北京高压贴片电容

陶瓷电容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi发明了陶瓷介质电容器。20世纪30年代末，人们发现在陶瓷中加入钛酸盐可以使介电常数加倍，从而制造出更便宜的陶瓷介质电容器。1940年左右，人们发现陶瓷电容器的主要原料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性，随后陶瓷电容器开始用于尺寸小、精度要求高的电子设备中。陶瓷叠层电容器在1960年左右开始作为商品开发。到1970年，随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的发展，它迅速发展起来，成为电子设备中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介质电容器的总数量约占电容器市场的70%。陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。北京高压贴片电容

可靠度等级开关电源是一种由开关模式控制的DC稳压电源。它体积小、重量轻、效率高，广泛应用于各种通讯设备、家用电器、计算机及其终端设备。作为具有输入滤波平滑功能的铝电解电容器，其质量和可靠性直接影响开关电源的可靠性。铝电解电容器一旦失效，就会导致开关电源的失效。开关稳压电源用铝电解电容器的失效模式包括击穿失效、开路失效、漏液失效和电参数超差失效。其中，击穿失效分为介质击穿和热击穿。对于大功率大电流输出的电解电容器，热击穿失效往往占一定比例。开关稳压电源用铝电解电容器的主要失效形式是电腐蚀导致铝铅条断裂和电容器芯子干透。漏液是开关稳压电源用铝电解电容器的常见故障形式。由于恶劣的使用环境和工作条件，液体泄漏故障时有发生。开关稳压电源用铝电解电容器较常见的失效模式是电容减小、漏电流增大、损耗角正切增大。高压电容批发电容的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、nF、pF（皮法）。

电容与直流偏置电压的关系：***类型电介质电容器的电容与DC偏置电压无关。第二类型电介质电容器的电容随DC偏压而变化，陶瓷电容器允许负载的交流电压与电流和频率的关系主要受电容器ESR的影响；相对来说，C0G的ESR比较低，所以可以承受比较大的电流，对应的允许施加的交流电压也比较大；X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比较大，可以承受C0G以下。同时由于电容远大于C0G，所以施加的电压会比C0G小很多。1类介质电容器允许电压、电流和频率的解释当负载频率较低时，即使负载的交流电压为额定交流电压，当流经电容器的电流低于额定电流时，允许电容器负载额定交流电压，即平坦部分；

MLCC特征:MLCC具有体积小、电容大、高频使用时损失率低、易于芯片化、适合大批量生产、价格低、稳定性高等特点。在信息产品轻薄短小，表面贴装技术(SMT)应用日益普及的市场环境下，其使用量极其巨大。MLCC工艺流程:MLCC制造工艺：以电子陶瓷材料为介质，将预制好的陶瓷浆料流延制成所需厚度的陶瓷介质膜，然后在介质膜上放置印刷内电极，将印刷有内电极的陶瓷介质膜交替堆叠并热压成多个并联的电容器，然后在高温下一次烧结成不可分割的整体芯片，然后在芯片的端部涂上外部电极浆料，使其与内部电极电连接，形成MLCC的两极。MLCC成为使用数量较多的电容。

电容和体积由于电解电容大多采用卷绕结构，容易扩大体积，所以单位体积的电容很大，比其他电容大几倍到几十倍。然而，大电容的获得是以体积膨胀为代价的。开关电源要求更高的效率和更小的体积。因此，有必要寻找新的解决方案来获得具有大电容和小体积的电容器。一旦有源滤波电路用于开关电源的原边，铝电解电容器的使用环境就变得比以前更加恶劣：(1)高频脉冲电流主要是20kHz~100kHz的脉动电流，而且增加很大；(2)变流器主开关管发热，导致铝电解电容器环境温度升高；(3)大部分变换器采用升压电路，所以需要耐高压的铝电解电容。结果，由现有技术制造的铝电解电容器不得不选择大尺寸的电容器，因为它们需要吸收比以前更多的脉动电流。结果，电源的体积巨大，并且难以在小型化的电子设备中使用。为了解决这些问题，有必要研究和开发一种新型的电解电容器，这种电容器体积小，耐高压，并允许大量的高频脉冲电流流过。另外，这种电解电容器，在高温环境下工作，工作寿命长。铝电解电容器由于在负荷工作过程中电解液不断修补并增厚阳极氧化膜（称为补形效应），会导致电容量的下降。高压电容批发

钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸绕制，本身几乎没有电感。北京高压贴片电容

陶瓷电容器的分类:陶瓷电容器根据介质的种类主要可以分为两种，即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。Ⅰ类陶瓷电容器，原名高频陶瓷电容器，是指由陶瓷介质制成的电容器，具有低介质损耗，高绝缘电阻，介电常数随温度线性变化。特别适用于谐振电路和其它损耗低、电容稳定的电路，或用于温度补偿。Ⅱ类陶瓷电容器过去称为低频陶瓷电容器，是指以铁电陶瓷为电介质的电容器，所以又称为铁电陶瓷电容器。这种电容器比电容大，电容随温度非线性变化，损耗大。常用于电子设备中对损耗和电容稳定性要求不高的旁路、耦合或其他电路。北京高压贴片电容