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一种蚀刻液，其特征在于，用来在铜的存在下选择性地蚀刻钛，并且含有：选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸；以及选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物。 根据要求所述硫酮系化合物为选自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。硫醚系化合物为选自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所组成的群组中的至少一种。进一步含有α-羟基羧酸和/ 或α-羟基羧酸的盐。所述α-羟基羧酸为选自由酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸所组成的群组中的至少一种。酸的浓度为20重量％至70重量％；所述有机硫化合物的浓度为0.01重量％至10重量％。α-羟基羧酸和/或α-羟基羧酸的盐的浓度为0.2重量％至5重量％。在铜的存在下选择性地蚀刻钛。专业BOE蚀刻液由苏州博洋化学股份有限公司提供。湖北了解BOE蚀刻液图片

酸性蚀刻液是什么？对于蚀刻液用法的理解,我们可以用个比较通俗的说法，那就是使用具有腐蚀性的一些化学材料对某种物品进行腐蚀，将不需要的部分腐蚀掉，从而将其雕刻成所需要的目标物品的过程。那这个具有腐蚀性的化学材料，就称为蚀刻液了。那专业的蚀刻液解释又是什么呢？蚀刻液是通过侵蚀材料的特性来进行雕刻的一种液体，是一种铜版画雕刻用原料。从理论上讲，凡能氧化钢而生成可溶性铜盐的试剂，都可以用来蚀刻敷铜箔板，但是蚀刻液用途要权衡对抗蚀层的破坏情况、蚀刻速度，溶液再生及铜的回收、环境保护及经济效果等各方面的影响因素选择合适的试剂。福建一种BOE蚀刻液产品介绍苏州博洋化学股份有限公司提供专业蚀刻液。

    蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的，薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft～lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在进行制备时会发热反应，使得装置外壳稳定较高，工作人员直接接触有烫伤风险，热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应，溅出容易伤害工作人员，保护性不足，盐酸硝酸具有较强的腐蚀性，常规的搅拌装置容易被腐蚀，影响蚀刻液的质量，用防腐蚀的聚四氟乙烯搅拌浆进行搅拌，成本过高，且混合的效果不好。所以，如何设计一种ito蚀刻液制备装置，成为当前要解决的问题。

蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻(dryetching)两类。湿蚀刻就是利用合适的化学溶液腐蚀去除材质上未被光阻覆盖（感光膜）的部分，达到一定的雕刻深度。蚀刻精度高，则可以完成精度要求更高的精细零件的加工，扩大蚀刻应用的范围。目前已经使用的蚀刻液类型有六种类型：酸性氯化铜，碱性氯化铜，氯化铁，过硫酸铵，硫酸/铬酸，硫酸/双氧水蚀刻液。常用的化学药水，硝酸、氢氟酸等。BOE蚀刻液的溶液成分。

根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，进一步含有α-羟基羧酸和/ 或α-羟基羧酸的盐。 根据权利要求4所述的蚀刻液，其特征在于，所述α-羟基羧酸为选自由酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸所组成的群组中的至少一种。 根据权利要求1至5中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述酸的浓度为20重量％至70重量％；所述有机硫化合物的浓度为0.01重量％至10重量％。 根据权利要求4至6中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述α-羟基羧酸和/或α-羟基羧酸的盐的浓度为0.2重量％至5重量％。专业BOE蚀刻液厂家，苏州博洋化学股份有限公司欢迎您。福建一种BOE蚀刻液产品介绍

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蚀刻液一般分为酸性蚀刻液和碱性蚀刻液两种。酸性蚀刻液主要成分氯化铜、盐酸、氯化钠和氯化铵。它的机理是：，；酸性蚀刻液具有蚀刻速率易控制,蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量的特性；同时，它的溶铜量大；酸性蚀刻液也较容易再生与回收，从而减少污染。有研究表明，酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3，以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀，达到蚀刻的线条侧壁接近垂直，其蚀刻效果非常好。结合以上特性，酸性蚀刻液一般用于多层印制板的内层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作。湖北了解BOE蚀刻液图片

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