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磁控溅射镀膜生产ZnO∶Al（AZO）薄膜的工艺探讨目前主要的薄膜太阳能电池有：碲化镉（CdTe）系薄膜太阳能电池、硒铟铜（CIS）系薄膜太阳能电池、非晶硅系薄膜太阳能电池、晶硅系薄膜太阳能电池。研究人员研制出了价格低廉、原材料丰富且性能稳定的绒面ZnO∶Al陷光结构来作为薄膜太阳能电池的前电极。具有弹坑状绒面结构的AZO透明导电薄膜可以增强太阳光的散射作用，改善陷光效果，增加电池对太阳能的吸收量，提高薄膜太阳能电池的转换效率。磁控溅射镀膜工艺在玻璃衬底上制作AZO透明导电薄膜具有成膜速度快、膜层均匀、成膜面积大等优点，是较为合适的生产AZO薄膜的工艺方法。目前由磁控溅射工艺生产透明导电薄膜AZO时所用靶材有两种类型：①陶瓷AZO靶材；②合金锌铝靶材。应根据实际情况，选择适合本企业的靶材产品。作为一种新的TCO材料，AZO相对于ITO和FTO有很大优势，要大规模产业化还必须在如何降低设备及工艺成本上进一步研发。从根本上说，AZO薄膜的结构性能的好坏决定了其光电性能的优劣，必须在工艺参数上多做研究，实现高质量和低成本的双赢。磁控溅射金属靶时，无法起辉的原因有很多，常见主要原因。苏州钛酸锂靶功能

ITO薄膜制作过程中的影响因素    ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性，有时候表面光洁度比较低，出现“麻点”的现象，有时候会出现高蚀间隔带，在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带，有时候会出现微晶沟缝。         常用的ITO靶材是通过烧结法生产的，就是由氧化铟（In2O3）和氧化锡（SnO2）粉末按照一定的比例进行混合，通常质量比是90%In2O3和10% SnO2，形成的黑灰色陶瓷半导体（氧化铟锡，ITO）。一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量，深灰色是好的，相反越黑质量越差，我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。         研究显示，在真空镀膜机ITO薄膜溅镀过程中，使用磁控溅射的方式，基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下，电阻率达到低，而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高，晶粒尺寸也逐渐增大，超过200℃后透射率趋于减弱；使用电子束蒸镀的方式，随着退火温度升高，晶粒尺寸变大，表面形貌均一稳定，超过600℃后颗粒变得大小不一，形状各异，小颗粒团聚现象严重，薄膜表面形貌破坏。常州锌镁钙靶图片5. 永磁靶表面场强是否下降太多？ ---------如果下降太多，需要更换磁钢。

电致变色的工作原理：   电致变色材料在外加电场作用下发生电化学氧化还原反应，得失电子，使材料的颜色发生变化电致变色器件的典型结构器件结构从上到下分别为：玻璃或透明基底材料、透明导电层（如：ITO）、电致变色层、电解质层、离子存储层、透明导电层（如：ITO）、玻璃或透明基底材料。器件工作时，在两个透明导电层之间加上一定的电压，电致变色层材料在电压作用下发生氧化还原反应，颜色发生变化；而电解质层则由特殊的导电材料组成，如包含有高氯酸锂、高氯酸纳等的溶液或固体电解质材料；离子存储层在电致变色材料发生氧化还原反应时起到储存相应的反离子，保持整个体系电荷平衡的作用，离子存储层也可以为一种与前面一层电致变色材料变色性能相反的电致变色材料，这样可以起到颜色叠加或互补的作用。如：电致变色层材料采用的是阳极氧化变色材料，则离子存储层可采用阴极还原变色材料。

磁控靶溅射沉积率的影响因素 溅射沉积率是表征成膜速度的参数，其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外，还受靶面的功率密度，亦即靶电源输出的“溅射电压与电流”两个重要因素的直接影响。 1、溅射电压与沉积率   在影响溅射系数的诸因数中，当靶材、溅射气体等业已选定之后，比较起作用的就是磁控靶的放电电压。一般来说，在磁控溅射正常工艺范围内，放电电压越高，磁控靶的溅射系数就越大。 2、溅射电流与沉积率 磁控靶的溅射电流与靶面离子流成正比，因此对沉积率的影响比电压要大得多。增加溅射电流的办法有两个：一个是提高工作电压;另一个是适当提高工作气体压力。 3、溅射功率与沉积率   一般来说，磁控靶的溅射功率增高时，薄膜的沉积率速率也会变大;这里有一个先决条件，就是：加在磁控靶的溅射电压足够高，使工作气体离子在阴-阳极间电场中获得的能量，足以大过靶材的“溅射能量阀值”。所以在安装靶材时需要对阴极冷却水槽进行检查和清理，确保冷却水循环的顺畅和进出水口不会被堵塞。

真空熔炼 Mn-F2701 电解锰 片状  99.7% 1-10mm 真空熔炼 Co-F3501 电解钴 片状 99.95% 1-10mm 真空熔炼 Co-I3504 电积钴 块状 99.95% 40*40*5mm 真空熔炼 Co-G3533 钴 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 W-G3536 m 真空熔炼 Ta-G3533 钽 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Nb-G3533 铌 颗粒 99.95% φ3*3mm 真空熔炼 Mo-G3533 m 真空熔炼 Si-I5011 多晶硅 块状 99.999% 不规则块状 真空熔炼 In-G4501 铟 颗粒 99.995% 1-3mm 真空熔炼 Zr-I2402 海绵锆 块状 99.4% 3-25mm 真空熔炼 Hf-I2402 海 m 真空熔炼 Ge-G5006 锗 颗粒 99.999% 3-5mm 真空熔炼 La-I3011 镧 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 Er-I3011 铒 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 Dy-I3011 镝 块状 99.9% 不规则块状 真空熔炼 W-P3504 钨 粉末 99.95% 325目 粉末冶金 Al-P3504 &nbs 5目 粉末冶金 TiC-P2514 碳化钛 粉末 99.5% 3-5μm 粉末冶金 HfC-P2514 碳化铪 粉末 99.5% 3-5μm 粉末冶金 ZrB2-P2519 二硼化锆 粉末 99.5% 10μm 粉末冶金 Ti-F2612 .2*L 耗材配件 Ta-F3513 钽 0*0.2mm 耗材配件 Nb-F3513 *100*0.2mm 耗材配件 合金定制 流程：1.客户提供需要的配比、块材大小和用量要求；一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会***降低。南京氧化锌锡靶品牌

溅射靶材安装过程中**重要的注意事项是一定要确保在靶材和溅射冷却壁之间建立很好的导热连接。苏州钛酸锂靶功能

阴-阳极间距对靶溅射电压的影响：真空气体放电阴-阳极间距能够对靶溅射电压造成一定的影响。在阴-阳极间距偏大时，等效气体放电的内阻主要由等离子体等效内阻决定，反之，在阴-阳极间距偏小时，将会导致等离子体放电的内阻呈现较小数值。由于在磁控靶点火起辉后进入正常溅射时，如果阴-阳极间距过小，由于靶电源输出的溅射电压具有一定的软负载特性，就有可能出现在溅射电流已达工艺设定值时，靶溅射电压始终很低又调不起来的状况。“工艺型”靶电源可以改善和弥补这种状况;而“经济型”靶电源对这种状况无能为力。   1. 孪生靶(或双磁控靶)阴-阳极间距   对称双极脉冲中频靶电源和正弦波中频靶电源带孪生靶或双磁控靶运行时，建议其两交变阴-阳极的小极间距不应小于2英2口寸;   2. 单磁控靶阴-阳极间距   靶电源带单磁控靶运行时，一般都不存在这方面问题;但是，在小真空室带长矩形平面磁控单靶时容易忽略这个问题，磁控靶面与真空室金属壳体内壁的小极间距一般亦建议不小于2英2口寸。苏州钛酸锂靶功能

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。