江苏并联电容器圆柱型长方型椭圆型

    在实施例中，半导体装置包括钝化层，被布置在硅衬底层和金属层之间。在实施例中，半导体装置包括在至少一个电极的至少一个金属层的表面上延伸的至少一个阻挡层。在实施例中，电介质层包括原子层沉积(ald)生长的氧化铝层。在实施例中，电介质层包括等离子体增强的化学气相沉积(pecvd)层。已经在前面说明了本发明不同的非约束性示例方面和实施例。在前面的实施例*用于解释可以被利用在本发明实现中的所选方面或步骤。一些实施例可以*参考本发明的某些示例方面来被呈现。应当理解，对应的实施例也可以应用到其他示例方面。附图说明为了更好地理解本发明的示例实施例，现在参考结合附图进行以下描述，其中：图1图示了根据本发明实施例的微结构的部分轮廓/侧面图；图2图示了根据本发明实施例的mems开关的微结构；图3图示了根据本发明实施例的mim电容器的微结构；以及图4示出了根据本发明实施例的方法的流程图。具体实施方式在实施例中，公开了微结构，诸如微机电系统(mems)开关、金属-绝缘体-金属(mim)电容器或无源组件和使用电感器和电容器实现的电路。例如，集成无源器件(ipd)技术也可以通过混合集成的有源电路被用作针对多芯片模块技术的集成平台。智能电容器是集成了现代测控,电力电子,网络通讯,自动化控制,电力电容器等先进技术。江苏并联电容器圆柱型长方型椭圆型

    第二电极130被形成在电介质层140上方。在步骤470中，方法结束。在实施例中，钝化层包括氧化铝并且钝化层被形成在硅衬底的表面上，以通过制造在钝化层与导电电极之间的阻挡层保护免于受到由钝化层与导电电极之间的化学相互作用所引起的影响。可以通过将钝化层暴露在反应空间中，以交替地重复两种或多种不同前驱体(其中至少一种前驱体是针对氧的前驱体)的表面反应，来在钝化层上沉积阻挡层，阻挡层包括钛和氧、钽和氧、锆和氧、铪和氧、或它们中的任何组合、或它们与铝和氧的任何组合，以及通过在阻挡层上制备包括铝浆的层，来在沉积在钝化层上的阻挡层上形成导电电极。反应空间可以被随后地抽真空至适当的压强，用于形成包括氧化铝的钝化层。反应空间可以使用，例如机械真空泵来被抽真空至适当的压强，或者在ald系统和/或工艺的大气压强的情况下，可以设置气流以保护沉积区域免受大气的影响。通过所使用的方法，硅衬底也可以被加热至适于形成钝化层、导电层或电介质层的温度。硅衬底可以通过例如，密封的装载锁系统或*通过装载仓口被引入到反应空间。硅衬底可以被电阻加热元件加热，该电阻加热元件也加热整个反应空间。在硅衬底和反应空间已经到达目标温度之后。江苏并联电容器圆柱型长方型椭圆型简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（包括空气）构成的。

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    并且其他条件适于沉积，硅表面可以被调整使得所沉积的材料基本上可以被直接沉积在硅表面上。在其上待被沉积层的硅表面的调整可以包括对硅膜表面进行化学洁净处理，以除去杂质和/或氧化。当硅表面经由氧化环境被送进反应空间时(例如，当将暴露的硅表面从一个沉积工具传送到另一个时)，尤其对氧的去除是有益的。鉴于本说明书，从硅膜的表面去除杂质和/或氧化物的方法的细节对于技术人员将是显而易见的。在本发明的一些实施例中，调节可以在原位进行，即在适合于ald型工艺的工具外部进行。在硅衬底被调整完成后，可以开始将沉积表面交替暴露于不同的前驱体化学物中，以在硅衬底上直接形成进一步的层。由于对应的前驱体与沉积表面的吸附反应，沉积表面每一次暴露于前驱体都会引起在沉积表面上附加沉积的形成。适于ald型沉积的典型反应器包括用于将诸如氮气或氩气的运载气体引入反应空间的系统，使得可以在将下一个前驱体化学物引入到反应空间之前，将剩余的化学物和反应产物从反应空间中处理。该特征与受控剂量的汽化前驱体一起使得能够将基材表面交替地暴露于前驱体，而不会在反应空间或反应器的其他部分中大量混入不同的前驱体。在实践中。使充电后的电容器失去电荷(释放电荷和电能)的过程称为放电。

    电介质层)140、以及第二电极130。特别地，图2中的memsrf开关具有结构层131，第二电极130被布置在结构层131上。同样，空气间隙160存在于第二电极130和绝缘体140之间。当施加偏置电压(在驱动电极或主电极上)时，至少一个电极可能会热膨胀并且在绝缘体140的方向上偏移，从而会与绝缘体140接触。像这样，电极120、绝缘体140和第二电极130一起作用为电容器，并且rf开关200被打开，转而允许rf信号以预定频带从中经过。然而，如果未施加偏置电压，第二电极130与绝缘体140分离。结果，rf开关200被关闭，并且不允许rf信号从中经过。在实施例中，当施加偏置电压时，第二偏置电极130、151带正电产生正电荷(+)的集聚以及偏置电极120、150带负电产生负电荷(-)的集聚。同时，绝缘体140上的电荷可以维持为0，不依赖于偏置电压的施加。然而，在实践中，电荷集聚常常出现在绝缘体140。因此，在绝缘体140上检测到的电荷不总为0。图3图示根据本发明实施例的mim电容器的微结构300。在实施例中，mim电容器的微结构300包括：衬底110，具有顶表面111，电极120，具有与衬底110顶表面111平行的水平定向，其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的氧化膜作介质的电容器。江苏并联电容器圆柱型长方型椭圆型

低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。江苏并联电容器圆柱型长方型椭圆型

    其中电极120被嵌入在衬底110内，使得电极120的顶表面121与衬底110的顶表面111一致。微结构200还包括：电介质层140，被布置在电极120的顶表面121上；以及第二电极130，被布置在电介质层140的上方。在实施例中，微结构200还包括结构层131，具有梁结构，其中梁结构的两端均固定到衬底110，并且结构层131包括第二电极130，被设置在结构层131的面对衬底110的表面上。在实施例中，微结构200还包括：至少一个下驱动电极150，被设置在结构层131的下方，以及至少一个上驱动电极151，被设置在结构层131的面对衬底110的表面上。从而，当电势差被布置在上驱动电极151和下驱动电极150之间时，结构层131被静电引力朝向衬底110吸引，使得操作为上开关电极的第二电极130以及操作为下开关电极的电极120开始彼此接触。在实施例中，驱动电极150、151可以与电极120和第二电极130集成，或者电极120和第二电极130可以被用于为电势差提供偏置电压。本发明的实施例使新型的mems开关器件成为可能，这种新型的mems开关器件的底电极比现有已知系统的更厚。当该技术被用作开关电容器技术时，这降低了mems开关技术的损耗以及增大了品质因子(q)。电极120金属化的顶表面可以被抛光/平坦化生成光滑的顶表面。江苏并联电容器圆柱型长方型椭圆型

上海东容电器有限公司是一家电容器、石墨制品的生产，电器机械及器材的组装，电器、元器件、五金交电、化工产品（除危险化学品、监控化学品、烟花爆竹、民用物品、易制毒化学品）、塑料制品、建筑材料的销售。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】的公司，致力于发展为创新务实、诚实可信的企业。公司自创立以来，投身于电容器，电抗器，电能质量，有源滤波，是电工电气的主力军。上海东容电器不断开拓创新，追求出色，以技术为先导，以产品为平台，以应用为重点，以服务为保证，不断为客户创造更高价值，提供更优服务。上海东容电器始终关注电工电气市场，以敏锐的市场洞察力，实现与客户的成长共赢。