场效应管(MOSFET)有多少种类型？

深圳市科星恒达电子有限公司2024-01-09

场效应管(MOSFET)主要分为两种类型：增强型场效应管(E-MOSFET)和耗尽型场效应管(D-MOSFET)。这两种类型在场效应管中扮演重要角色，各有其特点和适用场合。 E-MOSFET在无栅极电压时处于截止状态。当加上栅极电压时，导电沟道开始形成，导电性增强，使得电流能够从源极流向漏极。相比之下，D-MOSFET则处于导通状态，当加上栅极电压时，导电沟道变窄，导电性减弱。两者都可以在P型和N型半导体衬底上制造，这导致了四种主要类型的场效应管出现： N沟道增强型场效应管(N-E-MOSFET)是由P型衬底和掺杂的N型区域构成的，其导电沟道是由掺杂的N型区域形成的。而P沟道增强型场效应管(P-E-MOSFET)则是基于N型衬底和掺杂的P型区域。还有两种类型的场效应管是N沟道耗尽型场效应管(N-D-MOSFET)和P沟道耗尽型场效应管(P-D-MOSFET)。它们都是利用沟道中的载流子浓度来工作，而在栅极电压为零时沟道中的载流子浓度相对较高。每种类型的场效应管都有其自身的优势和劣势，并且在不同的应用中使用。理解这些特性和差异是应用场效应管的关键。