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时间:2023年03月23日 来源:

    采用此方法可以制备出负性光刻胶所能制备的任意结构,同时相比于传统的加工,本方案加工效率可以提高上千倍,且图形的结构越大相对的加工效率越高。本发明为微纳制造领域,光学领域,电学领域,声学领域,生物领域,mems制造,nems制造,集成电路等领域提供了一种新的有效的解决方案。附图说明图1为本发明制备用电子束在pmma上曝光出圆形阵列的轮廓;图2为本发明用黏贴层撕走pmma轮廓以外的结构后得到的圆形柱状阵列;图3为实施例1步骤三的结构图;图4为实施例1步骤四的结构图;图5为实施例1步骤五的结构图;图6为实施例1步骤六的结构图。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步详细的描述。实施例1一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,包括以下步骤:步骤一、提供衬底,并清洗;步骤二、使用十三氟正辛基硅烷利用高温气体修饰法对衬底进行修饰;步骤三、利用旋涂的方法在衬底上旋涂光刻胶pmma得到薄膜,如图3。步骤四、在光刻胶上加工出所需结构的轮廓如圆形,如图4所示。步骤五、在加工出结构轮廓的薄膜上面覆盖一层黏贴层,如图5。步骤六、揭开黏贴层及结构轮廓以外的薄膜,在衬底上留下轮廓内的微纳尺度结构。剥离液的的性价比、质量哪家比较好?东莞配方剥离液联系方式

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    本申请实施例还提供一种剥离液机台的工作方法,请参阅图5,图5为本申请实施例提供的剥离液机台的工作方法的流程示意图,该方法包括:步骤110、将多级腔室顺序排列,按照处于剥离制程的剥离基板的传送方向逐级向剥离基板提供剥离液;步骤120、将来自于当前级腔室经历剥离制程的剥离液收集和存储于当前级腔室相应的存储箱中,所述剥离液中夹杂有薄膜碎屑;步骤130、使用当前级腔室相应的过滤器过滤来自当前级腔室的剥离液并将过滤后的剥离液传输至下一级腔室;步骤140、若所述过滤器被所述薄膜碎屑阻塞,则关闭连接被阻塞的所述过滤器的管道上的阀门开关;步骤150、取出被阻塞的所述过滤器。若过滤器包括多个并列排布的子过滤器,则可以关闭被阻塞的子过滤器的阀门,因此,步骤140还可以包括:若所述过滤器包括多个并列排布的子过滤器,则关闭连接被阻塞的所述子过滤器的管道上的阀门开关。在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其**思想。合肥格林达剥离液价格剥离液应用于什么样的场合?

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    所述硫脲类缓蚀剂包括硫脲、苯基硫脲或月桂酰基硫脲中的一种。具体的,所述聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂为聚氧乙烯聚氧丙烯单丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一种。采用上述技术方案,本发明技术方案的有益效果是:本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度,对金属的腐蚀率低,而且使用寿命长。具体实施方式本发明涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液,配方包括10~20wt%二甲基亚砜,10~20wt%一乙醇胺,5~11wt%四甲基氢氧化铵,~1wt%硫脲类缓蚀剂和~2wt%聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂,5~15wt%n-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂因为分子中的醚键不易被酸、碱破坏,所以稳定性较高,水溶性较好,耐电解质,易于生物降解,泡沫小。硫脲类缓蚀剂呈现弱碱性,所以在酸性介质中能够起到缓蚀的效果,另外与聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂和n-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高处理量的作用。下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。

    这些溶纤剂可以使用1种或组合使用2种以上。本发明剥离液中的溶纤剂的含量没有特别限定,例如,推荐~,更推荐~,特别推荐~。本发明剥离液中,为了抑制对金属的浸蚀性,推荐还含有硅酸盐。硅酸盐没有特别限定,例如,可以举出硅酸钾、硅酸钠等。这些之中推荐硅酸钾。本发明剥离液中的硅酸盐的含量没有特别限定,例如,推荐~,更推荐~,特别推荐~。需要说明的是,本发明剥离液中,推荐*由上述成分构成,但只要不阻碍本发明的效果,可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡剂等其它成分。以上说明的本发明剥离液可以通过将上述成分溶于水中来制备。需要说明的是,本发明剥离液的ph若为碱性则没有特别限定,但通常**将上述成分溶于水就成为碱性,因此没有特别必要调整ph。另外,本发明剥离液可以通过将上述成分分别分开预先溶于水,成为抗蚀剂的剥离液套件,将它们混合来制备。具体来说,可以举出以包含含有钾盐的第1液和含有溶纤剂的第2液为特征的抗蚀剂的剥离液套件、其中还包含含有硅酸盐的第3液的抗蚀剂的剥离液套件、进而在其中使上述其它成分适当含有于各液中的抗蚀剂的剥离液套件等。通过使用本发明剥离液对施加有抗蚀剂的基材进行处理,抗蚀剂被细小地粉碎。哪家公司的剥离液的口碑比较好?

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    所述胶面剥离结构8上方安装有收卷调速器801,所述收卷调速器801一侧安装有收卷驱动电机802,所述收卷驱动电机802一侧安装有辊固定架803,所述辊固定架803一侧安装有胶水盛放箱804,所述胶水盛放箱804下方安装有点胶头805,所述点胶头805下方安装有卷边辊806,所述卷边辊806一侧安装有胶面收卷辊807,所述胶面剥离结构8一侧安装有电加热箱9,所述电加热箱9下方安装有热风喷头10,所述热风喷头10下方安装有干燥度感应器11,所述干燥度感应器11下方安装有电气控制箱12,所述电气控制箱12上方安装有液晶操作面板13。本实施例中,所述主支撑架1与所述横向支架2通过螺栓连接,所述伺服变频电机3与所述电机减速箱4通过导线连接。本实施例中,所述印刷品传送带5与所述印刷品放置箱6通过皮带连接,所述电加热箱9与所述胶面剥离结构8通过导线连接。本实施例中,所述油墨放置箱701与所述油墨加压器702通过管道连接,所述油墨加压器702与所述高压喷头703通过管道连接,所述印刷辊705共有两个,对称设置,所述防溅射挡板704与所述油墨放置箱701焊接。本实施例中,所述收卷调速器801与所述收卷驱动电机802通过导线连接,所述辊固定架803与所述胶面收卷辊807通过轴连接。铜剥离液的配方是什么?合肥格林达剥离液价格

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随着电子元器件制作要求的提高,相关行业应用对湿电子化学品纯度的要求也 不断提高。为了适应电子信息产业微处理工艺技术水平不断提高的趋势,并规范世 界超净高纯试剂的标准,国际半导体设备与材料组织(SEMI)将湿电子化学品按金 属杂质、控制粒径、颗粒个数和应用范围等指标制定国际等级分类标准。湿电子化 学品在各应用领域的产品标准有所不同,光伏太阳能电池领域一般只需要 G1 级水平;平板显示和 LED 领域对湿电子化学品的等级要求为 G2、G3 水平;半导体领域中, 集成电路用湿电子化学品的纯度要求较高,基本集中在 G3、G4 水平,分立器件对 湿电子化学品纯度的要求低于集成电路,基本集中在 G2 级水平。一般认为,产生集 成电路断丝、短路等物理性故障的杂质分子大小为**小线宽的 1/10。因此随着集成 电路电线宽的尺寸减少,对工艺中所需的湿电子化学品纯度的要求也不断提高。从 技术趋势上看,满足纳米级集成电路加工需求是超净高纯试剂今后发展方向之一。东莞配方剥离液联系方式

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