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    且所述限位块438和所述第二限位块439均可在所述限位孔437内移动，通过所述连接部433的限位效果，避免所述支撑条431和所述第二支撑条432在磁力作用下产生脱离，从而使所述支撑条431和所述第二支撑条432在磁力和所述连接部433的限位力作用下保持平衡。一般的，所述位块438和所述第二限位块439均设置为圆柱型，从而便于所述限位块438和所述第二限位块439在所述限位孔437内的移动。当放置于所述底支撑件43上的玻璃受到冲击或振动时，所述支撑条431可相对于所述第二支撑条432作水平方向的偏移移动，或所述限位块438和所述第二限位块439均在所述限位孔437内移动，使所述支撑条431可相对于所述第二支撑条432作竖直方向的移动，从而可实现对各个方向上冲击力或振动的吸收缓冲效果，提高玻璃的安全性。较佳的，所述限位块438和所述第二限位块439可设置为螺钉，所述限位孔437宽度配合所述螺钉的螺纹直径设置，在所述支撑条431和所述第二支撑条432上设置螺纹孔，通过将所述限位块438和所述第二限位块439与所述螺纹孔螺纹连接，从而实现所述限位块438和所述第二限位块439在所述支撑条431和所述第二支撑条432上的固定。通过将所述限位块438和所述第二限位块439设置为螺钉。

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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。如何正确使用减薄用清洗剂的。惠州性价比高的减薄用清洗剂销售电话

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    可有效稳定所述固定板423的竖直放置位置。同时，值得指出的时，所述竖直平板421上所述侧支撑件44的固定方式也可采用板加槽的方式，具体的，所述竖直平板421上设置有若干竖槽，所述竖槽单侧竖直有若干定槽，对应所述定槽设置有带有固定块的安装板，所述安装板对应所述竖槽的侧边设置有至少2个所述固定块，所述安装板远离所述竖槽的侧边设置有所述侧支撑件44，通过将所述固定块分别设置于所述定槽内，从而实现所述侧支撑件44在所述竖直平板421上的固定。通过所述竖直平板421和所述侧板422上的所述侧支撑件44的设置，从而实现对所述玻璃加工治具4上玻璃的侧边位置固定，同时，通过所述侧板422上所述调节槽的设置，可实现所述侧板422上所述侧支撑件44的位置调节，从而使所述玻璃加工治具4适用于不同尺寸的玻璃，并可根据具体玻璃尺寸同时放置不同尺寸的玻璃进行减薄处理。实施例五一般的，对于实施例四中的所述玻璃加工治具4结构，可通过调节所述底支撑件43位置使所述底支撑件43适用于不同尺寸的玻璃。如图7、图8所示，图7为所述底支撑件的结构正视图；图8为所述底支撑件的结构侧视图；所述底支撑件43包括支撑条431、第二支撑条432、连接部433和接触部434。合肥性价比高的减薄用清洗剂私人定做