滤波电容器改善电能质量

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    术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，*是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。实施例1本实施例提供一种直插型铝电解电容器，如图1-图6所示，包括铝电解电容器主体1，铝电解电容器主体1的底端设有一对引脚11，铝电解电容器主体1顶端面的边缘处开设有呈下凹状的环槽1a，两个引脚11插接在定位装置2上，定位装置2包括和铝电解电容器主体1底端相贴合的兜条21、位于兜条21的左右两端的侧条22以及一体成型在侧条22侧端的定位凸条23，侧条22的顶端在铝电解电容器主体1的顶端边缘处折弯并伸入到环槽1a内。本实施例中，兜条21、侧条22以及定位凸条23为铝制材料制成的一体成型结构，使得定位装置2便于进行折弯成型，且兜条21、侧条22以及定位凸条23的表面均涂覆一层绝缘材料，避免和两个引脚11接触造成短路。具体的。新疆静态或动态电容器提供功率因素串联电容器，串联于工频高压输、配电线路中，用以补偿线路的分布感抗。

    电介质层)140、以及第二电极130。特别地，图2中的memsrf开关具有结构层131，第二电极130被布置在结构层131上。同样，空气间隙160存在于第二电极130和绝缘体140之间。当施加偏置电压(在驱动电极或主电极上)时，至少一个电极可能会热膨胀并且在绝缘体140的方向上偏移，从而会与绝缘体140接触。像这样，电极120、绝缘体140和第二电极130一起作用为电容器，并且rf开关200被打开，转而允许rf信号以预定频带从中经过。然而，如果未施加偏置电压，第二电极130与绝缘体140分离。结果，rf开关200被关闭，并且不允许rf信号从中经过。在实施例中，当施加偏置电压时，第二偏置电极130、151带正电产生正电荷(+)的集聚以及偏置电极120、150带负电产生负电荷(-)的集聚。同时，绝缘体140上的电荷可以维持为0，不依赖于偏置电压的施加。然而，在实践中，电荷集聚常常出现在绝缘体140。因此，在绝缘体140上检测到的电荷不总为0。图3图示根据本发明实施例的mim电容器的微结构300。在实施例中，mim电容器的微结构300包括：衬底110，具有顶表面111，电极120，具有与衬底110顶表面111平行的水平定向，其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。

    并且其他条件适于沉积，硅表面可以被调整使得所沉积的材料基本上可以被直接沉积在硅表面上。在其上待被沉积层的硅表面的调整可以包括对硅膜表面进行化学洁净处理，以除去杂质和/或氧化。当硅表面经由氧化环境被送进反应空间时(例如，当将暴露的硅表面从一个沉积工具传送到另一个时)，尤其对氧的去除是有益的。鉴于本说明书，从硅膜的表面去除杂质和/或氧化物的方法的细节对于技术人员将是显而易见的。在本发明的一些实施例中，调节可以在原位进行，即在适合于ald型工艺的工具外部进行。在硅衬底被调整完成后，可以开始将沉积表面交替暴露于不同的前驱体化学物中，以在硅衬底上直接形成进一步的层。由于对应的前驱体与沉积表面的吸附反应，沉积表面每一次暴露于前驱体都会引起在沉积表面上附加沉积的形成。适于ald型沉积的典型反应器包括用于将诸如氮气或氩气的运载气体引入反应空间的系统，使得可以在将下一个前驱体化学物引入到反应空间之前，将剩余的化学物和反应产物从反应空间中处理。该特征与受控剂量的汽化前驱体一起使得能够将基材表面交替地暴露于前驱体，而不会在反应空间或反应器的其他部分中大量混入不同的前驱体。在实践中。电容器的电容量的基本单位是法拉(F)。

    本申请大体上涉及微结构、制造技术和半导体装置。特别地，但非排他地，本申请涉及微机电系统(mems)结构、集成无源器件(ipd)、开关电容器、金属-绝缘体-金属(mim)电容器和微机电系统(mems)开关。背景技术：本章节说明了有用的背景信息，但未示出本文中描述的、表示现有技术的任何技术。利用微机电系统(mems)技术制造的组件正在被并入日益增长的许多消费者应用中，这些应用包括，但不限于，汽车电子、医疗仪器、智能电话、硬盘驱动器、计算机**设备和无线设备。mems技术涉及使用微制造技术来形成小型化机电设备和结构。mems设备通常具有某种形式的机械功能，通常是以至少一个活动结构的形式。结构可以通过一系列的工艺步骤被形成在适当的衬底上，这些工艺步骤包括被影印平板印刷地遮蔽和刻蚀的薄膜沉积。例如，mems机械元件、传感器和致动器可以被集成在具有互补金属氧化物半导体(cmos)器件的普通衬底上。集成无源器件(ipd)技术是用于在低损耗衬底中实现***因子(q)无源的方式。将大部分无源组件组合到ipd并且然后将基于ipd的模块集成到子系统，这使高性能、高集成度和较低的组装成本成为可能。特别是需要高q电感器的rf前端模块和组件有利于集成到ipd。当电容器在交流电压下使用时，常以其无功功率表示电容器的容量，单位为乏或千乏。贵州补偿电容器防爆保险化工厂煤矿**

低压电容器按性质分油浸纸质电力电容器和自愈式电力电容器,按功能分普通电力电容器和智能式电力电容器。滤波电容器改善电能质量

    过孔可以将金属化层和/或金属化层上的无源器件连接到第二金属化层和/或第二金属化层上的无源器件。每个无源器件可以被实现在集成无源器件(ipd)的一层或多层上。附加的焊盘可以被设置在微结构100、200、300上。焊盘可以通过键合线被连接到焊盘。焊盘可以被连接到金属化层和/或金属化层中的无源器件。在不以任何方式限制下面出现的权利要求的范围、解释或应用的情况下，因为针对尤其是底电极的厚金属化，本文公开的一个或多个示例实施例的技术效果是，改进的rf功率处理。本文公开的一个或多个示例实施例的另一技术效果是，改进的品质因子(q)。本文公开的一个或多个示例实施例的另一技术效果是，后加工相比已知方法更容易。本文公开的一个或多个示例实施例的另一技术效果是，由于光滑的底电极，在电介质层中没有台阶覆盖问题，以及在结构层中没有台阶。这导致更高的电压和功率处理。本文公开的一个或多个示例实施例的另一个技术效果是，改进的微结构的制造工艺。本文公开的一个或多个示例实施例的另一技术效果是，提供了可靠且紧凑的半导体装置。尽管本发明的各个方面将在**权利要求中被陈述，本发明的其他方面包括来自所述实施例和/或从属权利要求的特征。滤波电容器改善电能质量

上海东容电器有限公司是一家电容器、石墨制品的生产，电器机械及器材的组装，电器、元器件、五金交电、化工产品（除危险化学品、监控化学品、烟花爆竹、民用物品、易制毒化学品）、塑料制品、建筑材料的销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】的公司，致力于发展为创新务实、诚实可信的企业。公司自创立以来，投身于电容器，电抗器，电能质量，有源滤波，是电工电气的主力军。上海东容电器不断开拓创新，追求出色，以技术为先导，以产品为平台，以应用为重点，以服务为保证，不断为客户创造更高价值，提供更优服务。上海东容电器始终关注电工电气市场，以敏锐的市场洞察力，实现与客户的成长共赢。