山东CeF3靶材
所述靶材的比较大厚度为24mm；所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形结构；所述靶材包括用于溅射的溅射面；所述溅射面包括平面、第二平面和斜面；所述斜面与水平面的夹角为3°；所述斜面位于所述平面和第二平面之间；所述平面为圆形；所述第二平面为环形；所述靶材的材质包括铝；所述背板的材质包括铜。所得靶材组件溅射强度好，使得溅射过程中薄膜厚度均匀，使用寿命增加。实施例5本实施例提供一种长寿命靶材组件，所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.82mm；所述靶材表面的硬度为21hv；其中，所述靶材的比较大厚度为23mm；所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形结构；所述靶材包括用于溅射的溅射面；所述溅射面包括***平面、第二平面和斜面；所述斜面与水平面的夹角为1°；所述斜面位于所述平面和第二平面之间；所述***平面为圆形；所述第二平面为环形；所述靶材的材质包括铝；所述背板的材质包括铜和铝。所得靶材组件溅射强度好，使得溅射过程中薄膜厚度均匀，使用寿命增加。
靶面金属化合物的形成。山东CeF3靶材
通过所述靶材抛光装置100同时对所述靶材600相交接的两个侧壁表面630进行抛光。具体的，所述抛光片部分310与所述靶材600的一个侧壁表面630相贴合，所述抛光片第三部分330表面与所述靶材600的另一个侧壁表面630相贴合，所述抛光片第二部分320表面与位于两个侧壁表面630间的侧棱601表面相贴合。操作人员相对所述靶材600移动所述靶材抛光装置100，移动方向平行与被抛光的所述侧棱601延伸方向，从而可同时对所述靶材600的两个侧壁表面630进行抛光，且还同时对位于两个侧壁表面630间的侧棱601表面进行抛光，有助于提高抛光作业效率。虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。湖北Zn靶材在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能。
钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20W/cm2，钎料常用In、Sn、In-Sn；导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。二.绑定的适用范围：建议绑定的靶材：ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；锡、铟等软金属靶；靶材太薄、靶材太贵的情况等。但下列情况绑定有弊端：1.熔点低的靶材，像铟、硒等，金属化的时候可能会变软变形；2.贵金属靶材，一是实际重量易出现分歧，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。三.背靶的选择对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶，厚度在3mm左右；导电性好：常用无氧铜，无氧铜的导热性比紫铜好；强度足够：太薄，易变形，不易真空密封；结构要求：空心或者实心结构；厚度适中：3mm左右，太厚，消耗部分磁强；太薄，容易变形。
磁控溅射制备非晶硅薄膜 本实验采用石英玻璃为衬底，实验前先将玻璃衬底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超声波清洗机清洗30 min;然后用分析乙醇同样在超声波清洗机中清洗30 min; 放入装有去离子水的烧杯中在超声波清洗器中清洗约30 min 后晾干。然后以高纯硅为靶材在JGP500型超高真空磁控溅射设备上，分别采用直流和射频方式制备了两块样品。在溅射前，预溅射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 样品采用直流磁控溅射方式， 溅射功率为100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 溅射时间20 min，溅射气压0.5 Pa，衬底温度为室温。2#样品采用射频磁控溅射方式，溅射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，溅射时间120 min，溅射气压2.0 Pa，衬底温度为室温。样品1# 和2# 均切为3 小块，其中各保留一小块不做退火处理，其他的小块样品处理情况为1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在马弗炉中退火1h。将1# 和2#未处理样品用拉曼激光诱导方法，研究非晶硅薄膜的晶化过程。
主要由三种方式：压接、钎焊和导电胶。
非晶硅薄膜的制备方法 非晶硅薄膜的制备方法有很多，如低压化学气相沉积(LPCVD)，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，直流(射频)磁控溅射等。生长多晶硅薄膜的方法有：化学气相沉积包括低压化学气相沉积(LPCVD)、大气压强化学气相沉积(APCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)以及液相生长、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高温)退火的条件下，使固态非晶硅薄膜的硅原子被、重组，从而转化为多晶硅薄膜。它的特点是非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。常规高温炉退火、快速热退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化等都属于固相晶化的范畴。本文采用PECVD 和磁控溅射方法在不同的条件下制备了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高温退火和激光诱导晶化的方式，利用X- 射线衍射及拉曼光谱，对制备的非晶硅薄膜晶化过程进行了系统地研究。
靶材绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。镇江镁锌钙靶材厂家
靶材安装及注意事项有哪些？山东CeF3靶材
规格说明：产品规格靶材可定制产品数量1000包装说明双层真空包装价格说明1000◆产品说明：高纯靶,靶靶材钯颗粒,钯粉,钯靶材钯，是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气，使体积***胀大，变脆乃至破裂成碎片。原子量：106.4密度（20℃）/g•cm-3：12.02熔点/℃：1552蒸发温度/℃：1460沸点/℃：3140汽化温度/℃：1317比电阻率（0℃）/uΩ•cm：10.6熔化热/kJ•mol-1：16.7汽化热/kJ•mol-1：361.7热导率（0～100℃）/J•（cm•s•℃）-1：0.753电阻温度系外观：银白色蒸发源（丝、片）：W（镀Al2O3）坩埚：Al2O3性质：与难溶金属形成合金，闪烁蒸发，在EB内激烈飞溅，钯是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气，使体积***胀大，变脆乃至破裂成碎片。化学性质不活泼，常温下在空气和潮湿环境中稳定，加热至800℃，钯表面形成一氧化钯薄膜。山东CeF3靶材
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