西进口Infineon英飞凌晶闸管工厂直销