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时间:2024年03月23日 来源:

    [4]二极管发光二极管发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件,简称LED(LightEmittingDiode)。和普通二发光二极管极管相似,发光二极管也是由一个PN结构成。发光二极管的PN结封装在透明塑料壳内,外形有方形、矩形和圆形等。发光二极管的驱动电压低、工作电流小,具有很强的抗振动和冲击能力、体积小、可靠性高、耗电省和寿命长等优点,广用于信号指示等电路中。[4]在电子技术中常用的数码管,发光二极管的原理与光电二极管相反。当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来,这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。它的光谱范围比较窄,其波长由所使用的基本材料而定。[4]二极管特性参数编辑用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。[4]二极管伏安特性二极管具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线如图所示[5]。二极管的伏安特性曲线在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示[4]。对于锗二极管,开启电压为。 二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。山东进口Infineon英飞凌二极管厂家直销

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    外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。[5]二极管PN结形成原理P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。P型和N型半导体因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位,使硼原子成了不能移动的负离子,而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子,如磷等。掺入后,它与硅原子形成共价键,产生了自由电子。在N型半导体中,电子为多数载流子。 山东进口Infineon英飞凌二极管厂家直销当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程。

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    还有节能、驱动和控制简易、无需维护等特点。发光二极管替代霓虹灯将是照明设备发展的必然结果。二极管压降是什么意思二极管的管压降就其本质而言还是一个电阻,只是导通的时候电阻很小,不导通的时候接近无穷大,而导通时候的电阻会分担一定的电压,所以叫管压降。二极管的压降是,低于这个电压二极管是不会导通的,高于这个电压,则会导通。在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向低电压,小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约~V;锗二极管约~V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。二极管压降多少一般来说由于硅管的伏安特性曲线在,也就是说继续增加正向电压会产生很大的电流,换句话说在,随着电流的增加,电压的增加幅度很小,仍然可以认为压降还是。因为有,不可以等同于导线,二极管两端电压就是压降,当二极管导通时这个电压约为,当然不是0。当电流不变化时,可以等同于电阻,其阻值就是,但是把它视作一个。从特性曲线来看,正向电压大于,若继续增加电压,电流会急剧增加,实际应用中因为限流电阻的存在这个电流不可能很大。若一个二极管D一个电阻R和一个电源U串联的话,电流的计算方法是()/R。

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。 掺入后,它与硅原子形成共价键,产生了自由电子。在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。

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二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件[1]。它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开[2]。二极管是早诞生的半导体器件之一,其应用非常广。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能[3]。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中,都可以找到二极管的踪迹[3]。中文名二极管外文名Diode特性单向导电性应用家用电器、工业控制电路等类别半导体器件组成材料硅、硒、锗等目录1结构组成2工作原理▪PN结形成原理▪PN结单向导电性3主要分类▪点接触型二极管▪面接触型二极管▪平面型二极管▪稳压管▪光电二极管▪发光二极管4特性参数▪伏安特性▪正向特性▪反向特性▪击穿特性▪反向电流▪动态电阻▪电压温度系数▪高工作频率▪大整流电流▪高反向工作电压5检测方法▪小功率晶体二极管▪双向触发二极管▪瞬态电压抑制二极管▪高频变阻二极管▪变容二极管▪单色。由N区引出的电极是负极,又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向,二极管的文字符号用VD表示。山西Infineon英飞凌二极管销售

因此,在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素,便形成了P型区和N型区。山东进口Infineon英飞凌二极管厂家直销

    阻尼二极管具有较高的反向工作电压和峰值电流,正向压降小,高频高压整流二极管,用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。阻尼二极管多用于黑白或彩色电视机行扫描电路中的阻尼、整流电路里,可以是硅二极管或锗二极管。它具有类似高频高压整流二极管的特性。它的反向恢复时间很小,能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流,既能在高频(行频)下工作又具有较低正向电压降。[1]中文名阻尼二极管外文名Dampingdiode常用2AN系列,2CN系列特点能承受较高的反向击穿电压属于二极管应用电视机目录1简介2复合阻尼二极管3阻尼二极管选择4用途阻尼二极管简介编辑电视接收机里的行输出电路在行扫描正程开始时,因行输出管截止,会在偏转线圈与逆程电容组成的电路中产生振荡。将二极管负极接到行输出管c极(集电极),二极管正极接至行输出管e极(发射极),于是振荡就被迫停止,二极管起到了阻尼作用,故称阻尼二极管。下图是阻尼二极管的外形。阻尼二极管阻尼二极管类似于高频、高压整流二极管,其特点是具有较低的电压降和较高的工作频率,且能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流。阻尼二极管主要用在电视机中,作为阻尼二极管、升压整流二极管或大电流开关二极管使用。 山东进口Infineon英飞凌二极管厂家直销

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