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    通过旋紧螺钉使螺钉的端头部分与所述支撑条431或所述第二支撑条432接触，从而实现对所述连接部433的固定，避免所述连接部433在振动时发生脱离等情况。同时螺钉的设置，可实现所述底支撑件43结构的快速装卸，便于维修更换。值得指出的是，为达到防止所述连接部433脱离的效果，所述限位块438和所述第二限位块439并非于设置为螺钉，通过在所述限位块438和所述第二限位块439的端部设置横截面合适的部件，使所述限位块438、所述第二限位块439与所述连接部433卡接，即可实现螺钉的效果。所述接触部434设置有弧形槽，玻璃的下边缘设置于所述弧形槽内，从而实现所述底支撑件43对玻璃的位置固定。在进行减薄或其他加工过程中，玻璃通过所述玻璃加工治具4进行移动或放置时，均会产生振动；同时在进行蚀刻冲刷时，在酸液冲击的作用下由于玻璃底部固定，易使玻璃产生弯曲，通过所述底支撑件43的结构设置，可实现设置于所述接触部434上玻璃的悬浮柔性支撑，有效缓冲玻璃所受到的外界压力或冲击力，避免振动或冲击对玻璃带来的损伤；同时可有效降低所述玻璃加工治具4往复移动带来的振动，使玻璃底部在所述连接部433的限制下进行小幅度的移动，在保证玻璃在所述玻璃加工治具4上有效摆动。台州半导体减薄用清洗剂私人定做哪家减薄用清洗剂的质量比较高？

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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。性价比高的减薄用清洗剂的公司。

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