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针座市场占有率及行业分析：针对于电学量测分析设备，针座则是众多量测设备之一，针座也是不可或缺的一部分，就目前国内针座设备的占有率来讲，好的型产品主要集中在欧美以及日本品牌，中端设备主要集中在品牌，而对于量测精度而言，产设备具有一定的优势 ，我公司针座系列产品量测组件均采用欧美品牌设备，所以在量测精度上来讲，可以与欧美及日本品牌相媲美，价格适中，应用普遍，并与国内多家高校及研究所合作。这是由于射频传输线和电压针座之间缺乏阻抗匹配，插入常用电压针座会使得结果出现很大偏差。平面电机由定子和动子组成，它和传统的步进电机相比其特殊性就是将定子展开。福建10pWAFER

半导体生产过程中的探测，可略分为三大类：1.参数探测：提供制造期间的装置特性测量；2.晶圆探测：当制造完成要进行封装前，在一系列的晶圆上(wafer sort)测试装置功能；3.以针座为基础的晶圆处理探测(Final Test)：在出货给顾客前，对封装完成的装置做后的测试。晶圆在通过基本的特性测试后，即进入晶圆探测阶段，此时需要用复杂的机器、视觉及软件来侦测晶圆上的每颗裸晶，精确度约在±2.0μm之间。将晶圆针座的输入输出针座垫片(I/O pads)放在接脚和针座正确对应的晶圆后，针座会将晶圆向上挪动，使其电气和连接于测试仪上的针座接触，以进行探测。当测试完成，则会自动将下一个待测晶圆替换到针座下面，如此周而复始地循环着。福建10pWAFER在实际的芯测试中针座的状态是非常重要的。

针座为研究和工程实验室在测试运行期间移动通过多个温度点时，提供前所未有的自动化水平。这种新技术使针座系统能够感知，学习和反应以多温度和特征的极其复杂的环境。随着集成电路产品不断进入汽车应用等更高发热量的环境，在越来越宽的温度范围内表征器件性能和耐用性变得越来越重要。以前，大多数芯片在两个温度点进行晶圆级测试，通常为20˚C（室温）和90˚C。现在，该范围已经扩大到-40˚C至125˚C，并且可能需要在此范围内的四个温度步骤中进行一整套测试。某些情况下需要更普遍的范围，如-55˚C至200˚C，晶圆可靠性测试可能要求高达300˚C的温度。

晶圆测试基本的一点就是：晶圆测试必须能够辨别芯片的好坏，并使合格芯片继续进入下面的封装工艺。为了确保芯片功能和成品率的有效测试，封装厂商和设备制造者需要不断探索，进而找到高精度、高效率和低成本的测试方法，并运用新的组装工艺要求对晶圆片进行探测，这些要求将引起设备和工艺过程的重大变化。针座从操作上来区分有：手动，半自动，全自动，从功能上来区分有：温控针座，真空针座（低温针座），RF针座，LCD平板针座，霍尔效应针座，表面电阻率针座。针座尖接触电阻即针座尖与焊点之间接触时的层间电阻。

“精确度”是探测仪器基本的指针，涵盖定位、温度及生产率等三个层面。首先，必须能稳定、精确地探测到小型垫片，载台系统亦须精确、能直接驱动晶圆托盘，并在晶圆移动的过程中准确地将晶圆和晶圆对位；其次，必须具备动态监控机制，确保所挟带的空气以监控温度、掌握可靠度和稳定性；后，必须对高产出的进阶移动做动态控制才能拥有佳的终结果。整体而言，针脚和垫片之间的相应精确度应在±1.5μm之间。随着新工艺的微缩，为了强化更小晶粒定位的精确性，需要动态的Z轴辅助校正工作，以避免无谓的产出损失。系统在测试每个芯片的时候对芯片的好坏与否进行判断，发出合格与不合格的信号。福建10pWAFER

针座广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发。福建10pWAFER

针座氧化:通常针座是由钨制成的，它如果长期不用，针尖要形起氧化，针尖如果氧化，接触电阻变大,测试时参数测不稳，为了不使它氧化，我们平时必须保护好针座，把它放在卡盒里，存放在氮气柜中，防止针座的加快氧化，同时测片子时，用细砂子轻轻打磨针尖并通以氮气，减缓氧化过程。针尖高低不平(若针尖高度差在30UM以上):针座使用一段时间后，由于针座加工及使用过程中的微小差异导致所有针座不能在同一平面上会造成。某些针尖位置高的扎不上AL层,使测试时这些针上电路不通。福建10pWAFER

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