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12英寸晶圆在结构上具有更高的效率，以200mm工艺为例，在良率100%的情况下，可出88个完整的晶粒，理论上因方块切割所造成的边缘浪费率为23%(约有20个晶粒因缺角破损而无法使用)；而若以300mm工艺进行切割，则产出效率将更惊人，可产出193个完整的晶粒，会浪费19%的晶圆面积(36个不完整晶粒)。此外，12英寸厂的规模经济优势也不容小视；300mm的建厂成本与200mm的建厂成本比值约为1.5，而晶圆厂建厂成本与晶圆面积的比值却少于2.25，这意味着只要多投入1.5倍的建厂成本，即可多生产2.25倍的晶粒！少少的边际投入即可获取的收益，约可节省33%的成本；如此高报酬的投资效益随着技术的发展而让人们受益。某些针尖位置低的扎伤AL层，对后续封装压焊有影响。辽宁WAFER厂家直销

针座上有细小的金属针座附着，通过降低针座高度或升高芯片的高度使之和芯片上的焊盘接触，可以把卡上的线路和芯片的结合焊盘连起来。之后，运行测试程序检验芯片合格与否。测试完成后，针座于芯片分离，如果芯片不合格，则会在其**做上标记，然后圆片移动到下一个芯片的位置，这种方法可以让圆片上的每一个芯片都经过测试。这一检测过程会在芯片的每个焊盘上留下标记以表明该芯片被测试过了。通常我们作标记的方法是在不合格的芯片上打点。湖南WAFER价格针座是自动测试仪与待测器件之间的接口。

针座氧化:通常针座是由钨制成的，它如果长期不用，针尖要形起氧化，针尖如果氧化，接触电阻变大,测试时参数测不稳，为了不使它氧化，我们平时必须保护好针座，把它放在卡盒里，存放在氮气柜中，防止针座的加快氧化，同时测片子时，用细砂子轻轻打磨针尖并通以氮气，减缓氧化过程。针尖高低不平(若针尖高度差在30UM以上):针座使用一段时间后，由于针座加工及使用过程中的微小差异导致所有针座不能在同一平面上会造成。某些针尖位置高的扎不上AL层,使测试时这些针上电路不通。

针座是半导体（包括集成电路、分立器件、光电器件、传感器）行业重要的检测装备之一，其普遍应用于复杂、高速器件的精密电气测量，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。针座用于晶圆加工之后、封装工艺之前的 CP 测试环节，负责晶圆的输送与定位，使晶圆上的晶粒依次与针座接触并逐个测试。在半导体器件与集成电路制造工艺中，从单晶硅棒的制取到终器件制造的完成需经过复杂的工序，可分为前道工序与后道工序，针座是检测半导体芯片的电参数、光参数的关键设备。经过检测，针座将参数特性不符合要求的芯片记录下来，在进入后序工序前予以剔除，降低器件的制造成本。针座由于动子和定子间无相对摩擦故无磨损，使用寿命长。

针座为研究和工程实验室在测试运行期间移动通过多个温度点时，提供前所未有的自动化水平。这种新技术使针座系统能够感知，学习和反应以多温度和特征的极其复杂的环境。随着集成电路产品不断进入汽车应用等更高发热量的环境，在越来越宽的温度范围内表征器件性能和耐用性变得越来越重要。以前，大多数芯片在两个温度点进行晶圆级测试，通常为20˚C（室温）和90˚C。现在，该范围已经扩大到-40˚C至125˚C，并且可能需要在此范围内的四个温度步骤中进行一整套测试。某些情况下需要更普遍的范围，如-55˚C至200˚C，晶圆可靠性测试可能要求高达300˚C的温度。某些针尖位置高的扎不上AL层,使测试时这些针上电路不通。四川WAFER

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如何判断针座的好坏：1.可以用扎五点来判断，即上中下左右，五点是否扎在压点内，且针迹清楚,又没出氧化层,针迹圆而不长且不开叉.2.做接触检查,每根针与压点接触电阻是否小于0.5欧姆.3.通过看实际测试参数来判断,针座与被测IC没有接触好，测试值接近于0。总之，操作工只要了解了针座故障的主要原因：1.针座氧化.2.针尖有异物(铝粉，墨迹，尘埃).3.针尖高度差.4.针尖异常(开裂，折断，弯曲，破损)。.5.针尖磨平.6.针座没焊好.7.背面有突起物，焊锡线头.8.操作不当。平时操作时应注意:1.保护好针座,卡应放到氮气柜中.2.做好针座的管理工作.3.规范操作,针尖不要碰伤任何东西。同时加强操作人员的技能培训。有利于提工作效率和提高质量。辽宁WAFER厂家直销