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浸没式光刻的原理 浸没式光刻技术需要在光刻机投影物镜***一个透镜的下表面与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的液体。浸没式光刻机工作时并不是把晶圆完全浸没在水中，而只是在曝光区域与光刻机透镜之间充满水。光刻机的镜头必须特殊设计，以保证水随着光刻机在晶圆表面做步进-扫描运动，没有泄露;水中没有气泡和颗粒。在193nm波长下，水的折射率是1.44，可以实现NA大于1。 此技术在原来的193nm干式光刻技术平台之上，因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大，获得了人们的极大赞赏。 辽宁光刻来电咨询

光刻是生产半导体元件时的一个工业步骤，该步骤将印在光掩膜上的外形结构转移到基质的表面上。光刻与印刷术中的平版印刷的工艺过程类似。基质一般是硅、砷化镓晶体的芯片，也可以是其他半导体的芯片。玻璃、蓝宝石或者金属也可以作为基质。 光刻的优点在于它可以精确地控制形成的形状的大小和样子，此外它可以同时在整个芯片表面产生外形轮廓。它**主要得缺点在于它必须在平面上使用，在不平的表面上它的效果不很好，此外它要求极其高的清洁条件。在生产复杂的集成电路的过程中一块芯片可能经过50多次光刻。在生产薄膜晶体管的过程中所需要的光刻过程要少得多正规光刻来电咨询

EUV技术慢慢开始替代了一部分的浸没式光刻，EUV技术以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm，它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。EUV光刻所能提供的高分辨率已经被实验所证实。光刻机供应商已经分别实现了20nm和14nm节点的SRAM的曝光，并与193i曝光的结果做了对比。显然，即使是使用研发机台，EUV曝光的分辨率也远好于193i。14nm节点图形的曝光聚焦深度能到达250nm以上。

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。 随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。

准分子光刻技术作为当前主流的光刻技术，主要包括：特征尺寸为0．1μm的248　nm　KrF准分子激光技术；特征尺寸为90　nm的193　nm　ArF准分子激光技术；特征尺寸为65　nm的193　nm　ArF浸没式技术（Immersion，193i）。其中193　nm浸没式光刻技术是所有光刻技术中**为长寿且**富有竞争力的，也是如何进一步发挥其潜力的研究热点。传统光刻技术光刻胶与曝光镜头之间的介质是空气，而浸没 式技术则是将空气 换成液体介质。实际上，由于液体介质的折射率相比空气介质更接近曝光透镜镜片材料的折射率，等效地加大了透镜口径尺寸与数值孔径（NA），同时可以 ***提高焦深（DOF）和曝光工艺的宽容度（EL），浸没式光 刻 技 术 正 是 利 用 这 个 原 理 来 提 高 其 分 辨率。福建光刻多少钱

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虽然浸入式光刻已受到很大的关注，但仍面临巨大挑战，浸入式光刻的挑战在于控制由于浸入环境引起的缺点，包括气泡和污染;抗蚀剂与流体或面漆的相容性，以及面漆的发展;抗蚀剂的折射指数大于1.8;折射指数大于1.65的流体满足粘度、吸收和流体循环要求;折射指数大于1.65的透镜材料满足透镜设计的吸收和双折射要求。 光蚀刻系统制造的精细程度取决于很多因素。但是实现跨越性进步的有效方法是降低使用光源的波长，光刻机厂商们就是这么做的，他们将晶圆曝光工具从人眼可见的蓝光端开始逐渐减小波长，直到光谱上的紫外线端。辽宁光刻来电咨询

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