标准PV二极管激光器量大从优

时间:2021年03月14日 来源:

双异质结(DH)平面条形结构,这种结构由三层不同类型半导体材料构成,不同材料发射不同的光波长。结构中间有一层厚0.1-0.3um的窄带隙P型半导体,称为有源层;两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体,称为限制层。三层半导体置于基片(衬底)上,前后两个晶体理解面作为反射镜构成法布里-珀罗(F-P)谐振腔。DH激光器工作原理:由于限制层的带隙比有源层宽,施加正向偏压后,P层的空穴和N层的电子注入有源层。P层带隙宽,导带的态比有源层高,对注入电子形成了势垒,注入到有源层的电子不可能扩散到P层。同理,注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。这样,注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.1-0.3um的有源层内形成粒子数反转分布,这时只要很小的外加电流,就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。 二极管激光器的标称使用寿命通常达数万小时。标准PV二极管激光器量大从优

从半导体的激光dao器的发展历du程来看,自1962年问世以来zhi,从**初dao的低温(77K)下运转发展到现内在的容室温下连续工作,由小功率型到现在实现的大功率输出,其结构也从**开始的同质结发展成异质结、量子阱,从F-P谐振腔到分布反馈型(DFB)、布拉格发射型(DBR)等270余种结构形式的半导体激光器。

需要关注的参数:

1 工作温度

2 中心波长

3 阈值电流

4 外微分量子效率ηd (斜率效率)

5 波长随温度的变化趋势:

对F-P-LD,当激光器的温度升高时,有源区的带隙将变窄,同时波导层的有效折射率发生改变,峰值波长将向长波长方向移动。约为0.5nm/℃ 。

6 边模***比

7 上升/下降时间

8 串联电阻

9 热阻


海南PV二极管激光器价格有时也称为激光可携式激光器增益媒质。

发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)的化合物制成。

当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光,氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机光二极发管LDE。

激光二极管包括单一质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低,输出功率高的优点,是目前市场应用的主流产品。同激光器相比,激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点,但其输出功率小(一般小于2mw),线性差、单色性不太好、使其在有线电视系统中的应用受到很大限制,不能传输多频道,高性能模拟信号。在双向光接收机的回传模块中,上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。

半导体激光二极管的基本结构为,垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔,它们可以是半导体晶体的解理面,也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。

半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时,会削弱PN结势垒,迫使电子从N区经PN结注入P区,空穴从P区经过PN结注入N区,这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合,从而发射出波长为λ的光子,其公式如下:

λ = hc/Eg (1)

式中:h—普朗克常数; c—光速; Eg—半导体的禁带宽度。


这种反转在整个激光发射作用过程中尽可能有效地保持下去,要求工作物质具有合适的能级结构和跃迁特性。

Ho-YAG激光器:可产生对人眼安全的2097nm和2091nm激光,主要适用于光通信,雷达和医学应用。Ho-YAG激光器对冷却和干燥度有严格的要求,水冷控制在10摄氏度以下。干燥装置要确保没有水蒸气的影响。处于对人眼安全波段的范围内,由于水吸收大,穿透深度非常浅,**降低了对人体特别是对眼睛的意外伤害的可能性。

Er-YAG激光器:输出2.9um的波长,能被水吸收,主要应用在医学中。该晶体主要吸收可见光和紫外光,所以光腔反射镜的材料多使用又高反射的铝和银。目前Er-YAG激光器的比较大输出功率可达3瓦,比较大脉冲输出可达到5J。是迄今输出功率比较大的效率比较高的长波长固体激光器。人体对2940nm的吸收是10640nm的十倍,所以激光外科和血管外科有很大的应用潜力。


二极管激光器冷却技术的寿命有时可能比激光器本身的寿命更短。标准PV二极管激光器量大从优

德国罗芬PowerLine SL PV系列大功率二极管激光器系统。标准PV二极管激光器量大从优

    激光二极管本质上是一个半导体二极管,按照P-N结材料是否相同,可以把激光二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低,输出功率高的优点,是市场应用的主流产品。作为元件材料,使用AlGaAs、InGaAlP、InGaN、ZnO等化合物半导体,由于LSI及Tr、Di等使用的Si跃迁概率(电流转变为光的概率)较差,因此不适用于激光二极管。①波长:即激光管工作波长,可作光电开关用的激光管波长有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。②阈值电流:即激光管开始产生激光振荡的电流,对一般小功率激光管而言,其值约在数十毫安,具有应变多量子阱结构的激光管阈值电流可低至10mA以下。③工作电流:即激光管达到额定输出功率时的驱动电流,此值对于设计调试激光驱动电路较重要。④工作电压:是发出规定的光输出时需要的正向电压。⑤光输出功率:比较大允许的瞬时光学功率输出。这适用于连续或脉冲操作模式。⑥暗电流:光电二极管反向偏置时的泄漏电流。暗电流既取决于温度又取决于电压,理想的二极管/光电二极管在相反的方向上没有电流。 标准PV二极管激光器量大从优

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